一、世界集成電路的歷史

1947年，John Bardin、Bratton、Shockley在位于美國的Baer實驗室發明了晶體管，這是微電子技術發展的第一個里程碑。

1950年，結型晶體管問世。

1951年，場效應晶體管發明

1956年，C S Fuller發明了擴散工藝

1958年，仙童公司的羅伯特·諾伊斯（Robert Noyce）和德義的柯比（Kirby）分別在幾個月內發明了集成電路，創造了世界微電子的歷史。

1960年：H H Loor和E Castellani發明了光刻工藝

1962年：美國RCA公司研制的MOS場效應晶體管

1963年：F.M.Wallass和C.T.Sah首次提出了CMOS技術。如今，超過95%的集成電路芯片基于CMOS技術

1964年：英特爾摩爾提出摩爾定律，預測晶體管的集成度將每1個月增加18倍。

1966年：RCA公司研制出CMOS IC，研制出第一個門陣列（50門），為大規模集成電路的發展奠定了堅實的基礎，具有里程碑意義。

1979年：英特爾推出5MHz 8088微處理器，隨后IBM推出全球首款基于8088的PC

1981年：256Kb DRAM和64KB CMOS SRAM問世

1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256Kb SRAM

1985年：80386微處理器問世，20MHz

1988年：16M DRAM問世，1平方厘米大小的硅芯片集成35萬個晶體管，標志著進入超大規模集成電路（VLSI）階段。

1989年：1Mb DRAM進入市場

1989年：486個微處理器，25MHz，1微米m，以及后來的50MHz芯片，使用0.8微米M

1992年：64M位隨機存取存儲器問世

1993年：推出66MHz奔騰處理器，采用0.6微米m工藝

1995年：奔騰Pro，133MHz，采用0.6-0.35M技術;

1997年：300MHz奔騰II問世，采用0.25微米m工藝

1999年：奔騰III問世，450MHz，采用0.25微米m工藝，再采用0.18微米m工藝

2000年：1Gb RAM上市

2000年：奔騰4，1.5GHz，使用0.18 - M工藝

2001年：英特爾宣布在0年下半年采用13.2001 - M工藝。

2003年：奔騰4 E系列，采用90nm技術。

2005年：英特爾酷睿2系列上市65nm技術。

2007年：基于新的45納米高K工藝的Intel Core 2 E7/E8/E9上市。

2009年：英特爾酷睿I系列推出新紀錄，采用32納米工藝領先，而22納米技術正在開發下一代。

二、我國集成電路發展史

我國集成電路產業誕生于60年代，經歷了三個發展階段：

1965年-1978年：以支持計算機和軍工為目標，以發展邏輯電路為主要產品，初步建立了集成電路工業基礎和相關設備、儀器和材料的配套條件。

1978年-1990年：主要進口二手設備，提高集成電路設備水平，在“治理分散無序”的同時，以消費者為支撐點，解決國內彩電集成電路

1990-2000年：圍繞908工程和909工程，以CAD為突破口，重點建設北方科技攻關基地和研發基地，服務信息產業，集成電路產業取得新進展。

集成電路產業是集成電路產業鏈各部分銷售的整體市場，其中不僅包括IC市場，還包括IP市場、EDA市場、核芯片代工市場、封裝市場，甚至延伸到設備和材料市場。

IC行業不再依賴于CPU和存儲器等單一器件的開發。移動互聯網、三網融合、多屏交互、智能終端帶來多重市場空間，商業模式不斷創新，為市場注入新活力。目前，我國集成電路產業具有一定的基礎，多年來我國集成電路產業技術創新活力的積累，對電源市場開拓能力的積累，對資源的整合和廣闊的市場潛力，為產業在未來5年到10年內實現快速發展，邁向一個新的階段奠定了基礎。