功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類(lèi)：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。直流參數(shù)包括：漏源擊穿電壓BVDSS，靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻RDS(on)，柵閾值電壓VGS(th)，正向跨導(dǎo)gfs等;交流參數(shù)包括：輸入電容Ciss、輸出電容Coss，反向傳遞電容Crss，開(kāi)關(guān)時(shí)間ton、ts、tf等；極限參數(shù)包括：連續(xù)電流ID和脈沖漏電流IDM，最大耗散功率PD，柵源電壓VGS，單脈沖雪崩耐量EAS等。

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的設(shè)計(jì)任務(wù)就是根據(jù)用戶使用要求，確定主要電學(xué)參數(shù)指標(biāo)，設(shè)計(jì)出滿足參數(shù)指標(biāo)要求的縱向參數(shù)、橫向參數(shù)和熱學(xué)參數(shù)。

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在實(shí)際設(shè)計(jì)過(guò)程中，主要從以下幾個(gè)方面進(jìn)行設(shè)計(jì)：功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要電參數(shù)設(shè)計(jì)、功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工藝設(shè)計(jì)以及功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的零部件設(shè)計(jì)。

由產(chǎn)品電參數(shù)指標(biāo)可知，該產(chǎn)品具有漏源擊穿電壓（BVDSS）、導(dǎo)通電阻低、電流容量高、耗散功率大、抗靜電擊穿能力強(qiáng)等特點(diǎn)。產(chǎn)品具有電壓控制、快開(kāi)關(guān)速度、易并聯(lián)以及電參數(shù)溫度穩(wěn)定性高。非常適合應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、逆變器、斬波器、音頻放大器以及高能量脈沖電路。

表1 產(chǎn)品電參數(shù)指標(biāo)（25℃）

VDMOS的版圖制造過(guò)程可以分為八個(gè)步驟，版次內(nèi)容: （1）P+版圖；（2）柵氧化層版圖；（3）多晶硅區(qū)版圖；（4）截止環(huán)版圖；（5）N＋版圖；（6）孔版圖；（7）鋁版圖；（8）鈍化版圖。

圖1 P+版圖 圖2 N＋版圖

圖3 孔版圖 圖4 鋁版圖

圖5 芯片角版圖