金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和雙極結型晶體管（BJT）是兩種封裝形式各異的晶體管，不熟悉電子產品的人常常難以決定應該在他們的開發項目中使用哪一種。工程師介紹，雖然MOSFET和BJT都是晶體管，但它們的工作方式不同，表現出不同的行為，因此它們的使用方式不同。

一、什么是MOSFET？

金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）是一種場效應晶體管（FET），由三個端子-柵極、源極和漏極組成。在MOSFET中，漏極由柵極端的電壓控制，因此MOSFET是一種電壓控制器件。施加在柵極上的電壓控制流入漏極的電流量。MOSFET有兩種類型，“p溝道”和“n溝道”。這兩種類型都可以處于增強或耗盡模式（見圖1）。這意味著總共有四種不同類型的MOSFET。

在p溝道MOSFET中，源極和漏極端子由p型半導體制成。同樣，在n溝道MOSFET中，源極和漏極端子由n型半導體制成。柵極端子本身由金屬制成，并使用金屬氧化物與源極和漏極端子分離。這種絕緣水平源于低功耗，是此類晶體管的主要優勢。這通常會看到MOSFET用于低功率設備或作為構建模塊來降低功耗。

耗盡模式：當柵極端電壓低時，通道呈現最大電導。由于柵極端電壓為正或負，溝道電導率降低。

增強模式：當柵極端電壓較低時，除非向柵極端施加更多電壓，否則器件不導通。

二、什么是BJT？

雙極結型晶體管（BJT）是一種電流驅動器件（相比之下，MOSFET是電壓驅動的），廣泛用作放大器、振蕩器或開關等。BJT具有三個引腳（基極、集電極和發射極）和兩個結：p結和n結。

BJT有兩種類型——PNP和NPN。每種類型都有一個大的集電極元件和一個大的發射極元件，它們以相同的方式摻雜。在這些結構之間是一小層稱為“基礎”的其他摻雜劑。電流流入PNP的集電極并流出發射極。在NPN中，極性相反，電流流入發射極并流出集電極。在任何一種情況下，基極中的電流方向都與集電極相同。

從根本上說，BJT晶體管的操作是由其基極端子上的電流決定的。例如，小的基極電流等于小的集電極電流。BJT的輸出電流始終等于輸入電流乘以一個稱為“增益”的系數，通常是基極電流的10-20倍。

三、MOSFET與BJT之間有何不同？

MOSFET和BJT之間有很多不同之處：

（1）MOSFET（電壓控制）是金屬氧化物半導體，而BJT（電流控制）是雙極結型晶體管。

（2）雖然兩者都有三個終端，但它們有所不同。MOSFET具有源極、漏極和柵極，而BJT具有基極、發射極和集電極。

（3）MOSFET是高功率應用的理想選擇，而BJT更常用于低電流應用。

（4）BJT取決于其基極端子上的電流，而MOSFET取決于氧化物絕緣柵電極上的電壓。

（5）MOSFET的結構本質上比BJT的結構更復雜。

四、MOSFET和BJT之間哪個更好？

MOSFET和BJT都具有獨特的特性和各自的優缺點。但是，我們不能說哪個“更好”，因為這個問題非常主觀。這個問題沒有一個直接而明確的答案。

在選擇在項目中使用哪個時，必須考慮許多不同的因素才能做出決定。其中包括功率電平、驅動電壓、效率、成本和開關速度等——這是了解您的項目真正有幫助的地方！

通常，MOSFET在電源中的效率通常更高。例如，在負載可變且電源有限的電池供電設備中，使用BJT將是一個壞主意。但是，如果BJT用于為具有可預測電流消耗的東西（例如LED）供電，那么這很好，因為可以將基極-發射極電流設置為LED電流的一小部分以獲得更高的效率。