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MCU為什么內(nèi)部不集成晶振

jf_pJlTbmA9 ? 來源:jf_pJlTbmA9 ? 作者:jf_pJlTbmA9 ? 2023-07-23 15:53 ? 次閱讀

01、MCU為什么不集成晶振

本文將用STM32代替MCU。

原因1:早些年,芯片的生產(chǎn)制作工藝也許還不能夠?qū)⒕д褡鲞M芯片內(nèi)部,但是現(xiàn)在可以了。這個問題主要還是實用性和成本決定的。

實用性:如果封裝進入STM32內(nèi)部,不利于不同客戶更換不同頻率晶振。

成本:把晶振封裝進STM32內(nèi)部成本提高,售價提升,不利于產(chǎn)品競爭力。

原因2:封裝進STM32內(nèi)部,必將使芯片面積增大。芯片面積大小也是廠商考慮的一個因素,在各方面考慮的情況下,芯片要盡可能的小一些。

原因3:STM32內(nèi)部是有“晶振”的,與其說是晶振,不如說是RC振蕩電路。

wKgZomS83C2APWJtAABLO4T8Wj8696.png

時鐘樹中的位置。

wKgaomS83D6AI-cyAAEBCacCOvY101.png

STM32F207內(nèi)部已經(jīng)提供了32.768KHz的低速內(nèi)部時鐘,一般用于RTC。還有一個16MHz的高速內(nèi)部時鐘,這個時鐘精度較差,但是一些應(yīng)用場景,使用高速內(nèi)部時鐘驅(qū)動芯片是足夠的。

所以基于實用性和成本考慮,STM32并不會將晶振集成進入芯片內(nèi)部。

02、外圍電路問題

看了上文,大家對于芯片外圍電路不集成進入芯片內(nèi)部的原因,大概了解了。除了上文提到的原因,還有一些其他原因?qū)е峦鈬娐凡荒芗蛇M入IC內(nèi)部。下面簡單舉幾個常見的例子說明一下。

2.1、濾波電容

濾波電容的大小從幾百nF~2000uF不等。由于一般電源為中高壓(不是1.xV),所以如果在芯片內(nèi)部實現(xiàn),大致有MV_MOSCAP/MOM/ MIM3種。一般來說,2fF/um2是一個正常的值,也就是說,要實現(xiàn)100nF的電容,我得付出50mm2的面積代價。面積的增加,必將導(dǎo)致成本上升,是不劃算的。大部分的應(yīng)用是很在乎成本的,而不在乎PCB板子大一點,接幾個下圖的接插件的電容。

2.2、變壓器

壓器一般只在隔離層和電源領(lǐng)域使用,但目前的集成電路工藝如果要集成磁芯,難度極高。沒必要集成,目前技術(shù)是不支持集成進入IC內(nèi)部的,集成進入也會影響到其他部件的工作。

2.3、電感

電感的主要應(yīng)用場景是電源里面的續(xù)流需求,經(jīng)過它的電流動輒幾安培,芯片內(nèi)部要走安培級的電流得付出1mm粗的代價,且這個1mm還得精密的圍成線圈,工藝實現(xiàn)有一定難度,并且成本上升太過恐怖。不要說MCU這樣的主控芯片,大家數(shù)據(jù)的DCDC芯片,都需要將電感外置。以SY7152ABC型號DCDC芯片為例,電路圖如下

wKgaomS83FCAWXeLAAA3sJj0UP4911.png

2.4、TVS

TVS管,又稱瞬態(tài)二極管,主要是解決打ESD的時候芯片擊穿的問題,TVS管電量不大,但勝在電壓極高,隨隨便便就幾kV了。就像電感一樣,TVS管也是不會集成進入IC內(nèi)部的。

2.5、磁珠

磁珠,可以理解成一個很小的電感。這類東西玩的少,我覺得凡是和磁性材料有關(guān)的,目前主流的硅基工藝都很難集成進去。

審核編輯:湯梓紅

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