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RC充電電路的計(jì)算及仿真

電子工程師筆記 ? 來(lái)源:頭條號(hào)臥龍會(huì)IT技術(shù) ? 2023-07-12 09:23 ? 次閱讀

RC電路使用到底應(yīng)該怎樣估算和仿真,多年了一直困惑各種經(jīng)驗(yàn)和傳說(shuō)。

前言

高速電路愈來(lái)愈流行,基礎(chǔ)的知識(shí)逐漸越來(lái)越被淡化或者遺漏了。一些時(shí)髦但是對(duì)于普通人又神乎其神的反射、插損、加重、均衡等等術(shù)語(yǔ),令普通攻城師向往但是又覺(jué)得遙遠(yuǎn)。既然覺(jué)得遙遠(yuǎn),那我們就一起再次重復(fù)溫習(xí)下RC充電電路基礎(chǔ)知識(shí)計(jì)算及仿真,看看溫故后能否知新。說(shuō)不定看了后,一個(gè)簡(jiǎn)單RC電路就讓你覺(jué)得頭麻。

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問(wèn)題背景

兩年前有個(gè)朋友問(wèn)我他的產(chǎn)品上使用超級(jí)電容作為電池使用,但是不清楚為啥沒(méi)有起什么作用。后續(xù)溝通提供了幾種判定方法讓其確認(rèn)電路設(shè)計(jì)及物料參數(shù),最終也沒(méi)有得到明確答復(fù)。這個(gè)事反倒成了我心里的事了,到底是哪里出問(wèn)題了?充放電邏輯設(shè)計(jì)、器件參數(shù)、電路參數(shù)設(shè)計(jì)、溫度等

為什么一直忘不了,因?yàn)槲艺f(shuō)錯(cuò)了。我告訴別人充電時(shí)間t = R*C,充電時(shí)間在后邊的工作中發(fā)現(xiàn)不完全是這樣子或者與這個(gè)只有一點(diǎn)關(guān)聯(lián),RC只是一個(gè)時(shí)間因子啊!

理想電路

硬件仿真

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理論計(jì)算

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仿真與計(jì)算基本完全一致

如果不是理想器件,是實(shí)際電路了,最終結(jié)果又是什么樣了?

電壓上升沿從1ps變更為0.1ms,電容更改為實(shí)際電容

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如果還想再顯得自己牛逼點(diǎn),還可以這樣子再來(lái)

假定1000mil線長(zhǎng)

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看起來(lái)差別不大是吧,是的,因?yàn)殡妷荷仙叵鄬?duì)充電時(shí)間來(lái)說(shuō)比較緩,所以不明顯。如果是信號(hào)了,又是什么樣的。原創(chuàng)今日頭條:臥龍會(huì)IT技術(shù)

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看起來(lái)對(duì)于信號(hào)影響比較明顯,確實(shí)是這樣,具體參數(shù)邊沿、高低電平就不測(cè)量了。這種還能不能計(jì)算,當(dāng)然能計(jì)算,怎樣計(jì)算,有這個(gè)時(shí)間考慮這個(gè)還不如仿真玩玩了。

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問(wèn)題展望

時(shí)鐘線上RC是預(yù)留解決EMI的,這個(gè)電阻電容是不是通用打天下,貌似就是傳說(shuō)中的經(jīng)驗(yàn)。信號(hào)過(guò)沖大,串聯(lián)個(gè)電阻啊,多大10、33、50呀!電容了,電容semtech有一篇文檔結(jié)合數(shù)據(jù)速率給出了對(duì)應(yīng)電容要求范圍。兩個(gè)一結(jié)合是否從此再無(wú)信號(hào)完整性問(wèn)題了,不是,問(wèn)題依舊存在需要體現(xiàn)你的價(jià)值。

驅(qū)動(dòng)等級(jí)從之前的10mA,更改為5mA,其實(shí)對(duì)于硬件攻城獅來(lái)說(shuō),有時(shí)候驅(qū)動(dòng)是個(gè)好東西。RC怎樣用,有時(shí)候需要先問(wèn)下驅(qū)動(dòng),當(dāng)然信號(hào)類型更重要。

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總結(jié)

其實(shí)RC電路說(shuō)簡(jiǎn)單也簡(jiǎn)單,說(shuō)復(fù)雜也復(fù)雜,看看應(yīng)用在那塊。另外傳說(shuō)中的經(jīng)驗(yàn)應(yīng)用時(shí)多問(wèn)幾個(gè)為什么或者應(yīng)用范圍及前提條件,這樣就可以一起愉快的玩耍了。

本次我們主要關(guān)注了RC時(shí)間、電平方面,電流了,有時(shí)候電流也是需要正式考慮的。例如發(fā)拉電容在RTC電路中應(yīng)用,充電限制的電流、RC電路帶寬。

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當(dāng)然帶寬也順帶看下,必要時(shí)候信號(hào)降低過(guò)沖,知道選擇多大電容電阻組合。

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增加前后FFT數(shù)據(jù)作用對(duì)比,這里對(duì)比只是說(shuō)明增加前后變化,與真實(shí)頻域EMI數(shù)據(jù)不能等同。

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如果要確認(rèn)增減前后對(duì)于EMI影響,需要進(jìn)行相應(yīng)EMI仿真,也是可以看到明顯變化的,相應(yīng)的數(shù)據(jù)可以使用3米場(chǎng)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比。

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審核編輯:湯梓紅
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原文標(biāo)題:理想電路

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