應(yīng)用領(lǐng)域：

該芯片采用RISC內(nèi)核，基于中微半導(dǎo)自研模擬技術(shù)，內(nèi)置2路PWM及高精度24bit Sigma-Delta ADC與高速12bit SAR ADC雙AD，實(shí)現(xiàn)微小信號(hào)放大及多通道模數(shù)轉(zhuǎn)換，工作溫度-40℃~85℃范圍，芯片外形小巧，可廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、壓力變轉(zhuǎn)、家用醫(yī)療及工業(yè)測(cè)量等領(lǐng)域。

CMS8H1215特有多通道、雙AD：

CMS8H1215是中微半導(dǎo)模擬系列首款多通道、雙AD的高精度SoC，也是國(guó)內(nèi)同類(lèi)產(chǎn)品中的首款，具有獨(dú)特的差異化優(yōu)勢(shì)，可基于單芯片產(chǎn)品級(jí)解決方案，大幅降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜度及系統(tǒng)成本。CMS8H1215提供兩種精度的ADC模塊，分別為高精度24bit Sigma Delta ADC和高速12bit SAR ADC，既能滿足微小信號(hào)高精度、低速率需求，同時(shí)也能滿足小信號(hào)、高速率的多通道需求，且芯片帶2路PWM，高達(dá)12V電池電壓直接檢測(cè)等功能，是測(cè)量領(lǐng)域富有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品級(jí)解決方案。CMS8H1215獨(dú)特的12bit SAR ADC信號(hào)采樣，可以通過(guò)內(nèi)置前級(jí)PGA放大后進(jìn)入12bit ADC，同時(shí)實(shí)現(xiàn)小信號(hào)放大與高速采樣需求，這對(duì)僅需高速率和小信號(hào)放大且非24bit高精度要求的應(yīng)用，是理想的單芯片方案選擇。

CMS8H1215高標(biāo)準(zhǔn)、高抗擾：

CMS8H1215采用RISC內(nèi)核，支持8KB MTP，344 Bytes RAM，抗干擾性能強(qiáng)。全系列寬工作電壓2.4V~4.5V，-40℃~85℃工作溫度，同時(shí)兼具高抗噪聲性能優(yōu)勢(shì)。集成大容量、高性能、高可靠性并內(nèi)置24bit ADC的性能優(yōu)勢(shì)，有助于客戶節(jié)省BOM成本和電路板空間。CMS8H1215提供用于模擬或數(shù)字外設(shè)的完善接口，擁有多達(dá)25個(gè)GPIOs，2路24bit ADC，8路12bit ADC通道，多達(dá)16個(gè)大電流IO，可以直接驅(qū)動(dòng)LED，能實(shí)現(xiàn)灌電流164mA，拉電流最大45mA的驅(qū)動(dòng)力，支持高阻輸入、推挽輸出、開(kāi)漏輸出等模式，可實(shí)現(xiàn)壓力、溫度、電壓等多種信號(hào)檢測(cè)，可靠性高、擴(kuò)展性強(qiáng)且經(jīng)濟(jì)高效的優(yōu)勢(shì)使其應(yīng)用范圍更為廣泛。

CMS8H1215產(chǎn)品特性：

> 8K*16 MTP 344Byte RAM 128Byte EEPROM

> 24bit Sigma Delta ADC，當(dāng)PGA=128、ODR=10Hz、LDO=3V時(shí)，有效分辨率為20.0位

> 大電流IO驅(qū)動(dòng)能力，灌電流最大164mA，拉電流最大45mA

> 12bit SAR ADC，多達(dá)8個(gè)通道

> 二路周期和占空比獨(dú)立的PWM

> LVD和VBAT電壓檢測(cè)功能，最大12V電池電壓可直接接入芯片，無(wú)需電阻分壓

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審核編輯：湯梓紅