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如今，開發(fā)電子電力器件的難度不斷飆升，如何在滿足綠色低碳和和持續(xù)發(fā)展的要求下既不斷提升效率和功率性能，同時又不斷降低成本和縮減尺寸呢？

我們發(fā)現(xiàn)，氮化鎵(GaN)是一種新型寬帶隙化合物，為功率轉換解決方案帶來了極高的附加值。采用GaN技術有助于實現(xiàn)上述目標，隨著該項技術商用步伐的加快，在功率轉換應用中也獲得了廣泛運用。

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▲GaN晶體管優(yōu)點

與硅基晶體管相比，GaN功率晶體管有什么優(yōu)點呢？GaN在品質因數(shù)(FoM)、導通電阻 (RDS(on))和總柵電荷(QG)方面的表現(xiàn)更出色，提供高漏源電壓能力、零反向恢復電荷（在共源共柵器件中可以忽略）和極低的本征電容。先進的GaN技術解決方案可以提高功率轉換效率，在滿足極其嚴格的能源要求的同時實現(xiàn)更高的功率密度，它的工作頻率更高，器件外觀更為緊湊。

意法半導體最近宣布，已開始量產能夠簡化高效功率轉換系統(tǒng)設計的增強模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件。STPOWER GaN晶體管是基于氮化鎵(GaN)的高效晶體管，提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統(tǒng)、工業(yè)電源、可再生能源發(fā)電、汽車電氣化等應用的性能。

該系列先期推出的兩款產品SGT120R65AL和SGT65R65AL都是工業(yè)級650V常關G-HEMT晶體管，采用PowerFLAT 5x6 HV貼裝封裝，額定電流分別為15A和25A，在25°C時的典型導通電阻(RDS(on))分別為75mΩ和49mΩ。此外，3nC和5.4nC的總柵極電荷和低寄生電容確保晶體管具有最小的導通/關斷能量損耗。開爾文源極引腳可以優(yōu)化柵極驅動。除了減小電源和適配器的尺寸和重量外，兩款新GaN晶體管還能實現(xiàn)更高的能效、更低的工作溫度和更長的使用壽命。

意法半導體的G-HEMT器件將加速功率轉換系統(tǒng)向GaN寬帶隙技術過渡。GaN晶體管的擊穿電壓和導通電阻RDS(on)與硅基晶體管相同，而總柵極電荷和寄生電容更低，且無反向恢復電荷。這些特性提高了晶體管的能效和開關性能，可以用更小的無源器件實現(xiàn)更高的開關頻率，提高功率密度。因此應用設備可以變得更小，性能更高。未來，GaN還有望實現(xiàn)新的功率轉換拓撲結構，進一步提高能效，并降低功耗。

意法半導體PowerGaN分立器件的產能充足，能夠支持客戶快速量產需求。SGT120R65AL和SGT65R65AL現(xiàn)已上市，采用PowerFLAT 5x6 HV封裝。

在接下來的幾個月里，意法半導體還將推出新款PowerGaN產品，即車規(guī)器件，以及更多的功率封裝形式，包括PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封裝。讓我們拭目以待！

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對于GaN未來的發(fā)展?jié)撃埽愕南敕ㄊ牵?/span>

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?活動時間：即日起-8月10日；

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1.本活動僅限電子及相關行業(yè)從業(yè)者、相關專業(yè)在校大學生參與；

2.如有任何作弊行為，將取消活動參與資格；

3. 本活動最終解釋權歸意法半導體中國所有。

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