一、一般說明
650V硅上GaN增強模式功率晶體管,英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸
二、特征
超高開關頻率
無反向恢復收費
低柵極電荷,低輸出電荷
符合JEDEC標準的工業應用
靜電防護
ROHS指令不含鉛,符合REACH標準
三、應用程序
交流一直流轉換器
直流一直流轉換器圖騰柱PFC
電池快速充電
高密度功率轉換
高效率的功率轉換
英諾賽科INN650D150A增強功率晶體管GaN
審核編輯 黃宇
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
GaN
+關注
關注
19文章
1935瀏覽量
73445 -
功率晶體管
+關注
關注
3文章
647瀏覽量
17567
發布評論請先 登錄
相關推薦
直接驅動GaN晶體管的優點
受益于集成器件保護,直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
發表于 10-27 06:43
什么是GaN透明晶體管?
(1200°C,2分鐘)對表面的損傷。 圖5. 在Algan/GaN異質結構中,ITO和硅注入區之間形成了良好的歐姆接觸。 圖6. 測得的直流性能,包括(a)帶有ITO源/漏(S/D)和柵電極的
發表于 11-27 16:30
電流旁路對GaN晶體管并聯配置的影響
,在這種情況下采用基于氮化鎵(GaN)晶體管的解決方案意義重大。與傳統硅器件相類似,GaN晶體管單位裸片面積同樣受實際生產工藝限制,單個器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出
發表于 01-19 16:48
IGN2856S40是高功率脈沖晶體管
,裝在基于金屬的封裝中,并用陶瓷環氧樹脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術40W輸出功率AB類操作預先匹配的內部阻抗經過100%大功率射頻測試負柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率
發表于 04-01 09:57
IDM165L650是一種高功率脈沖晶體管
`IDM165L650是一種高功率脈沖晶體管,專為工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系統而設計。 該雙MOSFET器件以1ms的脈沖寬度和20%的占空比工作,在瞬時工作帶寬上以
發表于 04-01 10:03
IGN0450M250高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管,旨在滿足P波段雷達系統的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內運行。 在100毫秒以下,10%占空
發表于 04-01 10:35
用于大功率和頻率應用的舍入 GaN 基晶體管
。在這次活動中,劍橋 GaN 器件公司宣布了其集成電路增強氮化鎵(ICeGaN)技術,以修改 GaN 基功率晶體管的柵極行為。這種新技術基于
發表于 06-15 11:43
氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對分分析哪個好?
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術在市場上確立了自己的地位,但在軟開關應用中通常不被考慮使用。雖然在硬開關應用中使用
發表于 02-27 09:37
氮化鎵晶體管GaN的概述和優勢
650V的MOSFET。根據應用程序的要求,開發人員可以針對最高效率,最大功率密度或兩者之間的折衷。 由于其“0反向恢復”行為,GaN晶體管使得一些拓撲實際上可用,例如圖騰柱PFC,
發表于 02-27 15:53
未來智能城市的動力引擎:潤新微電子的650V GaN功率晶體管(FET)
潤新微電子(Runxin Microelectronics)榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管(FET),該產品具備卓越的性能和廣泛的應用領域。 產品特點: 易于使用:
GaN晶體管的基本結構和性能優勢
GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),是近年來在電力電子和高頻通信領域受到廣泛關注的一種新型功率器件。其結構
GaN晶體管的應用場景有哪些
GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),近年來在多個領域展現出廣泛的應用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高
評論