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電源PCB設計

VDD_NPU

01

VDD_NPU的覆銅寬度需滿足芯片的電流需求，連接到芯片電源管腳的覆銅足夠寬。

路徑不能被過孔分割太嚴重，必須計算有效線寬，確認連接到CPU每個電源PIN腳的路徑都足夠。

02

VDD_NPU的電源在外圍換層時，要盡可能的多打電源過孔（7個以上0.5*0.3mm的過孔），降低換層過孔帶來的壓降。

去耦電容的GND過孔要跟它的電源過孔數量保持一致，否則會大大降低電容作用。

03

如下圖（上）所示，原理圖上靠RK3588的VDD_NPU電源管腳綠線以內的去耦電容務必放在對應的電源管腳背面，電容的GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，如下圖（下）所示。

其余的去耦電容盡量擺放在RK3588芯片附近，并需要擺放在電源分割來源的路徑上。

04

RK3588芯片VDD_NPU的電源管腳，每個管腳就近有一個對應過孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接，如下圖所示 ，建議走線線寬10mil。

05

VDD_NPU電源在NPU區域線寬不得小于300mil，外圍區域寬度不小于500mil。

盡量采用覆銅方式，降低走線帶來的壓降（其它信號換層過孔請不要隨意放置，必須規則放置，盡量騰出空間走電源，也有利于地層的覆銅）。

06

電源過孔40mil范圍（過孔中心到過孔中心間距）內的GND過孔數量，建議≧9個。

電源PCB設計

VDD_CPU_LIT

01

VDD_CPU_LIT覆銅寬度需滿足芯片電流需求，連接到芯片電源管腳的覆銅足夠寬。

路徑不能被過孔分割太嚴重，必須計算有效線寬，確認連接到CPU每個電源PIN腳的路徑都足夠。

02

VDD_CPU_LIT的電源在外圍換層時，要盡可能的多打電源過孔（9個以上0.5*0.3mm的過孔），降低換層過孔帶來的壓降。

去耦電容的GND過孔要跟它的電源過孔數量保持一致，否則會大大降低電容作用。

03

如下圖（上）所示，原理圖上靠近RK3588的VDD_CPU_LIT電源管腳綠線以內的去耦電容務必放在對應的電源管腳背面，電容的GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，如下圖（下）所示。

其余的去耦電容盡量擺放在RK3588芯片附近，并需要擺放在電源分割來源的路徑上。

04

RK3588芯片VDD_CPU_LIT的電源管腳，每個管腳就近有一個對應過孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接，如下圖建議走線線寬10mil。

05

VDD_CPU_LIT電源在CPU區域線寬不得小于120mil，外圍區域寬度不小于300mil。

采用雙層電源覆銅方式，降低走線帶來壓降（其它信號換層過孔請不要隨意放置，必須規則放置，盡量騰出空間走電源，也有利于地層的覆銅）。

06

電源過孔40mil范圍（過孔中心到過孔中心間距）內的GND過孔數量，建議≧9個。

電源PCB設計

VDD_VDENC

01

VDD_VDENC覆銅寬度需滿足芯片的電流需求，連接到芯片電源管腳的覆銅足夠寬。

路徑不能被過孔分割太嚴重，必須計算有效線寬，確認連接到CPU每個電源PIN腳的路徑都足夠。

02

VDD_VDENC電源在外圍換層時，要盡可能的多打電源過孔（9個以上0.5*0.3mm的過孔），降低換層過孔帶來的壓降。

去耦電容的GND過孔要跟它的電源過孔數量保持一致，否則會大大降低電容作用。

03

如下圖（上）所示，原理圖上靠近RK3588的VDD_VDENC電源管腳綠線以內的去耦電容務必放在對應的電源管腳背面，電容的GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，如下圖（下）所示。

其余的去耦電容盡量擺放在RK3588芯片附近，并需要擺放在電源分割來源的路徑上。

04

RK3588芯片VDD_VDENC的電源管腳，每個管腳就近有一個對應過孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接，如下圖建議走線線寬10mil。

05

VDD_VDENC電源在CPU區域線寬不得小于100mil，外圍區域寬度不小于300mil，采用雙層電源覆銅方式，降低走線帶來壓降。

06

電源過孔30mil范圍（過孔中心到過孔中心間距）內的GND過孔數量，建議≧8個。

電源PCB設計

VCC_DDR

01

VCC_DDR覆銅寬度需滿足芯片的電流需求，連接到芯片電源管腳的覆銅足夠寬。

路徑不能被過孔分割太嚴重，必須計算有效線寬，確認連接到CPU每個電源PIN腳的路徑都足夠。

02

VCC_DDR的電源在外圍換層時，要盡可能的多打電源過孔（9個以上0.5*0.3mm的過孔），降低換層過孔帶來的壓降。

去耦電容的GND過孔要跟它的電源過孔數量保持一致，否則會大大降低電容作用。

03

如下圖（上）所示，原理圖上靠近RK3588的VCC_DDR電源管腳的去耦電容務必放在對應的電源管腳背面，電容的GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，其余的去耦電容盡量靠近RK3588，如下圖（下）所示。

04

RK3588芯片VCC_DDR的電源管腳，每個管腳需要對應一個過孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接，如下圖建議走線線寬10mil。

當LPDDR4x 時，鏈接方式如下圖所示。

05

VCC_DDR電源在CPU區域線寬不得小于120mil，外圍區域寬度不小于200mil。

盡量采用覆銅方式，降低走線帶來壓降（其它信號換層過孔請不要隨意放置，必須規則放置，盡量騰出空間走電源，也有利于地層的覆銅）。

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審核編輯 黃宇