新型存儲技術不斷出現，這次ULTRARAM占據了制高點。

正如我們在本周早些時候所解釋的，ULTRARAM 看起來像是存儲技術的救世主，據說速度至少與 RAM 一樣快，但功耗要求更低，它還符合存儲器的非易失性特性，這種東西可以持續使用1000年。

新興技術中令人困惑且同樣具有亞當斯風格的技術細節，例如可能由超智能藍色色調構想出來的三重勢壘共振隧道結構，確實使得 ULTRARAM 很難作為一個外行觀察者進行感官“享受”。但更需要關注的是，現實世界的實用性存在一些非常明顯的問題。

畢竟，英特爾和美光圍繞 3D XPoint 技術有著非常相似的敘述，該技術構成了 Optane SSD 系列和內存持久存儲 DIMM 的基礎，但進展并不順利。

那么，如果英特爾不能讓傲騰（Optane）發揮作用，獨立初創公司還指望什么呢？為了找到答案，我們采訪了一個應該有好主意的人。他正是英國蘭卡斯特大學物理學教授馬努斯·海恩 (Manus Hayne)。他也是 ULTRARAM 的發明者。

海恩教授的研究興趣集中在低維半導體納米結構的物理學，以及在新型器件的開發中利用這些特性。這促使他發明了 ULTRARAM，這是一種基于復合半導體的系統存儲器，具有 DRAM 和閃存的特性和性能。

首先，關于英特爾傲騰并行技術，海恩對此有何看法？

“毫無疑問，前方存在著巨大的挑戰，”海恩說?！暗绻覀儾徽J為有廣泛采用的前景，我們就不會將其作為商業前景來追求?！?/p>

“英特爾確實在 Optane 方面遇到了問題，但這并不是一個孤立的案例。有幾種新興存儲技術，其中，Optane 是市場份額方面最著名和最重要的例子。這些新型存儲器很難實現如DRAM或閃存那樣低的成本，再加上攀登容量高峰的挑戰，意味著它們占據了不到 1% 的市場份額，通常是在利基但穩定的應用中?！?/p>

“ULTRARAM 本質上是快速且非常高效的，因此在單位級別上與 DRAM 在技術上具有競爭力，但規?；魬鹑匀淮嬖??！?/p>

換句話說，海恩既精通更廣泛的存儲市場，又對挑戰持現實態度，這無疑是一個充滿希望的開始，他還認識到技術需要多長時間才能完全成熟。

“由于批量生產的技術和商業問題以及相關成本問題，不會出現‘大爆炸’的顛覆性變化。例如，在 1980 年代發明的閃存花了（仍在花費）很長時間，取代硬盤驅動器，”他說。

談到閃存這個話題，海恩深知金錢萬能?！伴W存的趨勢是容量越來越大，而耐用性卻越來越低，因為每比特的成本更低，”他說。但仍然存在 ULTRARAM 可以取代 RAM 和閃存的用例，“最有可能在需要很少存儲的應用中，例如家用電器和物聯網設備?！?/p>

ULTRARAM 可以說是 RAM 的更好替代品，它能夠成功有其技術原因，例如，與硅相比，它使用化合物半導體，這可能是一種制造優勢。

“有一個完全不同的半導體世界，其中化合物半導體占主導地位，那就是光子學，”海恩解釋道?！盎衔锇雽w很容易獲得，多層不同的化合物半導體（異質結構）通常在批量制造過程中以非常高的材料質量生長。事實上，由于 ULTRARAM 的大部分復雜性都是在這個單一的技術過程中實現的，因此步驟減少了，半導體工廠生產存儲器所需的時間大大減少，從而降低了成本。”

同樣，在容量和密度方面，據說 ULTRARAM 至少與傳統 RAM 一樣好，即使不是更好。

“我們有一個 ULTRARAM 架構，至少可以與 DRAM 競爭，并且如果有適當的工具，預計它可以擴展到 10nm以下制程工藝。因此，至少可以與 DRAM 競爭，另一個因素是外圍電路?！?/p>

“所有存儲芯片都需要邏輯來尋址陣列、編程/擦除/讀出功能和 I/O 電路。然而，DRAM 需要補償刷新和破壞性讀取，閃存需要電荷泵和磨損均衡來補償較差的耐用性。ULTRARAM 不需要這些，而是為實際內存留下更多的提升空間，”Hayne 說。

如果所有這些在該技術的最終版本中都是正確的，那么在計算平臺中支持 ULTRARAM 可能仍然存在一些主要的技術障礙。例如，Intel 或 AMD 等公司真的有可能在其 CPU 中添加對 ULTRARAM 的支持嗎？

鑒于 ULTRARAM 項目的早期性質（目前只是首次展示），海恩不會透露細節，但他可以證實，與行業參與者的對話已經在進行中。

我們只能說，PC 的核心組件最近一直相對停滯，因此，我們和我們的Hoovooloo霸主絕對歡迎新的和創新的事物，尤其是像 ULTRARAM 這樣有前途的技術。






審核編輯：劉清