8月25日，湖北省委常委、武漢市委書記郭元強，市委副書記、市長程用文會見長飛光纖光纜股份有限公司董事長馬杰一行。

郭元強對長飛光纖長期以來扎根武漢、為經濟社會發展作出的貢獻表示感謝。他說，當前，武漢正在深入學習貫徹黨的二十大精神和***總書記考察湖北武漢重要講話精神，深入實施創新驅動發展戰略，扎實推進武漢具有全國影響力的科技創新中心建設，著力構建現代化產業體系，加快轉變經濟發展方式，加快推進“世界光谷”建設，堅定不移推動高質量發展。

長飛光纖是全球光纖光纜行業的領軍企業，希望長飛光纖充分發揮龍頭企業引領作用，加大投資力度，加快項目建設，加強技術研發攻關，帶動我市光電子信息產業高質量發展，持續保持“獨樹一幟”優勢；充分發揮國際視野和投資運營優勢，推動資金、技術、人才等高端要素“引進來”和本地特色優勢產業“走出去”，助力武漢打造新時代內陸開放新高地。我們將竭誠做好服務，為企業在漢發展壯大營造良好環境。

馬杰感謝武漢各級黨委政府長期以來給予長飛光纖的關心和支持。他說，武漢是建設中的國家中心城市和長江經濟帶核心城市，近年來創新創業環境持續優化，經濟社會高質量發展保持良好勢頭。長飛光纖將堅定深耕武漢，進一步深化與東湖高新區合作，加大技術攻關力度，加快推進長飛先進半導體武漢基地項目建設，為推動武漢產業轉型升級和經濟高質量發展作出更大貢獻。

會見后，東湖高新區管委會與長飛先進半導體簽署了第三代半導體功率器件研發生產基地項目合作協議書。

市領導曾晟、杜海洋、汪元程，東湖高新區管委會主任張勇強，長飛光纖光纜股份有限公司執行董事兼總裁莊丹參加有關活動。

長飛先進第三代半導體功率器件研發生產基地項目落戶光谷助力打造化合物半導體產業高地

8月25日，東湖高新區管委會與長飛先進半導體簽署了第三代半導體功率器件研發生產基地項目合作協議書。

長飛先進第三代半導體功率器件研發生產基地項目總投資預計超過200億元，其中項目一期總投資100億元，可年產36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設計、晶圓制造、封裝等 ，將助力武漢打造國內化合物半導體產業高地。