1、啟動Candence

在命令行輸入“icfb”，運行Cadence Spectre，彈出CIW對話框。

2、新建一個設計庫

建立設計庫：執行菜單欄如下：

綁定工藝庫

3、新建一個Cellview

4、從工藝庫中創建一個NMOS晶體管和PMOS管

單擊或者”i”鍵，從工藝庫中調出“simc18mmrf”中調出NMOS晶體管n33，分配長寬比50u/5u，指數為5.

Shift+F

5、擺放好NMOS管和PMOS管

6、進行NMOS晶體管柵極的連接

由于要對漏極進行連接，且NMOS的柵極較短，而多晶硅的電阻較大，需要將柵極的多晶硅適當延長留出漏極的布線通道，并設置多晶硅到一個金屬的接觸孔，通過一層金屬進行連接。首先在LSW層選擇欄中選擇“GT”層，然后按“r”鍵，為柵極添加矩形r鍵，為柵極添加矩形。

7、建立多晶硅到金屬一層的通孔

按“o”鍵，彈出“Create Contact”對話框。在“Contact type”欄中選擇“M1_GT”，表示選擇多晶硅到一層的通孔；在“Conlumns”欄中輸入“4”，表示橫向通孔數目為4。

單擊“Hide按鈕，移動光標，將通孔放置在多晶硅柵上”

*8、為每一個多晶硅柵分配延長線和通孔

單擊鼠標左鍵，選中延長的多晶硅和通孔，按“c”鍵進行復制，為每個叉指的多晶硅分配延遲長線和通孔，完成后如下圖所示，完成后如下圖所示。注意，這里延長的多晶硅原始的柵嚴絲合縫地對其，否則會造成DRC錯誤。

9、為PMOS管也分配延長的多晶硅柵和通孔

重復步驟（6）到步驟（8），為PMOS柵分配延長的多晶硅和通孔。之后在LCW層選擇一層金屬，按“r”鍵，繪制一個矩形，將PMOS和NMOS的柵極連接，如下圖所示

10、將柵極連接到一起

再次在LWS層選擇一層金屬，按“r”鍵，繪制矩形連線，將NMOS和PMOS的漏極進行連接

11、將NMOS的源極和PMOS的源極拉出

同樣使用一層金屬分別將NMOS的源極和PMOS的源極拉出來，準備與沉淀連接至地和電源，其中NMOS源極拉出的浸塑線如圖所示：

12、將PMOS管和NMOS管復制2次

按住ctrl+A鍵，選中繪圖的所有圖形，再按“c”鍵復制兩次，完成3個反相器主體版圖的布置，之后再按照”r”鍵，

選擇一層金屬將第一級反相器輸出和第二級反相器輸入相連，第二級反相器輸出和第三級反相器輸入相連。

13、襯底與電源（地）的連接

首先進行NMOS襯底與地的連接，按“o”鍵，彈出“create Contact”對話框，在“Contact type”欄中選擇“MI_SP”（表示選擇P襯底到一層金屬的通孔），在“Rows”欄中輸入2，在”Columns“欄中輸入340（表示縱向通孔數為2，橫向通孔數目為340，橫向長度以覆蓋全部NMOS為準）。單擊“hide”，移動光標將P襯底與NMOS源極相連。

在NMOS兩側也添加P襯底作為隔離環。重復上述操作

14、將PMOS管的P襯底包括在N阱中

PMOS應該放置在N阱中，在LSW中選擇“NW”層，再按“r”鍵，繪制矩形將N襯底和P襯底均包括在N阱中，如同所示：

15、在反相器鏈路的外圍添加電源環和地環

最后還需要在反相器鏈路的外圍添加電源環和地環，這樣就容易與I/O單元進行相連，具體連接將在后面介紹，這里先進行電源環和地環設計。在LSW窗口中選擇一層金屬，按“r”鍵，繪制矩形（矩形寬度以電流密度為準，這里設置為5u寬帶）。之后將N襯底和P襯底分別與電源和地相連。

16、連線后對線路進行標志

對電路版圖完成連線后，需要對電路的I/O進行標注。光標在LSW窗口層中，單擊MI_TST/dG，然后在版圖設計區域單擊圖標或者按快捷鍵“l”，如圖所示。在相應的版圖層上單擊即可。

17、繼續對其他線路進行標志

繼續完成“gnd”“A”和”Z”的標志，全部標志完成后，按快捷鍵“F2”保存版圖。