相比于之前的標準化模塊封裝，近年來各具特色的模塊封裝類型都慢慢映入眼簾，就好比之前我們聊到的DCM、HPD和TPAK等等。并且其中細節部分也有著不一樣的改進，如DBB技術、Cu-Clip技術、激光焊接、SKiN、單/雙面水冷、銀燒結、銅燒結等等，無疑給模塊封裝技術增添了更多組合的可能，以應對不同的性價比和應用。

今天我們就來聊聊銅綁定，以一篇丹佛斯硅動力的一篇論文來看看這個工藝的特點。

DBB技術

AUTUMN IS COMING

相對于傳統的鋁綁定線工藝，銅綁定線需要對芯片表面進行要求更高的金屬化，而丹佛斯鍵合緩沖Danfoss Bond Buffer (DBB)技術就是為了銅綁定線進行的表面處理。

在模塊生產制造過程中，在芯片頂部額外地燒結一層銅層，防止芯片在超聲波焊接過程中開裂，提供了所需的機械粘接緩沖作用。芯片的頂部的銅層適合鍵合直徑可達500um的銅線，同時，芯片的底部被燒結到DBC上，銅綁定和燒結技術的結合顯著地提高可靠性以及功率密度。

DBB技術是為了減少CTE不匹配帶來的熱機械應力，除了在鍵合過程中吸收能量以及保護芯片，其還具有一定的熱學優勢。

DBB的主要工藝步驟如下，

芯片燒結到DBC和芯片表面的DBB可以使用同一臺燒結設備和工藝。下面是一個DBB技術模塊的局部示意圖，

上圖中，DBC襯底和DBB銅層都有一層NiAu表面，以達到更好的延展性。

DBB中的銅層形成了一個熱容量，對于模塊的Zth有著一定的影響，但不會增加其熱阻Rth。其大面積的銅層，以及銅層的厚度比普通的Al頂層要厚得多，導致了更好的電流擴散，提供了更為均勻的電流密度分布。

熱特性

利用有限元仿真工具，在相同條件下對比了三種情況下的熱參數，

緩沖層（70um）+銅綁定線（300um）

緩沖層（70um）+鋁綁定線（300um）

無緩沖層+鋁綁定線（300um）

熱阻抗曲線如下，

PaneA中，在1ms處單純Al線和緩沖層加Cu線熱阻抗相差0.01K/W主要是由于銅線具有較高的熱導率；PaneB中，純Al線和緩沖層加Al線熱阻差了約0.003K/W是由于緩沖層厚度較高引起的。

熱機械應力

為了評估Si芯片和DBB銅層之間的銀燒結層內的應力，采Suhir的軸對稱模型，計算出了層狀材料（頂層和底層）的彈性彎曲應力分布和連接層中的應力，即剪切應力。軸向對稱近似矩形，其半徑由邊長的一半或者對角線來定義，或者通過使用等面積的方法。Suhir表明，大面積的剪切應力只存在于一定的外圍區域，如下圖中的曲線“剪切DBB/Chip”所示，在一定橫向尺寸內保持不變。

同時也給出了一些相關參數對剪切力的關系。

不同DBB厚度下，DBB燒結層的剪切應力與厚度成正相關性。

不同芯片厚度下，DBB燒結層的剪切應力與厚度成正相關，相同面積下，SiC大于Si。

不同芯片厚度下，芯片到DBC的燒結層剪切應力。可以看出芯片越薄，燒結層中的應力越低。

不同DBB銅層厚度下，芯片到DBC的燒結層的剪切應力。可以看出，DBB越厚，芯片到DBC的燒結層剪切應力越小，但需要結合第一個柱狀圖，DBB越厚，DBB燒結層的剪切應力越大。這兩種需要進行相應的權衡。

TC和PC循環

TC測試在-40/+150℃，15/15min下進行，給到了開始前和750次循環后的SAM圖像，

可以看出，燒結層都沒有變化跡象，而DBC的銅層明顯有損傷，此時DBC的可靠性成了木桶效應的短板。

PC測試基于100A/1700V的IGBT進行，分別有DBB技術和傳統的鋁綁定線加焊接(ST)的樣品，測試條件如下，

可見采用DBB技術的功率循環能力得到了飛躍的提升。

小結

今天以DBB技術為基礎，大致聊了一下銅綁定線帶來的一些優勢，當然歸根結底還是為了更高的功率密度和可靠性。但功率半導體沒有一個過程是固定不變的，都是在反反復復的折中過程中尋找著屬于自己的最優解，DBB技術是一種，那相信其他家的銅綁定或者Cu-Clip都有屬于自己模塊的最優解。

審核編輯：劉清