電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))在近期的閃存峰會(huì)上,一家由英國(guó)蘭卡斯特大學(xué)孵化的初創(chuàng)公司Quinas Technology獲得了創(chuàng)新大獎(jiǎng)。他們展示了ULTRARAM,一個(gè)結(jié)合了DRAM高性能和閃存非易失性的新技術(shù),力求制造出同時(shí)替代閃存和DRAM的通用存儲(chǔ)。
ULTRARAM與閃存和DRAM的區(qū)別
閃存和DRAM作為已經(jīng)被行業(yè)使用了數(shù)十年的存儲(chǔ)形式,因?yàn)槠涮匦圆煌荒鼙环謩e用于特定場(chǎng)景中。以閃存為例,其具有非易失性、非破壞性讀出和高度擴(kuò)展性等特點(diǎn),但缺點(diǎn)在于需要高壓開(kāi)關(guān)電路,以及相對(duì)較慢的編程/擦除。
DRAM擁有極高的耐用性,操作快速,但其為易失性存儲(chǔ),需要持續(xù)的電源供應(yīng),加上破壞性讀出以及容量擴(kuò)展上始終存在困難。可以看出,無(wú)論是閃存和DRAM,都逃不開(kāi)能耗、性能、耐用性的二選一,所以這些年兩者始終處于一個(gè)共生的局面。
而ULTRARAM作為一個(gè)通用內(nèi)存,自然是要解決閃存和DRAM之間存在的這些矛盾。與這兩者在材料層面不同的是,ULTRARAM用的是III-V族化合物半導(dǎo)體,且主要是其中6.1 ? 家族的半導(dǎo)體,比如砷化銦、碲化鎵和碲化鋁。
ULTRARAM是一種基于電荷的存儲(chǔ)器,像NAND一樣使用浮柵結(jié)構(gòu),所以也能像其他閃存一樣,實(shí)現(xiàn)非破壞性讀出。但相較閃存和DRAM,ULTRARAM可以實(shí)現(xiàn)超長(zhǎng)時(shí)間的存儲(chǔ),這得益于其TBRT結(jié)構(gòu)。哪怕是在單bit級(jí)別也能存儲(chǔ)遠(yuǎn)大于十年的時(shí)間,ULTRARAM中的電荷可以存儲(chǔ)1000年而不會(huì)出現(xiàn)泄露。且ULTRARAM開(kāi)關(guān)能耗極低,開(kāi)關(guān)速度更是低于ns級(jí)。
離量產(chǎn)還有多久?
然而任何新的存儲(chǔ)形態(tài)在試圖挑戰(zhàn)閃存和DRAM之前,都必須解決制造和量產(chǎn)的問(wèn)題,因?yàn)檫@才是決定其能否商業(yè)化的關(guān)鍵之一。常見(jiàn)的阻礙有,在現(xiàn)有的固態(tài)制造設(shè)備之上,是否需要尚未投入使用的材料和工具,已經(jīng)對(duì)于大部分晶圓廠來(lái)說(shuō),是否需要額外的工序。
據(jù)了解Quinas Technology已經(jīng)宣布添置和購(gòu)買(mǎi)了相關(guān)設(shè)備,用于生產(chǎn)出20nm的ULTRARAM原型產(chǎn)品,并將繼續(xù)積極推動(dòng)該技術(shù)的商業(yè)化。在確定其性能達(dá)到宣傳指標(biāo),比如1000萬(wàn)次重寫(xiě)循環(huán)后,他們會(huì)嘗試開(kāi)始小規(guī)模市場(chǎng)并尋找感興趣的客戶(hù)。
與此同時(shí),英國(guó)創(chuàng)新機(jī)構(gòu)也獎(jiǎng)勵(lì)了Quinas Technology 30萬(wàn)英鎊,用于推動(dòng)這一技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。不過(guò)離真正的量產(chǎn)應(yīng)該還有一定的差距,其發(fā)明者及Quinas Technology CSO表示,這對(duì)于一家初創(chuàng)公司來(lái)說(shuō)自然是不小的投資,但量產(chǎn)ULTRARAM的過(guò)程并非短跑,而是一場(chǎng)馬拉松。
Quinas Technology雖然購(gòu)買(mǎi)了相關(guān)設(shè)備,但其僅用于原型的制造和驗(yàn)證,真正量產(chǎn)還是需要大型晶圓廠的支持。鑒于目前歐洲仍缺少大型的內(nèi)存制造工廠,據(jù)了解他們很可能選擇與臺(tái)積電合作,而不是與歐洲本地的IMEC等企業(yè)合作。
在最終產(chǎn)品上,Quinas Technology似乎打算先面向高端市場(chǎng),比如服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心級(jí)別的產(chǎn)品,畢竟消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)仍處于一個(gè)去庫(kù)存的階段,而高性能內(nèi)存恰恰是利潤(rùn)最高的。同時(shí)Quinas Technology透露,對(duì)UTRARAM感興趣的公司中包括Meta,后者對(duì)于ULTRARAM的節(jié)能特性尤其看好。
寫(xiě)在最后
和所有新的存儲(chǔ)技術(shù)一樣,大規(guī)模量產(chǎn)并控制成本才是最關(guān)鍵的挑戰(zhàn)。而對(duì)于ULTRARAM來(lái)說(shuō),該技術(shù)尚未到量產(chǎn)驗(yàn)證階段,還在性能與指標(biāo)的驗(yàn)證階段,如果原型產(chǎn)品和之后的小批量產(chǎn)品能夠與宣傳保持一致的話(huà),相信這一技術(shù)會(huì)獲得更多公司的青睞和投資。
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請(qǐng)介紹一下 CYPM1111。
CYPM1111 配備了 SROM。 這個(gè) SROM 是普通閃存嗎? 另外,請(qǐng)告訴我這個(gè) SROM 的作用。
數(shù)據(jù)表中只有以下文字,我無(wú)法完全理解。
\"提供包含啟動(dòng)和配置例程的監(jiān)控 ROM\"。
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首先來(lái)看DRAM內(nèi)存,TrendForce原本預(yù)測(cè)2024年第二季度的合約價(jià)會(huì)上漲3~8%,現(xiàn)在已調(diào)整為13~18%。至于NAND閃存,原預(yù)測(cè)漲幅為13~18%,現(xiàn)已調(diào)整至15~20%,其中eMMC/UFS的漲幅相對(duì)較小,為10%。
發(fā)表于 05-07 15:56
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關(guān)于各個(gè)細(xì)分領(lǐng)域,有觀點(diǎn)指出,PC DRAM買(mǎi)家將在第二季度加大DDR5的采購(gòu)量,由于存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)商正大規(guī)模轉(zhuǎn)向更高級(jí)別的制造工藝,其收益得到顯著改善。但是,機(jī)構(gòu)預(yù)期PC DRAM第二季度合約價(jià)環(huán)比漲幅為3%——8%,而其中DDR5的漲幅則將略有收縮。
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發(fā)表于 02-22 15:08
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; 沒(méi)有這樣的文件或目錄\"。
似乎串行閃存庫(kù)尚未設(shè)置。在庫(kù)管理器1.0下,而我使用的是庫(kù)管理器2.0,在管理器2.0下找不到串行閃存庫(kù)。
在此先謝謝。
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NRAM是一個(gè)近些年出現(xiàn)的新東西,它具備眾多優(yōu)點(diǎn):可以DRAM的速度提供非易失性,具有超越DRAM芯片的可擴(kuò)展性和對(duì)閃存的超強(qiáng)耐久性的潛力。
發(fā)表于 01-09 13:56
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評(píng)論