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共振頻率

在晶體諧振器的共振特性中，共振頻率是兩點阻抗變為電阻時的較低頻率點。

圖. 晶體諧振器共振特性

阻抗Z變為電阻元件時，兩點之間的頻率。在這兩點上，相為0。其中頻率較低的點稱為共振頻率。另外一個點稱為反共振頻率。

2

等效電路

下圖所示的是由電阻、電感和電容組成的晶體諧振器的共振特性。R1在等效電路中稱為等效串聯電阻，是晶體諧振器的重要特性。

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等效串聯電阻 (R1)

晶體諧振器等效電路串聯支路中的電阻。

4

負載電容 (Cs)

讓晶體諧振器具有負載共振頻率的電容。在實際振蕩電路中，連接晶體諧振器的實際電容是由外部負載電容、IC雜散和PCB等產生的。也可用下述公式進行計算:

5

負載共振頻率 (fL)

負載共振頻率是晶體諧振器中負載電容串聯的共振頻率，這一頻率比共振頻率高。由于實際值與晶體諧振器規范中額定值之間的電容差，所以實際和額定振蕩頻率間存在頻差。
也可用下述公式進行計算:

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拉敏性

上面的圖顯示了負載電容變化產生的負載共振頻率 (fL) 偏移。此圖中每個點的斜率就是拉敏性。參見下面的圖。在負載電容為6pF時，拉敏性是-17ppm/pF。(負載電容變化1pF時，頻移為17ppm)。也可用下述公式進行計算:

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導納圓

下圖是在導納平面坐標 (電導—電納) 上繪制的晶體諧振器共振特征。由于畫成了圓形，因此稱為導納圓。在頻率低于共振頻率時，導納靠近原點。在頻率增加時，導納按順時針方向畫圓。

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振蕩裕量

即振蕩停止的裕量，這也是振蕩電路中最重要的術語。振蕩裕量取決于組成振蕩電路的元件 (晶體諧振器、MCU、電容器以及電阻器) 。村田推薦維持5倍或更大的振蕩裕量。更詳細內容請關注本系列講座第二講。

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負阻 (-R)

負阻是用阻抗表示的振蕩電路信號放大能力。由于其作用與電阻相反，所以是負值。負阻較高值小說明振蕩電路的放大能力低。振蕩電路中的負阻取決于CMOS逆變器的特性、反饋電阻、阻尼電阻和外部負載電容。

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驅動功率

驅動功率是指振蕩電路中晶體諧振器的功耗。它不僅取決于晶體諧振器的等效串聯電阻，還取決于組成振蕩電路的元件 (MCU、電容和電阻) 。在驅動功率超額時，頻率—時間性能會出現不正常特性。在設計振蕩電路時，最好檢查一下驅動功率。

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C-MOS逆變器

C-MOS是互補MOS，組成了相互連接的p和n型MOSFET。在下圖中起到逆變器 (邏輯逆變電路NOT) 的作用。

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振蕩電路

在裝有C-MOS逆變器或晶體管的放大電路中，所謂的“振蕩電路”就是將輸出連接到輸入，以便持續放大反饋。只有通過晶體諧振器反饋才能選擇并放大共振頻率的信號。

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其它術語