東京電子正在以能夠給美國(guó)的競(jìng)爭(zhēng)公司panlin帶來(lái)數(shù)十億美元收益的劃時(shí)代的3d nand閃存通道蝕刻技術(shù)追擊。

以100%的市場(chǎng)占有率在該領(lǐng)域占據(jù)優(yōu)勢(shì)的泛林集團(tuán)在東京電子今年6月公布新技術(shù)時(shí)似乎沒(méi)有受到太大威脅。泛林集團(tuán)首席執(zhí)行官（ceo）Tim Archer就突破東京電子的影響表示：“考慮到我們所處的位置和出發(fā)點(diǎn)，有信心保持在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位和市場(chǎng)占有率。”

據(jù)悉，東京電子新技術(shù)的目標(biāo)是能夠長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開(kāi)發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲(chǔ)單元。3D nand的存儲(chǔ)器容量可以通過(guò)將存儲(chǔ)器單元層垂直堆積來(lái)增加，如果層數(shù)增加，就需要性能更高的裝置。

東京電子公司表示，該技術(shù)可以冷卻比現(xiàn)有技術(shù)快2.5倍的400多個(gè)洞，而且可以大幅減少對(duì)地球變暖的影響。

東京電子預(yù)測(cè)說(shuō)，nand通道工程市場(chǎng)將從2023年的5億美元擴(kuò)大到2027年的20億美元。如果范林不能制造出能夠與東京電子的突破相抗衡的產(chǎn)品，兩家公司的市場(chǎng)占有率有可能會(huì)發(fā)生逆轉(zhuǎn)。這將對(duì)東京電子的收益起到很大的促進(jìn)作用。截至2023年3月的會(huì)計(jì)年度，新蝕刻設(shè)備的總銷(xiāo)售額略低于5800億日元（約39億美元），約占總銷(xiāo)售額的四分之一。

三菱ufj摩根斯坦利證券分析師tetsuya wadaki預(yù)測(cè)說(shuō)：“到2023年，蝕刻設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)200億美元。泛林集團(tuán)將占據(jù)市場(chǎng)的一半左右，東京電子將以25%左右的占有率位居第二。”隨著新技術(shù)的引進(jìn)，東京電子公司將在未來(lái)幾年內(nèi)在所有的蝕本系統(tǒng)中超過(guò)泛林集團(tuán)。”