比亞迪半導體“半導體功率器件”相關專利獲授權
比亞迪半導體股份有限公司申請了“半導體功率器件的元胞結構及半導體功率器件”，申請公告日為10月17日，申請公告號為cn219842992u。
根據專利摘要，該實用新型公開了半導體電力配件的單元結構和半導體電力配件。上述細胞結構包括：第一導電類型的移動區域有相對設定的第一表面和第二表面。第二導電類型的第一混入區形成于漂流區的第一表面。第一導電型的源區是第二導電型的第一雜質區在遠離漂移區的表面形成。陰極金屬層在遠離發源地和漂移區的表面上形成。溝槽柵結構，溝槽柵結構自源區表面延伸到移動區。層間的介質層位于溝槽柵結構和陰極金屬層之間。陽極金屬層，陽極金屬層位于移動區域的第二個表面。另外，幾種第二道well區位于漂移區、溝槽柵結構的下方。
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