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Micro LED產業鏈多個環節在技術已取得重大進展

高工LED ? 來源:高工LED ? 2023-10-21 17:12 ? 次閱讀

Micro LED技術何時才能實現突破?

LED龍頭廠富采前董事長李秉杰認為,過去縮小Micro LED芯片就會遇到的發光亮度下降問題,目前在供應鏈齊心協力下持續獲得改善,有望在2024年有所突破。

此外,目前已看到虛擬實境(VR)、擴增實境(AR)等革命性創新技術,相信未來產業界能夠克服挑戰,發揮在Micro LED領域的潛力。

據高工LED觀察,今年9月份以來,Micro LED產業鏈多個環節在技術已取得重大進展,包括Micro LED芯片、Micro LED封裝、Micro LED設備以及Micro LED材料技術等。

01韓國KOPTI研發高效Micro LED

韓國媒體報道,韓國光子技術研究院(KOPTI)宣布成功研發出高效精細Micro LED,Micro LED內部量子效率均可保持90%的范圍內,并且不受芯片尺寸大小和不同的注入電流密度的影響。

這款產品解決了Micro LED因芯片尺寸縮小以及注入電流增加而導致的發光效率迅速下降的問題。KOPTI介紹,本次研究團隊通過新結構減輕了外延層中的應力,提高了發光效率,并抑制了Micro LED在任何外部電場或結構下的物理應力變化。因此,即使Micro LED尺寸減小,新結構可依舊顯著降低表面非發光復合損耗并保持了高發光效率,且無需采用鈍化工藝。

KOPTI表示,團隊已成功驗證高效精細Micro LED在藍光,以及氮化鎵綠光、紅光器件上的應用,未來有望通過該技術生產全彩氮化鎵Micro LED顯示器。

02臺工研院研發出二合一Micro LED顯示模塊快速檢測技術

近日,臺灣地區工研院鎖定色彩校正及光學檢測兩項核心要點,成功研發出高準確性二合一的“Micro LED顯示模塊快速檢測技術”,能同時檢測色彩及光源角度。

因為Micro LED尺寸很小,傳統顯示器量測設備鏡頭的相機像素無法滿足檢測需求,臺灣地區工研院研發團隊利用“重復曝光色彩校正技術”,以重復曝光方式達到Micro LED面板色彩的平衡,并通過光學校正技術分析色彩均勻度,達到準確量測目的。

再來,Micro LED因材料本身特性,具有較廣的色域范圍以及自發光特性,進而達到高對比及廣視角,傳統量測須靠轉動儀器收集不同角度光源再進行檢測,臺灣地區工研院研發團隊在既有的光學量測機臺上,安裝多角度收光鏡頭,通過一次集結不同角度的光源,再利用獨創的軟件分析技術,使光源同時呈現在同一個界面上,達到定點量測,大幅減少50%檢測時間之外,更成功突破傳統100度光源角度檢測,擴大至約120度。

Micro LED其微型、低功耗及高亮度特性,可將傳感器整合入同一模塊,對于未來汽車內部,可提供互動智慧座艙特性,帶動高沈浸的智慧化體驗。

03瑞利光研發可獨立調色雙層Micro LED陣列

10月13日消息,由香港城市大學何志浩(Jr-Hau HE)教授及其衍生公司瑞利光(Rayleigh Vision)領導的微顯示研究團隊在Micro LED技術方面取得了重大進展,克服了當前的Micro LED技術局限性。

該團隊展示了其疊層發光單元制造技術,新推出了雙層Micro LED陣列,每層均可進行獨立調色。據悉,該團隊的Micro LED疊層工藝已獲得初步驗證,未來有望研發出RGB全彩Micro LED產品。

瑞利光表示,這項Micro LED技術的進步,預計將使當前平面顯示器件的像素密度增加一倍及以上。顯示器件具有高對比度、高亮度、寬色域、高效率、低功耗、長壽命等特點,適用于娛樂、消費電子和專業行業的廣泛應用。

04JBD紅光Micro LED亮度突破100萬尼特

近日,Micro LED微顯示器制造商JBD宣布,其自主研發的0.13英寸Micro LED紅光芯片亮度突破100萬尼特大關。

據介紹,本次紅光實現100萬nits亮度,得益于JBD在多項技術上的重大突破,包括在材料生長技術、非輻射復合抑制技術及光束發散角控制等方面。

新一代超薄AlGaInP外延技術和與之匹配的芯片鈍化技術是紅光Micro LED亮度提升的關鍵。據悉,JBD紅光的像素尺寸為4um,而發光的LED尺寸<2um,這也對發光效率提出了更為苛刻的要求。

在此之前,JBD正式發布單片全彩垂直堆疊Micro LED微顯示屏Phoenix(鳳凰)系列原型。該系列產品設計用于50°以上FOV光波導方案的AR眼鏡。

05Avicena推出Micro LED基收發器IC

近日,美國Micro LED基芯片到芯片光學互連技術開發商Avicena,展示了全球首款采用16nm FinFET CMOS工藝打造的Micro LED基收發器IC,帶寬達到1Tbps。

該公司表示,與當前基于VCSEL或硅光子的解決方案相比,其基于Micro LED打造的LightBundle通信架構技術,可提供更低的功耗和延遲、更高的帶寬和更低的成本。

據了解,本次Avicena通過全新16 nm FinFET工藝打造的IC,擁有超過300個通道,每個通過提供4Gbps帶寬,超過1Tbps的雙向總帶寬。此外,IC尺寸小于12mm2,包含了光學發送和接收陣列電路,以及高速并行電氣接口和各種測試設計、可制造性分析(DFT/DFM)功能。

06ETRI開發高效Micro LED封裝技術

9月24日,韓國電子和電信研究所(ETRI)宣布,開發出一種新型芯片封裝技術,可將半導體生產功耗降低95%,新技術使半導體產品生產效率更高且成本更低。

這種新技術采用了一種名為非導電薄膜(NCF)的新型薄膜材料,由ETRI通過其自研的納米材料技術開發。新技術的應用,將半導體小型芯片封裝工藝從復雜的九步工序,簡化為三個簡單步驟。

該技術可適用于包括Micro LED在內的所有高端半導體產品生產。該研究團隊透露,已有幾家Micro LED開發商參與評估該新技術,并且取得了非常積極的初步測試成果,該新材料有望在三年內實現商業化應用。

07國星實現7.5微米像素間距的微顯示屏點亮

國星光電在投資者交流活動中表示,目前公司技術已經可實現7.5微米像素間距的微顯示屏點亮,具有分辨率優、功耗更低等特點,可應用于智能手機、微投和AR/VR設備等多種產品中。

此外,在ALE 2023展會上,國星光電還重磅展出萬級像素數字化大燈Micro LED光源。

據國星光電介紹,這款Micro LED光源采用了共晶鍵合技術,將微米級Micro LED藍光芯片陣列整合集成到CMOS控制電路上,實現了Micro LED陣列中單個像素獨立控制。光源通過搭配高光效白光轉換介質,可實現萬級像素高品質圖像顯示。

08諾視Micro LED像素垂直堆疊取得重大進展

9月12日,Micro LED微顯示芯片公司諾視科技宣布近日成功打通垂直堆疊(VSP)工藝流程,實現AlGaInP和GaN材料體系的單片集成。

據介紹,該技術采用晶圓級堆疊(WLVSP)技術方案,在完成AlGaInP紅光微顯示芯片制備后,繼續堆疊InGaN晶圓材料,可實現單個驅動背板上的像素垂直堆疊。

諾視科技表示,這是公司在點亮0.39英寸以及其全球最小的0.12英寸紅、綠、藍三原色微顯示芯片后,在VSP技術上的又一突破,在完成全波段布局后,向單片全彩Micro LED微顯示芯片更進一步。

09K&S展出雷射Mini/Micro LED芯片轉移系統

今年9月,全球打線封裝機臺龍頭庫力索法(K&S)于SEMICON Taiwan 2023首度展示LUMINEX雷射Mini/Micro LED芯片轉移系統。

作為雷射Mini/Micro LED芯片轉移解決方案,LUMINEX專為小芯片、高精度、高產能芯片轉移設計,可通過多種操作模式進行,在掃瞄模式下,速度達到1萬赫茲。

此外,LUMINEX也可以應用到Micro LED制程,目前已在40μmx80μm芯片的直接貼裝制程上達到4μm 3σ精度,同時也適用Micro LED封裝(MIP)應用。

K&S先前還宣布與LCD SMT解決方案提供商TSMT(臺灣地區表面黏著科技股份有限公司)合作,推進MiniLED背光和直顯應用。

10季華實驗室展示Micro LED巨量檢測系統

9月6日,在第二十四屆光博會上,季華實驗室展示了"Micro LED晶圓級光致發光巨量檢測系統"。

據介紹,"Micro LED晶圓級光致發光巨量檢測系統"相關技術能夠實現無損、非接觸式、高穩定性、快速巨量檢測,是晶圓級檢測設備的核心單元。

11利亞德Micro LED電影屏通過DCI認證

近日,利亞德P0.9間距Micro LED電影屏(長3.8米,高2米)正式通過DCI權威認證,成為全球首塊影院級Micro LED產品。

據悉,利亞德通過DCI認證的Micro LED電影屏,采用Micro LED全倒裝晶片及封裝技術,色準、對比度、畫面均勻度等光學參數均符合電影工業級要求;一體化集成影院播放系統,支持數字影院標準格式DCP;100000小時壽命,采用無機自發光原理。

此外,該Micro LED電影屏采用拼接箱體,模塊化運輸安裝,便捷易用,適用私宅影音室、客廳,商業影院VIP廳等各種場景。

12晶能首發硅襯底InGaN基三基色外延

近日,晶能光電發布12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍全系列三基色Micro LED外延技術成果。

據晶能光電副總裁付羿博士介紹,大尺寸硅襯底Micro LED外延生長對GaN晶體質量、外延翹曲、外量子效率、光電一致性和InGaN紅光MQW等關鍵技術開發帶來了更嚴苛的挑戰。

此次12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍三基色Micro LED產業化外延技術的發布,表明晶能光電利用其硅襯底GaN基LED技術不斷的創新迭代能力,已經初步攻克上述關鍵技術挑戰,為后續技術和工藝的優化和完善鋪平了道路。

總體來說,Micro LED在各方面遭遇的挑戰,匯集起來就是個綜合性、循環性的問題,但目前供應鏈已持續解決當中,未來隨著技術的日益成熟,將為產業帶來更多的機會。

審核編輯:湯梓紅

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原文標題:Micro LED技術難破?國星、利亞德、晶能等放“大招”

文章出處:【微信號:weixin-gg-led,微信公眾號:高工LED】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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