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三極管基極/集電極電阻的選擇方法

CHANBAEK ? 來(lái)源: 硬件工程師技術(shù)干貨 ? 作者: 硬件工程師技術(shù)干 ? 2023-10-23 16:44 ? 次閱讀

基極/集電極電阻選擇痛點(diǎn)

我們?cè)谑褂萌龢O管作為開關(guān)使用時(shí),都要在基極加一個(gè)限流電阻,和MOS管不同,這個(gè)電阻是必須存在的,起限流作用,否則有燒壞三極管或者單片機(jī)管腳的風(fēng)險(xiǎn)。那么這個(gè)電阻如何選擇呢?這個(gè)電阻阻值可選的范圍很寬泛,就好像隨便選也能正常工作,實(shí)際上真是如此嗎?集電極電阻也有同樣的問題,如下圖所示:

圖片

基極/集電極電阻選擇方法

集電極電阻選擇

使用三極管做開關(guān)使用,要么飽和導(dǎo)通,要么截止,我們期望飽和導(dǎo)通時(shí)集電極電流不能超過(guò)最大值限制,這個(gè)很容易達(dá)到,因?yàn)楝F(xiàn)在的三極管飽和電流都能承受幾百mA,比如MMBT3904最大集電極電流為200mA。另外,從節(jié)約能源的角度,我們期望Ic盡量的小,根據(jù)經(jīng)驗(yàn)很容易就能選出R6,假設(shè)R6=10k,以上電路飽和導(dǎo)通時(shí)Ic=0.33mA,可以說(shuō)非常小了。可以根據(jù)自己需要選擇R6。

基極電阻選擇

重點(diǎn)來(lái)了,這個(gè)基極電阻就稍微麻煩了,我們慢慢來(lái)分析,三極管截止就不用講了,直接低電平就好。來(lái)看飽和狀態(tài),假定R6=10k,且三極管飽和,這時(shí)Ic=0.33mA,那么就要求Ib足夠大,大到能夠使Ic達(dá)到0.33mA,使三極管進(jìn)入飽和狀態(tài)。

我們都知道在三極管放大區(qū)Ib=βIc,但是飽和區(qū)就不符合此公式了,不過(guò)我們可以假設(shè)三極管即將進(jìn)入飽和(或者說(shuō)在臨界飽和),在這個(gè)工作點(diǎn)來(lái)分析,就可以應(yīng)用此公式了,誤差不是很大,但是參數(shù)β不知道,去哪里獲取呢?當(dāng)然是三極管的datasheet,我們以MMBT3904為例子,手冊(cè)截圖如下:

圖片

手冊(cè)中給的hFE(β)數(shù)值竟然變化如此之大,是不是很奇葩,其實(shí)這也是三極管的特性之一。隨著集電極電流Ic增大,hFE先增大后減小。手冊(cè)里還有一個(gè)hFE曲線圖,仔細(xì)一看曲線怎么和表格對(duì)不上哇?原來(lái)表格中是hFE最小值,曲線中是hFE典型值,真是“挺亂的”。

圖片

在這里我們不能使用曲線的典型值計(jì)算,我們要使用最小值計(jì)算,因?yàn)橐慌鰪S的同型號(hào)三極管hFE分散的厲害,要覆蓋到所有三極管,Ic=0.33mA,必須使用最小值計(jì)算,可以根據(jù)表格里的數(shù)值(0.1mA

圖片

以上計(jì)算過(guò)程得出基極電阻220k,也可以使用更小的電阻,電阻越小基極電流越大,三極管越飽和。另外,hFE隨溫度變化也挺劇烈,也可以根據(jù)自己需求適當(dāng)考慮溫度參數(shù)

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