近日，“第四屆海峽兩岸氧化鎵及其相關材料與器件研討會”在濟南召開。大會技術委員會委員北京鎵和半導體有限公司創始人、董事長、南京郵電大學唐為華教授率領鎵和半導體核心團隊亮相會場。唐為華教授做題為《氧化鎵光電器件研究進展》分會邀請報告、主持大會特邀報告、并作為特邀嘉賓參加“兩岸學人共話鎵業嘉賓論壇”。

作為論壇嘉賓，唐為華教授基于自身多年在氧化鎵材料和相關器件研究及產業化實踐經驗和理性思考，著重圍繞氧化鎵材料、氧化鎵功率器件、氧化鎵光電器件等主題進行了廣泛交流和深度探討，同時就業內專家學者以及投資人等共同關注的專題，包括氧化鎵襯底與外延、氧化鎵器件及應用、氧化鎵產業化等領域所涉痛點、難點等進行了坦誠互動和深入對話。深度剖析與解讀目前氧化鎵研究及產業發展的現狀及未來方向。

在鎵和半導體展臺上，現場全面陳列出氧化鎵系列的2英寸（100）（001）（-201）三種晶面單晶襯底，UID和摻Sn，以及4英寸100面單晶襯底等樣品實物，形成體系化格局，供參會人員參觀和體驗，展臺前匯聚大批會議代表咨詢交流以及尋求合作，展示了鎵和半導體氧化鎵產品的領先優勢。公司及其產品受到廣大專家學者和各相關產業鏈從業人士的高度關注。

在開幕式招待晚宴上，鎵和半導體總經理助理吳岳先生正式宣布：北京鎵和在國內首次發布4英寸（100）面氧化鎵單晶襯底參數，并實現小批量生產；同時宣布該公司已經完全具備提供“多規格氧化鎵單晶產品；多規格氧化鎵外延產品；多用途氧化鎵專用設備；定制化樣品及技術服務”能力。這是國內氧化鎵產業里程碑式的重大進展！

鎵和半導體總經理助理吳岳先生正式發布4英寸（100）面氧化鎵單晶襯底參數，并實現小批量生產

鎵和半導體已經完全具備提供“多規格氧化鎵單晶產品

鎵和半導體4英寸氧化鎵（100）襯底規格參數

北京鎵和半導體有限公司是專業從事氧化鎵材料、相關器件的研發及其應用的高科技企業。研發生產高質量單晶襯底和外延晶片、單晶及外延設備、高靈敏日盲紫外探測器件、高壓高溫高頻率大功率電力電子器件等氧化鎵系列高科技產品。公司擁有氧化鎵單晶襯底、外延，器件、以及專用裝備等方面的核心技術，在第四代半導體領域具有獨創性、引領性和影響力，屬國內第四代半導體產業的引領企業，是中關村高新科技企業。

該公司團隊立志“四代創芯，鎵和先行”，秉承“突破封鎖，獨立自主，踔厲奮發，篤行不怠，干在實處，走在前列”信念，意圖在技術突破、產品開發、產能擴充、人才引進、應用布局等關鍵環節上謀篇布局厚積薄發，為大尺寸氧化鎵襯底及外延國產化提速升級，為我國第四代半導體材料產業鏈的自主可控和全面發展做出應有貢獻。

“一代材料、一代技術、一代產業”，“四代創芯，鎵和先行”。鎵和半導體團隊將圍繞本次大會主題“修身 齊鎵 創未來”，以促進第四代超寬禁帶氧化鎵半導體產業發展為己任，堅持“戰略性、緊迫性、獨特性、開創性、引領性”的產業化推進思路，獨立自主突破封鎖，敢于創新勇立潮頭，為第四代半導體未來穩健發展的產業鏈成長和生態圈豐富做出積極探索和應有貢獻。

IFWS&SSLCHINA：第三代半導體產業發展風向標

當前第三代半導體繼往開來進入新的發展階段，人工智能、數字信息時代將為產業發展帶來動態且多樣復雜的機遇和挑戰。新科技時代背景下，第三代半導體將迎來更廣闊的發展前景，國內外第三代半導體產業發展勢頭正盛。第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門國際會議中心召開。

審核編輯：劉清