晶圓術語

1.芯片（chip、die）、器件（device）、電路（circuit）、微芯片（microchip）或條碼（bar）：所有這些名詞指的是在晶圓表面占大部分面積的微芯片圖形；

2. 劃片線（scribe line、saw line）或街區（street、avenue）：這些區域是在晶圓上用來分隔不同芯片之間的間隔區。劃片線通常是空白的，但有些公司在間隔區內放置對準標記，或測試的結構；
3. 工程實驗片（engineering die）和測試芯片（test die）：這些芯片與正式芯片或電路芯片不同。它包括特殊的器件和電路模塊用于晶圓生產工藝的電性測試；
4. 邊緣芯片（edge die）：在晶圓邊上的一些掩膜殘缺不全的芯片而產生的面積損耗。由于單個芯片尺寸增大而造成的更多邊緣浪費會由采用更大直徑晶圓所彌補。推動半導體工業向更大直徑晶圓發展的動力之一就是為了減少邊緣芯片所占的面積；
5. 晶圓的晶面（wafer crystal plane）：圖中的剖面標示了器件下面的晶格構造，此圖中顯示的器件邊緣與晶格構造的方向是確定的；
6. 晶圓定位邊（wafer flats）/凹槽（notche）：圖示的晶圓由注定位邊（major flat）和副定位邊（minorflat），表示這是一個P型《100》晶向的晶圓。300mm和450mm直徑的晶圓都是用凹槽作為晶格導向的標識。這些定位邊和凹槽在一些晶圓生產工藝中還輔助晶圓的套準。

芯片ECO流程

ECO 指的是Engineering Change Order，即工程變更指令。ECO可以發生在Tapeout之前，過程中，或者之后；Tapeout之后的ECO，改動少的可能僅需要改幾層Metal layer，改動大可能需要動十幾層Metal layer，甚至重新流片。ECO 的實現流程如下圖所示：

如果MPW或者FullMask的芯片，驗證有功能或者性能缺陷，通過ECO對電路和標準單元布局進行小范圍調整，保持原設計布局布線結果基本不變的前提下做小規模優化，修復芯片的剩余違例，最終達到芯片的簽核標準。不能通過后端布局布線的流程來修復違例（重新走一遍流程太費時了），而要通過ECO的流程來進行時序、DRC、DRV以及功耗等優化。