長(zhǎng)江存儲(chǔ)與美光芯片戰(zhàn)升級(jí)。3D NAND閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)，已于9日在美國(guó)加州北區(qū)地方法院對(duì)美國(guó)記憶芯片龍頭美光科技提告，指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)8項(xiàng)與3D NAND相關(guān)的美國(guó)專利。

據(jù)報(bào)道，本次涉案的長(zhǎng)江存儲(chǔ)的美國(guó)專利，包括US10,950,623（3D NAND內(nèi)存件及其形成方法）、US11,501,822（非易失性存儲(chǔ)裝置及控制方法）、US10,658,378（三維內(nèi)存件的直通陣列接觸 （TAC））、US10,937,806 （三D內(nèi)存件的直通陣列接觸 （TAC））、US10,861,872（三D內(nèi)存件及其形成方法）、US11,468,957（NAND內(nèi)存操作的體系結(jié)構(gòu)和方法）、US11,600,342（三D維閃存的讀取方法）、US10,868,031（多層堆疊三D內(nèi)存件及其制造方法）。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在提告書(shū)中稱，美光的128層、176層等許多系列3D NAND侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)8項(xiàng)專利。 美光在未經(jīng)授權(quán)的情況下利用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利技術(shù)來(lái)與長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)，保護(hù)市場(chǎng)占有率，侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的利益，遏制了創(chuàng)新的動(dòng)力。

近年來(lái)，隨著3D NAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高，周邊CMOS電路所占據(jù)的芯片面積或?qū)⑦_(dá)到50%以上。 為了解決這一問(wèn)題，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在2018年推出了自研的創(chuàng)新的Xtacking技術(shù)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科成立于2016年7月，總部位于湖北武漢， 是一家專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，同時(shí)也提供完整的存儲(chǔ)器解決方案。

網(wǎng)信辦于今年5月21日公布，美光在大陸銷售的產(chǎn)品，存有嚴(yán)重的網(wǎng)絡(luò)安全問(wèn)題，未通過(guò)審查，因此大陸營(yíng)運(yùn)商應(yīng)停止采購(gòu)美光的產(chǎn)品，代表美光產(chǎn)品在大陸將面臨禁售危機(jī)。

英國(guó)金融時(shí)報(bào)報(bào)道，美國(guó)于2022年10月對(duì)先進(jìn)芯片生產(chǎn)設(shè)備實(shí)施出口限制措施，并將長(zhǎng)江存儲(chǔ)等36家陸企列入貿(mào)易黑名單。

調(diào)查發(fā)現(xiàn)，美光多年來(lái)一直扮演「商業(yè)抓耙子」角色，早年美日半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)之際，美光曾控拆日本多家企業(yè)傾銷DRAM產(chǎn)品，加上近4年美光提交逾170個(gè)游說(shuō)內(nèi)容都與大陸有關(guān)，基于前述兩理由，合理質(zhì)疑美光這次圍殺陸記憶體芯片產(chǎn)業(yè)，美光可能是幕后推手。
審核編輯：湯梓紅