ROHM Semiconductor宣布推出新型BD2311NVX-LB柵極驅動器IC。該器件可實現納秒 (ns) 級的柵極驅動速度，因此非常適合高速 GaN 功率器件開關。

通過對氮化鎵技術的全面了解和對提高柵極驅動器性能的持續努力，這種優化成為可能。憑借 1.25ns 的最小柵極輸入脈沖寬度，其結果是快速開關能力有助于開發更緊湊、更節能和更高性能的應用。

近年來，隨著物聯網 (IoT) 設備數量的不斷增加，提高電源轉換效率和減少服務器系統中的電源單元數量已成為關鍵考慮因素。這就需要功率器件行業進一步發展。同時，為了進一步提高識別精度，不僅用于自動駕駛，還用于監控工業設備和社會基礎設施的LiDAR，需要高速脈沖激光。

鑒于這些應用需要使用快速開關器件，ROHM在引入GaN器件的同時，設計了一種超高速柵極驅動器集成電路(IC)，以優化GaN的性能。今后，ROHM將繼續推出更小型的WLCSP產品，以進一步實現小型化。

由于氮化鎵器件對柵極輸入過電壓的敏感性，ROHM設計并集成了一種新技術，以減輕柵極電壓過沖到該驅動器中。通過根據應用需求操縱柵極電阻，可以選擇最合適的氮化鎵器件。ROHM還提供一系列帶有EcoGaN綽號的GaN器件，當與優化其性能的柵極驅動器IC結合使用時，通過電源解決方案為更可持續的社會做出貢獻。當與ROHM的EcoGaN產品結合使用時，柵極驅動器BD2311NVX-LB獨特的柵極過壓抑制功能進一步簡化了設計，提高了應用的可靠性。

審核編輯：彭菁