11月8日，在TrendForce集邦咨詢以及旗下全球半導(dǎo)體觀察主辦的“MTS2024存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)研討會(huì)”上，來(lái)自西部數(shù)據(jù)的產(chǎn)品營(yíng)銷總監(jiān)張丹分享了《重拾市場(chǎng)信心，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)邁向良性增長(zhǎng)》的演講。

NAND Flash即將走出拐點(diǎn)，2024年有望進(jìn)入新一輪增長(zhǎng)

西部數(shù)據(jù)的產(chǎn)品營(yíng)銷總監(jiān)張丹女士表示：“存儲(chǔ)行業(yè)是具有較強(qiáng)周期性和宏觀性的行業(yè)，它在不斷地循環(huán)。存儲(chǔ)行業(yè)的良性循環(huán)周期從新技術(shù)開(kāi)始，到成本產(chǎn)能、價(jià)格、新市場(chǎng)、投資，最終再次回到新技術(shù)。2023年之后，NAND Flash即將渡過(guò)低谷期，步入復(fù)蘇增長(zhǎng)階段，有望在明年進(jìn)入新一輪的增長(zhǎng)。”

IDC報(bào)告顯示，大數(shù)據(jù)時(shí)代加速到來(lái)，2023年正在增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)量將達(dá)到123ZB，其中將催生8ZB的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求，只占據(jù)6.5%的份額。“NAND Flash目前只占比較小部分，可以想象已經(jīng)被存儲(chǔ)下來(lái)的8ZB數(shù)據(jù)的體量有多么宏大，只要持續(xù)在存儲(chǔ)行業(yè)進(jìn)行優(yōu)化和創(chuàng)新，廣闊天地大有作為。” 張丹分析說(shuō)。

兩大需求驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)量增長(zhǎng)。張丹指出，隨著大量的AI技術(shù)成熟，尤其是今年生成式AI技術(shù)的賦能，預(yù)計(jì)在未來(lái)的2-3年生成式AI會(huì)進(jìn)入很多行業(yè)進(jìn)行試用，數(shù)據(jù)生成數(shù)據(jù)本身也會(huì)加速數(shù)據(jù)的增長(zhǎng)。此外，在細(xì)分領(lǐng)域下，我們發(fā)現(xiàn)以邊云一體的場(chǎng)景下數(shù)據(jù)增長(zhǎng)速度要快于終端數(shù)據(jù)增長(zhǎng)的速度。

大量的數(shù)據(jù)增長(zhǎng)需要大量的存儲(chǔ)讓數(shù)據(jù)落地。根據(jù)Gartner報(bào)告顯示，預(yù)計(jì)在2024年-2025年之間，F(xiàn)lash存儲(chǔ)行業(yè)會(huì)達(dá)到1ZB 的水平。市場(chǎng)仍然會(huì)持續(xù)增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到2026年會(huì)增長(zhǎng)到一個(gè)接近甚至超過(guò)1.5ZB的水平。

進(jìn)入大數(shù)據(jù)時(shí)代，3D NAND演進(jìn)邏輯助力產(chǎn)品優(yōu)化

近日，Trendforce報(bào)告指出，由于持續(xù)的晶圓短缺，NAND閃存的價(jià)格一直在上漲。隨著下游智能手機(jī)、消費(fèi)電子應(yīng)用的回暖，2024年存儲(chǔ)市場(chǎng)將會(huì)有一波新的增長(zhǎng)。在存儲(chǔ)市場(chǎng)走向良好趨勢(shì)的同時(shí)，技術(shù)創(chuàng)新尤為重要。

張丹表示：“過(guò)去的二十年間，F(xiàn)lash行業(yè)是從PB到EB的增長(zhǎng)，千倍甚至萬(wàn)倍的增長(zhǎng)，這個(gè)過(guò)程中產(chǎn)生了大量的消費(fèi)級(jí)和企業(yè)級(jí)的應(yīng)用場(chǎng)景，由此促進(jìn)了NAND Flash行業(yè)的爬坡和需求。在未來(lái)兩到三年間，我們堅(jiān)信會(huì)迅速地邁入到ZB時(shí)代，尤其是以邊云為核心的應(yīng)用和場(chǎng)景。”

張丹女士對(duì)未來(lái)FLASH技術(shù)的演進(jìn)方向進(jìn)行了解說(shuō)，3D NAND將從邏輯擴(kuò)容、垂直擴(kuò)容、水平擴(kuò)容、結(jié)構(gòu)優(yōu)化四象限全方位創(chuàng)新，企業(yè)不能在單一維度去進(jìn)行工藝的變更或者工藝的演進(jìn)，需要通盤(pán)考慮四個(gè)點(diǎn)，以垂直擴(kuò)容和水平擴(kuò)容為核心，充分解決垂直和水平擴(kuò)容的平衡問(wèn)題，才能為行業(yè)帶來(lái)最優(yōu)性價(jià)比產(chǎn)品。

憑借著對(duì)市場(chǎng)的洞察和對(duì)客戶需求的理解，結(jié)合先進(jìn)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，西部數(shù)據(jù)公司提供了從云數(shù)據(jù)中心、汽車、到IoT等領(lǐng)域豐富的產(chǎn)品組合。其中，于今年推出的西部數(shù)據(jù)Ultrastar DC SN655 NVMe SSD是一款高性價(jià)比的雙端口、大容量PCIe Gen 4.0 NVMe SSD，專為需要高性能、大容量的企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)客戶設(shè)計(jì)，適用于如分解存儲(chǔ)、對(duì)象存儲(chǔ)、存儲(chǔ)服務(wù)器和其他任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用程序和工作負(fù)載。

西部數(shù)據(jù)Ultrastar DC SN655 NVMe SSD

Ultrastar DC SN655是一款垂直集成的SSD，提供了簡(jiǎn)單且可擴(kuò)展的單端口或雙端口路徑，確保滿足企業(yè)高可用性要求下的持續(xù)數(shù)據(jù)訪問(wèn)。容量從3.84TB擴(kuò)展到15.36TB，可滿足存儲(chǔ)和混合工作負(fù)載計(jì)算應(yīng)用的要求，并將SSD的可靠性提高到250萬(wàn)小時(shí)的平均故障間隔時(shí)間（預(yù)計(jì)）。此外，SN655還為大型非結(jié)構(gòu)化工作負(fù)載提供了超過(guò)100萬(wàn)的最大隨機(jī)讀取IOPs和更高的服務(wù)質(zhì)量 (Qos) 。SN655采用嵌入式U.3 15mm外形尺寸，并向下兼容U.2。SN655還提供了更多企業(yè)級(jí)功能，如電源故障保護(hù)和端到端數(shù)據(jù)路徑保護(hù)，以確保在必要時(shí)的數(shù)據(jù)可用性。

西部數(shù)據(jù)展示最新第八代218層的NAND Flash

張丹表示，西部數(shù)據(jù)今年發(fā)布的最新第八代3D NAND產(chǎn)品，能夠達(dá)到218層數(shù)，這個(gè)是水平擴(kuò)容和垂直擴(kuò)容結(jié)合的結(jié)果。西部數(shù)據(jù)可以在218層數(shù)上達(dá)到相對(duì)優(yōu)化的單位比特容量。值得注意的是，西部數(shù)據(jù)在這款新品里第一次引入了CBA技術(shù)，相當(dāng)于存儲(chǔ)單元和周邊電路是分開(kāi)生產(chǎn)的，然后再進(jìn)行晶圓對(duì)晶圓的鍵合。

CBA技術(shù)的引入為存儲(chǔ)產(chǎn)品帶來(lái)兩大優(yōu)勢(shì)：一、CMOS和周邊邏輯電路是兩片晶圓，邏輯電路的部分可以單獨(dú)生產(chǎn)，不一定要經(jīng)受存儲(chǔ)電路需要的高溫的工藝制程，發(fā)展方向更可控，更可優(yōu)化。二，它們可以分別采用各自的技術(shù)路線進(jìn)行發(fā)展，帶來(lái)更高的存儲(chǔ)單元的容量，也可以帶來(lái)更好的I/O性能表現(xiàn)。

據(jù)悉，218 層 3D 閃存技術(shù)將位密度提高了約50%，其NAND I/O速度超過(guò) 3.2Gb/s，比上一代產(chǎn)品提高了約 60%，同時(shí)寫(xiě)入性能和讀取延遲方面改善了約 20%，為用戶提供更高的性能和可用性。

在演講的最后，張丹女士總結(jié)了重塑良性增長(zhǎng)周期的路徑，公司將做好市場(chǎng)需求和技術(shù)演進(jìn)之間的平衡，多維度發(fā)展擴(kuò)容技術(shù)，從而支撐數(shù)據(jù)價(jià)值，強(qiáng)化良性循環(huán)。此外，她還透露，未來(lái)西部數(shù)據(jù)將利用其BiCS 8開(kāi)拓NAND Flash的新時(shí)代。

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