閑暇之余，還是回顧了一下。場(chǎng)效應(yīng)管，接下來(lái)重點(diǎn)討論一下場(chǎng)效應(yīng)管中的MOS管。

場(chǎng)效應(yīng)管FET（Field Effect Transistor），是利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，分為結(jié)型（JFET）和絕緣柵型（MOSFET簡(jiǎn)稱(chēng)MOS）。

一、MOS管的分類(lèi)

mos管是一種具有絕緣柵的FET，其中電壓決定了器件的電導(dǎo)率。發(fā)明mos管是為了克服 FET 中存在的缺點(diǎn)，如高漏極電阻、中等輸入阻抗和較慢的操作。所以mos管可以稱(chēng)為FET的高級(jí)形式。

mos管常用于切換或放大信號(hào)。隨著施加的電壓量改變電導(dǎo)率的能力可用于放大或切換電子信號(hào)。

mos管是迄今為止數(shù)字電路中最常見(jiàn)的晶體管，因?yàn)閮?nèi)存芯片或微處理器中可能包含數(shù)十萬(wàn)或數(shù)百萬(wàn)個(gè)晶體管。由于它們可以由 p 型或 n 型半導(dǎo)體制成，互補(bǔ)的 MOS 晶體管對(duì)可用于以CMOS邏輯的形式制造具有非常低功耗的開(kāi)關(guān)電路。

MOSFET的輸入電阻很高，高達(dá)10^9Ω以上，從導(dǎo)電溝道來(lái)分，可以分為N溝道和P溝道兩種，無(wú)論是N溝道還是P溝道，又可以分為增強(qiáng)型和耗盡型。

?二、增強(qiáng)型和耗盡型MOS管

增強(qiáng)型MOS管介紹

?以P型半導(dǎo)體為襯底，在一個(gè) 低摻雜容度 的 P 型半導(dǎo)體上，通過(guò)擴(kuò)散技術(shù)做出來(lái)2塊 高摻雜容度 的 N 型半導(dǎo)體，引出去分別作為 源級(jí)（d） 和 漏極（d） 。
P型襯底在 MOS管內(nèi)部是和 源級(jí)（S）相連。
在P型襯底和兩個(gè)N型半導(dǎo)體 之間加一層 二氧化硅（SiO?）絕緣膜，其上層制作一層金屬鋁或者多晶硅引出引腳組成 柵極（g） 。

從上我們也不難理解MOS管的名稱(chēng)由來(lái)，金屬 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半導(dǎo)體 (Semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

工作原理

溝道的形成：在給柵源兩端施加電壓時(shí)，前面說(shuō)過(guò)了源和襯底相連，即給柵極和襯底施加電壓Ugs，其隨著Ugs的增大，源漏之間從耗盡層轉(zhuǎn)變成反型層即N溝道，來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)源漏間的通斷控制。使溝道剛剛形成的柵源電壓稱(chēng)為開(kāi)啟電壓Ugs(th)，如下圖

?漏極電流的產(chǎn)生（可變電阻區(qū)，預(yù)夾斷區(qū)，恒流區(qū)）：Ugs大于開(kāi)啟電壓，在漏源兩端施加正向電壓Uds，即產(chǎn)生漏極電流，

隨著Uds增大，當(dāng)(a)這種情況，為壓控型可變電阻，當(dāng)(b)這種情況，為預(yù)夾斷，當(dāng)(c）這種情況，為恒流模式，可用來(lái)放大。

轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)和輸出特性曲線(xiàn)?

因?yàn)檩斎氩划a(chǎn)生電流，所以我們稱(chēng)之為轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)。

?增耗盡型MOS管介紹（不常用）

在二氧化硅絕緣層摻入大量正離子，在正離子作用下使得P襯底存在反型層，即存在漏源之間的導(dǎo)電溝道。

?三、封裝

按照安裝在PCB板上的方式來(lái)劃分，MOS管封裝主要有兩大類(lèi)：插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)。

插入式就是MOSFET的管腳穿過(guò)PCB板的安裝孔并焊接在PCB板上。常見(jiàn)的插入式封裝有：雙列直插式封裝（DIP）、晶體管外形封裝（TO）、插針網(wǎng)格陣列封裝（PGA）三種樣式。

表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB板表面的焊盤(pán)上。典型表面貼裝式封裝有：晶體管外形（D-PAK）、小外形晶體管（SOT）、小外形封裝（SOP）、方形扁平式封裝（QFP）、塑封有引線(xiàn)芯片載體（PLCC）等。

隨著技術(shù)的發(fā)展，目前主板、顯卡等的PCB板采用直插式封裝方式的越來(lái)越少，更多地選用了表面貼裝式封裝方式。