華虹宏力“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法”專利獲授權(quán)
上海華宏利半導(dǎo)體制造有限公司就“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法”申請專利，申請公告日為11月17日，申請公告號為cn113921595b。
專利摘要據(jù)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成的方法中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括如下：第一夾雜著離子的電路板；位于基板內(nèi)的深谷結(jié)構(gòu)、機(jī)關(guān)和深深的凹槽結(jié)構(gòu)位于上方的雜質(zhì)區(qū)域切斷，位于阻擋摻雜區(qū)上的第一外延層，第一外延層內(nèi)的體區(qū)，至少一部分是所述深谷位于結(jié)構(gòu)的上部。位于本體內(nèi)的發(fā)源區(qū)，本體區(qū)露出發(fā)源區(qū)的部分表面。柵極位于第一外延層，與深谷結(jié)構(gòu)相鄰的基板上，柵極接觸本體區(qū)和發(fā)源區(qū)暴露的表面。位于襯底底部的集電區(qū)，第2面露在集電區(qū)表面，集電區(qū)與深槽結(jié)構(gòu)底部之間有集電區(qū)的間隔。通過這種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，絕緣柵晶體管的性能得到了提高。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
334文章
27527瀏覽量
219865 -
電路板
+關(guān)注
關(guān)注
140文章
4971瀏覽量
98233 -
基板
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
285瀏覽量
23035
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
華虹半導(dǎo)體人事調(diào)整：唐均君接任董事會主席
華虹半導(dǎo)體近日發(fā)布了一則重要的人事調(diào)整公告。公告顯示，自2024年12月31日起，該公司執(zhí)行董事唐均君將獲委任為華虹半導(dǎo)體董事會主席及提名委
華進(jìn)半導(dǎo)體榮獲中國專利優(yōu)秀獎
近日，國家知識產(chǎn)權(quán)局正式發(fā)布第二十五屆中國專利獎評選通知，華進(jìn)半導(dǎo)體一項名為“CN202010426007.5一種晶圓級芯片結(jié)構(gòu)多芯片堆疊互連結(jié)構(gòu)及制備
意法半導(dǎo)體與華虹半導(dǎo)體合作生產(chǎn)40nm MCU
近日，有消息傳出，全球知名半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(ST)已與中國晶圓代工廠華虹半導(dǎo)體達(dá)成一項新合作，計劃在中國共同生產(chǎn)40nm節(jié)點(diǎn)的微控制器單元(MCU)。這一消息引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
半導(dǎo)體PN結(jié)的形成原理和主要特性
半導(dǎo)體PN結(jié)的形成原理及其主要特性是半導(dǎo)體物理學(xué)中的重要內(nèi)容，對于理解半導(dǎo)體器件的工作原理和應(yīng)用具有重要意義。以下是對
p型半導(dǎo)體是怎么形成的
p型半導(dǎo)體（也稱為空穴半導(dǎo)體）的形成是一個涉及半導(dǎo)體材料摻雜和物理性質(zhì)變化的過程。以下是對p型半導(dǎo)體形成過程的詳細(xì)解析，包括其定義、摻雜原理
AMEYA360：士蘭微“MEMS器件及其制造方法”專利獲授權(quán)
天眼查顯示，杭州士蘭微電子股份有限公司近日取得一項名為“MEMS器件及其制造方法”的專利，授權(quán)公告號為CN109665488B，授權(quán)公告日為
蘇州敏芯微電子專利獲傳感器制備方法
近期，蘇州敏芯微電子技術(shù)股份有限公司獲得一項名為“傳感器結(jié)構(gòu)及其制造方式、電子設(shè)備”的專利授權(quán)（授權(quán)公告號：CN113666329B），該
基本半導(dǎo)體獲新專利：功率模塊、封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備
該專利主要涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，提出了一種全新的功率模塊、封裝結(jié)構(gòu)以及電子設(shè)備設(shè)計方案。其中，功率模塊由絕緣基板和半橋結(jié)構(gòu)組成，半橋結(jié)構(gòu)包含相
中芯國際獲“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法”專利?
該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法主要包含以下步驟：首先，需制備基底，其中含有器件區(qū)及位于兩側(cè)的隔離區(qū)；之后進(jìn)行基底圖案化，制作出襯底及突出于襯底的鰭部；接著，在器件區(qū)兩側(cè)
華虹宏力半導(dǎo)體獲半導(dǎo)體器件專利
該發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，包含底座，又劃分為第一和第二園區(qū)，一個位于另兩個鄰側(cè)之間；兩個子漏區(qū)，坐落于底座的第一園區(qū)；虛擬結(jié)構(gòu)，位于兩子漏區(qū)間的底座上；源區(qū)，位于底座的第二園區(qū)；柵極結(jié)構(gòu)，位于第一和第二園區(qū)之間的底座上。
深圳芯能半導(dǎo)體獲IGBT芯片專利，創(chuàng)新接觸孔連接ESD結(jié)構(gòu)提升安全性
此次專利的申請日期為2023年8月22日，授權(quán)公示日為2024年3月26日，授權(quán)公告號為CN116779666B。此項專利主要涉及的新型IGBT芯片
長鑫存儲新專利揭示半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與制造方法
這個新穎的發(fā)明主要是關(guān)于一款包含以下幾個部分的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)：基底，基底上分布著一系列等距排列的電容接觸結(jié)構(gòu)，隔離結(jié)構(gòu)，它處于基底頂部并在電容接觸結(jié)構(gòu)
美的獲實用新型專利授權(quán)
美的獲實用新型專利授權(quán) 美的新獲得一項實用新型專利授權(quán)，該專利名為“一種功放模塊組件、射頻發(fā)生裝
科大訊飛高空拋物檢測專利獲授權(quán)
近日，科大訊飛成功獲得了一項名為“高空拋物檢測方法、裝置、計算機(jī)設(shè)備和存儲介質(zhì)”的專利授權(quán)。該專利主要針對高空拋物行為的自動檢測，通過創(chuàng)新的算法和技術(shù)手段，顯著提高了檢測效率和實時性，
武漢新芯集成電路專利“半導(dǎo)體器件及其制備方法”公布?
在此項專利中，申請人展示了一種新型半導(dǎo)體器件及其制作流程。其主要步驟包括先制備出含有第一鈍化層，第一金屬層和第二鈍化層的半導(dǎo)體基體；接著在第二鈍化層背對第一鈍化層的一側(cè)表面設(shè)計并
工商網(wǎng)監(jiān)
評論