前幾周逗比君在調試時遇到了這樣一個現象，如下圖所示

藍色的是3.3V上電信號（除個別芯片使用其他電壓外，整板使用3.3V供電），粉紅色的復位信號（此處的復位信號是低電平有效的RC接反相器之后的輸出），橫軸每格為2ms，縱軸每格為1V。復位信號的產生使用RC上電復位，可是這里的上電復位信號竟然就這么隨著3.3V 就這么頭也不回的一起走了！其結果就是我的芯片并沒有收到期望中的復位信號，導致工作異常。

于是，逗比君就決定好好理一理RC上電復位里的各種門道！

依據復位信號的分類，RC復位電路又可分為高電平有效的RC復位（下圖左）和低電平有效的RC復位（下圖右）

以低電平有效的RC復位電路為例，我們首先對其原理進行分析：

在0時刻，電容C兩端電壓為0，對應RST為低電平

在無窮遠時刻，電容C兩端電壓與VCC兩端電壓一致，對應RST為高電平

由此可知，隨著電容C兩端的電壓逐漸升高，RST對地的電壓幅值也在升高，對于普通的芯片而言，其識別到的低電平與高電平也總是一個范圍，因此在Vrst到達芯片復位管腳可識別到的高電平后，低電平有效的復位時間結束，此后該管腳均保持高點平狀態。

為了驗證上述的理論分析正確性，我們對C兩端的電壓值進行計算：

此時Uc的計算變成了一個關于Uc的一元微分方程組（我也沒想到這個地方會扯到高數，我也是服了我自己），那么我們就解一下這個東西

可以看到上述得到結果，在t=0時，電容兩端的電壓為0，在t趨近于無窮大時，電容兩端的電壓為Vcc，這個結果與我們的理論分析結果是一致的。

理解了這個之后，我們開始對復位時間進行分析，由上述的推導可知復位時間為

假設電容充電至0.9Vcc時認為復位完成，那么可以計算得到需要的時間為

通常將RC的乘積稱為時間常數，由此可計算得到對應電路中的RC值用于電路設計。

在實際的應用中，假設電源電壓為3V，芯片的復位管腳在大于2V時通常會認為是高電平，此時計算時間可知，僅在一倍的時間常數下，即可實現低電平RC復位的目的。

RC復位的基本原理我們到這里就算是說明白了，可以設想到實際應用中，如果僅用RC復位的話，其效果應同本文開頭圖中看到的現象一樣，復位信號隨著電源建立的過程逐漸上升，這與我們通常理解的電平由0到1的跳變過程是不一樣的，因此我們這里加入反相器，來實現一個更加“平滑”的復位信號。

先來看看包含反相器的RC復位電路

圖中的復位信號僅反向一次，事實上在我們實際使用中，需要反向三次來實現與原信號的一致

因此以某款反相器為例，繼續向后分析

在反相器電源電壓為3.3V時，由其手冊可知正躍變閾值電壓約為1.0V~2.0V之間，即未到達正躍變閾值電壓時，反相器輸出的總是一個低電平，到達正躍變閾值電壓后，反相器輸出的總是一個高電平，這樣即可得到一個“平滑”的低電平到高電平的復位信號。

（到這里我們從另一個角度去思考下，低電平有效的RC電路中，電容C由于其本生的充電過程，使得反相器先到達其3.3V的工作電壓，在反相器正常工作后，開始監控復位管腳上電壓值，到達正躍變閾值后，輸出的電平由低電平到達高電平，最終實現復位功能。）

接著我們為了使低電平有效的RC復位電路具有更強的魯棒性，我們加入二極管來增強其在放電階段的速度

二極管的作用可以理解為在電源斷電后，電容可通過二極管迅速放電，待下次電源上電時實現可靠的上電復位。這種情況通常出現在電源因某種干擾瞬間斷電時，電容C不能迅速將電荷放掉，在電源恢復后無法進行完整的充電造成芯片沒有復位，致使芯片異常。

到這里我覺得理論分析部分基本結束，繼續我們的故障討論，在本文開始的圖中，選用的電阻值為330K，電容為0.0224uF，計算可知時間常數約在7ms左右，通過觀察3.3V的建立時間約為8ms左右，使得我們懷疑上電時間過緩造成的電容C的充電過程過于緩慢，同時給到反相器正常工作時，復位管腳的電壓已經大于2V，造成復位管腳輸出總是為高電平，最終造成復位信號也在一直爬坡。

改進方法就是增長電容C的充電時間，我們將電容值擴大到0.1uF，將時間常數擴大到35ms左右，此時的狀態如下圖所示，橫軸每格為5ms，縱軸每格為1V，復位信號狀態有顯著改善，產品對應芯片復位引腳工作正常。

說到這里，RC復位電路，你好像也沒有那么煩了~