相移全橋電路中輕負載時流過的電流小，LS中積蓄的能量少，所以很有可能在滯后臂的COSS充放電完成之前就開始開關工作。因此，ZVS工作無法執行，很容易發生MOSFET的導通損耗。

另一方面，當超前臂的MOSFET的COSS充放電時，能量通過變壓器被輸送到二次側。參考前面的思路，通過能量收支來考慮ZVS的成立條件時，以Mode（2）為例，假設相移全橋電路的變壓器的匝比為n，則超前臂的ZVS成立條件可用下面的公式來表示。IL2是Mode（1）結束時的IL，EOSS_Q1和EOSS_Q2分別是完成Q1和Q2的COSS充放電所需的能量。

在實際的電路工作中，需要設置Dead Time來防止上下臂短路。如上所述，在輕負載時，滯后臂MOSFET的充放電可能尚未完成，即可能會有漏極電壓VDS殘留（成為硬開關），因此，在某些Dead Time的設置，可能會導致滯后臂MOSFET的導通損耗增加。因此，在設置Dead Time時需要注意這一點。

下圖是在Dead Time優化和未優化情況下導通時的示意圖。

在Dead Time未優化的情況下，會瞬間流過很大的漏極電流ID。這是由于受到了兩種電流的影響：第一種是柵極-漏極間電容CGD和柵極-源極間電容CGS的電容比，導致柵極-源極間電壓VGS超過了閾值電壓，從而引起的直通電流；另一種是對應橋臂MOSFET的COSS的充電電流。其中，后者COSS的充電電流在硬開關工作時一定會產生，但前者的直通電流則可以通過設置MOSFET的CGD和CGS的適當電容比來防止。因此，選擇CGD和CGS的電容比適當的MOSFET很重要。

關鍵要點

?輕負載時，電流小，LS中積蓄的能量少，因此很有可能在COSS的充放電完成之前就開始開關工作，致使ZVS工作無法執行，容易發生MOSFET的導通損耗。

?COSS的充放電未完成可能會導致VDS殘留，因此需要設置適當的Dead Time來防止上下橋臂短路引起的直通電流。

?MOSFET的CGD和CGS的某些電容比可能會導致流過直通電流，因此選擇該電容比適當的MOSFET很重要。

文章來源：羅姆半導體集團

審核編輯：湯梓紅