芯片由晶圓切割成單獨(dú)的顆粒后，再經(jīng)過(guò)芯片封裝過(guò)程即可單獨(dú)應(yīng)用。

1、減薄（Back Grind）：

芯片依工藝要求，需有一定之厚度。應(yīng)用研磨的方法，達(dá)到減薄的目標(biāo)。研磨的第一步為粗磨，目的為減薄芯片厚度到目標(biāo)值（一般研磨后的厚度為250～300μm，隨著芯片應(yīng)用及封裝方式的不同會(huì)不一樣）。第二步為細(xì)磨，目的為消減芯片粗磨中生成的應(yīng)力破壞層（一般厚度為1～2μm左右）。研磨時(shí)需有潔凈水（純水）沖洗，以便帶走研磨時(shí)產(chǎn)生的硅粉。

若有硅粉殘留，容易造成芯片研磨時(shí)的破片或產(chǎn)生微裂紋，在后序的工藝中造成芯片破碎的良品率問(wèn)題及質(zhì)量問(wèn)題。同時(shí)需要注意研磨輪及研磨平臺(tái)的平整度，可能會(huì)增加芯片破片的機(jī)率（因?yàn)槠秸炔缓脮?huì)造成芯片破片）。

2、貼膜（Wafer Mount）

減薄之后，要在芯片背面貼上配合劃片使用的藍(lán)膜，才可開(kāi)始劃片。藍(lán)膜需要裝在固定的金屬框架上。為了增強(qiáng)膜對(duì)芯片的黏度，有時(shí)貼膜后須要加熱烘焙。

3、劃片（Wafer Saw）

芯片依照單顆大小、需要種類等，要在藍(lán)膜上切割成顆粒狀，以便于單個(gè)取出分開(kāi)。劃片時(shí)需控制移動(dòng)劃片刀的速度及劃片刀的轉(zhuǎn)速。不同芯片的厚度及藍(lán)膜的黏性都需要有不同的配合的劃片參數(shù)，以減少劃片時(shí)在芯片上產(chǎn)生的崩碎現(xiàn)象。劃片時(shí)需要用潔凈水沖洗，以便移除硅渣。切割中殘留的硅渣會(huì)破壞劃片刀具及芯片，造成良品率損失。噴水的角度及水量，都需要控制。

一般切割刀片可以達(dá)到最小的切割寬度為40μm左右。若用雷射光取代切割刀片可將切割寬度減小到20μm。所以使用窄小的切割道的特殊芯片必須用雷射光切割。對(duì)于厚芯片或堆疊多層芯片的切割方式，也建議使用雷射光切割。因?yàn)橛靡话闱懈畹镀懈睿谑褂锰貏e的刀片下，勉強(qiáng)可以切割三層堆疊的芯片。所以雷射光切割比較好。

有些芯片在劃片時(shí)為了達(dá)到特殊的芯片表面保護(hù)效果，同一切割道要切割兩次。此時(shí)第一次切割時(shí)用的刀片比較寬，第二次切割時(shí)用的刀片比較窄。

切割時(shí)要特別注意，不可切穿芯片背面的藍(lán)膜。若切穿藍(lán)膜會(huì)造成芯片顆粒散落，后序的貼片工藝無(wú)法進(jìn)行。劃片時(shí)潔凈水的電阻值要控制在1MΩ之下，以保護(hù)芯片顆粒不會(huì)有靜電（ESD）破壞的問(wèn)題。

一般劃片時(shí)移動(dòng)的速度為50mm/s。

一般劃片時(shí)的刀片旋轉(zhuǎn)的速率為38 000r/min。

劃片完成后，還需要用潔凈水沖洗芯片表面，保證芯片上打線鍵合區(qū)不會(huì)有硅粉等殘留物，如此才能保證后序打線鍵合工藝的成功良品率。有時(shí)在潔凈水中還要加入清潔用的化學(xué)藥劑及二氧化碳?xì)馀荩员闾岣咔鍧嵉男Ч靶酒砻媲鍧嵍取?/p>

4、貼片（Die Attach）

將芯片顆粒由劃片后的藍(lán)膜上分別取下，用膠水（epoxy）與支架（leadframe，引線筐架）貼合在一起，以便于下一個(gè)打線鍵合的工藝。膠水中加入銀的顆粒，以增加導(dǎo)電度，所以也稱為銀膠。

圖5、銀膠貼片工藝示意圖

一般芯片顆粒背后銀膠層厚度為5μm。同時(shí)芯片顆粒周邊需要看到銀膠溢出痕跡，保證要有90%的周邊溢出痕跡。

其他的常用貼片模式之一，主要是使用共金熔焊模式取代銀膠（見(jiàn)圖7）。

圖7、使用共金貼片工藝的示意圖

其他的常用貼片模式之二，主要是使用焊錫絲熔焊模式取代銀膠芯片顆粒小的產(chǎn)品（見(jiàn)圖9），貼片的速度可以提高。但是對(duì)于芯片顆粒超大的產(chǎn)品，貼片時(shí)需保證誤差度在50μm以內(nèi)，所以速度要放慢。針對(duì)超薄的芯片顆粒，必須用慢速及特殊的芯片顆粒吸取吸頭，以保證芯片顆粒不會(huì)被破壞或出現(xiàn)微裂紋。

圖9、 使用焊錫貼片工藝的示意圖