肖特基二極管(SBD)是一種采用半導體和金屬(比如:鉬)結合,而不是采用pn結的器件。一般來說,金屬與n型層結合的半導體已經實現了商業化。由于其正向電壓小,反向恢復時間短,所以適合于高速開關應用。
對于SBD而言,正向電壓(VF)和反向泄漏電流之間存在折衷關系。
根據所使用的金屬,通常來說反向耐受電壓約為20至150V,VF約為0.4至0.7V,低于pn結二極管的值。
具有低正向電壓和低泄漏電流的新型結構的SBD也已經實現商業化。
(東芝采用溝槽結構的SBD,實現了低VF和低泄漏電流的特性。)
圖2-9(a)肖特基二極管的符號與結構
圖2-9(b)肖特基二極管的電特性
文章轉載自:東芝半導體
審核編輯:湯梓紅
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