理論上，MOSFET進入穩態導通狀態時
以下情況才成立：

1.MOSFET導通電阻具有正的溫度系數，可并聯。

2.一個并聯MOSFET溫度上升，正溫度系數導通電阻也增加，流過電流減小，溫度降低，從而實現自動的均流達到平衡。

3.一個功率MOSFET器件，其內部也是有許多小晶胞并聯而成，晶胞導通電阻具有正溫度系數，因并聯工作沒問題。

原因：開關轉化瞬態過程中，以上即不成立。

功率MOSFET傳輸特征

MOSFET三區：關斷區+飽和區+線性區。

線性區也叫三極區或可變電阻區，在這個區域，MOSFET基本上完全導通。

MOSFET工作在飽和區時，具有信號放大功能，柵極的電壓和漏極的電流基于其跨導保持一定的約束關系，柵極的電壓和漏極的電流的關系就是MOSFET的傳輸特性。

μn：反型層中電子的遷移率

COX：氧化物介電常數與氧化物厚度比值

W：溝道寬度

L：溝道長度

溫度對功率MOSFET傳輸特征影響

MOSFET數據表中，典型傳輸特性，25℃和175℃兩條曲線有一個交點，此交點對應著相應的VGS電壓和ID電流值，VGS即轉折電壓。

VGS左下部分曲線

VGS電壓一定時，溫度越高，流過的電流越大，溫度和電流形成正反饋，即MOSFET的RDS（ON）為負溫度系數，可將這個區域稱為RDS（ON）的負溫度系數區域。

如下圖所示

VGS右上部分曲線

VGS電壓一定時，溫度越高，所流過的電流越小，溫度和電流形成負反饋，即MOSFET的RDS（ON）為正溫度系數，可以將這個區域稱為RDS（ON）正溫度系數區域。

功率MOSFET內部晶胞的等效模型

在功率MOSFET內部，由許多單元即晶胞并聯組成單位面積上，并聯晶胞越多，導通電阻RDS（ON）就越小。
晶元面積越大晶胞越多，通電阻RDS（ON）越小。

單元的G極和S極由內部金屬導體連接匯集在晶元的某一個位置，由導線引出到管腳，這樣G極在晶元匯集處為參考點，其到各個晶胞單元的電阻并不完全一致，離匯集點越遠的單元，G極的等效串聯電阻就越大。

正是由于串聯等效的柵極和源極電阻的分壓作用，造成晶胞單元的VGS的電壓不一致，從而導致各個晶胞單元電流不一致。

在MOSFET開通的過程中，由于柵極電容的影響，會加劇各個晶胞單元電流不一致。

功率MOSFET開關瞬態過程中晶胞的熱不平衡

如下圖所示

開通過程中，漏極電流ID在逐漸增大

離柵極管腳處晶胞單元的電壓：離其近>離其遠

即VG1》VG2》VG3>…，VGS電壓高單元，即離其近的流過電流小大，遠則電流小。

距離最遠地方晶胞可能沒導通，因而沒有電流流過。

電流大的晶胞單元，溫度升高。

功率MOSFET內部等效模型

開通過程中VGS的電壓逐漸增大到驅動電壓，VGS電壓穿越RDS（ON）負溫度系數區域，

溫度越高晶胞單元，因正反饋，流過電流會增大，晶胞單元溫度再上升。

VGS在RDS（ON）負溫度系數區域工作或停留的時間越長，晶胞單元就越有過熱擊穿的可能，造成局部的損壞。

如果VGS從RDS（ON）負溫度系數區域到達RDS（ON）的正溫度系數區域，沒有形成局部的損壞，此時，在RDS（ON）的正溫度系數區域，晶胞單元的溫度越高，所流過的電流減小，晶胞單元溫度和電流形成負反饋，晶胞單元自動均流，達到平衡。

在MOSFET關斷過程中，離柵極管腳距離遠的晶胞單元的電壓降低得慢，容易在RDS（ON）的負溫度系數區域形成局部的過熱而損壞。

加快MOSFET開通和關斷速度，使MOSFET快速通過RDS（ON）負溫度系數區域，就可減小局部能量的聚集，防止晶胞單元局部過熱而損壞。