下面簡要推導PN結導通狀態下的電荷濃度分布以及電流、電壓的關系。如下圖：

當，那么克服內建電勢而施加在PN結兩個電極之間的電勢差為。空穴從P區注入N區，除部分被N區多子復合外，還余下部分“多余空穴”；電子情況類似。分析PN結導通狀況，關鍵就是分析這些多余載流子的分布情況。這里討論兩種狀態：

1）平衡狀態，即PN中沒有電流通過，

2）穩定狀態，即雖然有電流通過，但是電荷濃度不隨時間變化。（顯然平衡狀態是穩定狀態的一種特殊狀態。）

對于平衡狀態，擴散電流與漂移電流之和為0，以空穴為例，

化簡后得到，

其中，

同理，對于平衡態下P區的電子濃度，

其中，

因此，當多余載流子被注入P區或者N區后，其濃度分布隨電勢呈指數衰減趨勢，直到等于平衡態下的熱激發濃度。

對于穩定狀態，還是以空穴為例。穩定狀態下，PN半導體應處于電中性狀態，所以電場。回顧關于電荷變化的討論，影響電荷變化的因素有四個，及擴散電流、漂移電流、產生電流、復合電流。在雜質摻雜的半導體中施加正向電壓，自發產生的電流幾乎可以忽略。因此只有考慮擴散電流和復合電流。

其中， ， 所以要想得到隨的變化趨勢，就必須先知道的分布。將和帶入上式，可以得到，

求解該方程可得到，

其中，

平衡狀態是穩定狀態的一個特殊狀態，因此將平衡狀態作為邊界條件，將平衡狀態的帶入，

由此，可以計算得出任意位置的空穴電流。這里計算位置的空穴電流，

同理，計算位置的電子電流，

電路回路中電流處處相等，所以將處的空穴電流與電子電流相加即可得到總的電流，

其中，

被稱為PN二極管的飽和電流。

【延伸】當，即PN結反向承壓時，上面推導過程依然成立，相應計算得到的電流即為反向漏電流。但需要注意的是，反向承壓時的本征激發（）漏電流就不能被忽略了。

舉例：以Si-IGBT為例，假設P型摻雜濃度為，N型摻雜濃度為。本征摻雜濃度為ni=3.87e16T^1.5exp(-7.02e3/T);空穴遷移率為up=495*(T/300)^(-2.2)

如下圖：

可以看出，隨著溫度的升高，相同外加電壓的情況下，PN導通電流迅速上升。