隨著對生成人工智能（ai）非常重要的hbm成為新一代存儲器半導體的主力，三星電子和美光公司就被SK海力士壟斷的英偉達公司的hbm訂單展開了激烈的競爭。

研究公司TrendForce（集邦咨詢）預測說，nvidia將于今年12月結束對三星電子hbm3的驗證工作。三星電子目前向英偉達提供hbm3樣品，業內人士認為，根據下月的驗證結果，三星電子可能會簽訂正式合同。

英偉達的圖形處理器（gpu）是高附加值產品，特別是high end h100車型的售價為每個6000萬韓元（約4.65萬美元）。英偉達將在存儲半導體領域發揮潛在的游戲鏈條作用。hbm3營銷的領先者sk海力士自去年以后獨家向英偉達供應hbm3，領先于三星電子。因此，sk海力士將與三星電子的dram占有率差距縮小到了4.4個百分點。sk海力士的dram事業此前雖然沒能避免虧損，但得益于hbm和ddr5等高附加值產品的業績，今年第三季度和第四季度扭虧為盈。

據業內人士預測，美國存儲型半導體企業美光公司計劃明年批量生產第五代hbm3e，因此，hbm3e的“三國沖突”將全面打響。預計這3家公司將在英偉達推出的h200和b100 ai芯片所需的hbm3e供應上展開激烈的競爭。

據報道，英偉達為有效管理供應鏈，計劃改變hbm供應商。因此，sk海力士的獨家供應體制可能會結束，競爭時代可能會到來。據trend force透露，美光、SK海力士和三星電子分別于7月、8月和10月提供了hbm3e樣品。考慮到英偉達通常驗證hbm樣品需要6個月左右的時間，預計供應量的輪廓將于明年揭曉。

分析師黃敏成表示：“sk海力士hbm從今年第二季度和第四季度開始有別于競爭企業，第三季度和第四季度的差距進一步拉大。在hbm與競爭企業區別化的過程中，hbm之間的差別正在加速。”hbm與現有的存儲器一代需要1.5至2年的時間不同，只需1年就能完成這一任務，因此有利于市場排名第一的sk海力士。”

三星電子推出“超級差距（super-gap）”技術，試圖扭轉局面。去年10月在硅谷舉行的“存儲技術日”活動中，三星電子推出了“shibolt”hbm3e dram，作為集成裝置制造企業（idm），宣布將通過生產作為集成設備制造商（IDM）通過交鑰匙（端到端）擴大市場占有率。另外，三星電子負責d - ram開發的副總經理Sang-jun Hwang表示：“正在開發第6代hbm4，預計將于2025年供應。”