IGBT器件的靈魂
根據施敏教授的拆分理論，器件由4個基本單元組成。
根據該理論，IGBT用到了3個基本單元：（a）金屬-半導體界面，（b）pn結（d）金屬-氧化層-半導體結構。
以下僅對（b）pn結進行展開。
pn結最重要的參數為 內建電勢 （built-in potential）Vbi，公式如下：
其中，KT/q=0.0259（300K），NA/ND分別為P/N型摻雜濃度，ni為本征摻雜濃度。
耗盡層寬度公式如下（當NA＞＞ND時）：
當增加電壓偏執V后，耗盡層寬度公式如下：
PN處最高場強公式如下：
全文完，客官們輕拍！
并沒有達到想到的目的，待后續更新；
pn結作為基本單元，是玩器件的基礎。花點功夫，費點心思在上面是很值得的！！！
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發表于 04-18 11:21
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