我們知道，MOS結構的CV曲線是跟頻率相關的，高頻和低頻曲線長這樣，但是用MOS管是測不出來高頻曲線的，只能測出低頻曲線，為什么呢，下面來簡單盤一盤。

MOS結構和MOSFET的區別就在于反型狀態下的電容特性，到底是只考慮氧化層電容還是氧化層電容和結電容的串聯，關鍵在于反型層中的電荷變化是否能跟上外加電壓的變化。MOS結構和MOSFET的CV曲線的差異，究其本質，在于MOS結構和MOSFET中反型層電荷來源是不一樣的。

MOS結構反型層電荷的來源

以P型襯底的MOS結構為例，為方便理解，反型時半導體一側可以當作反偏的PN + 結來看待，即耗盡區只在P區一側擴展，此時，隨著柵極電壓增加，反型層電子數量也要相應增加，從哪來呢，回顧下反偏PN + 結的電流成分，要么P區的少子電子通過耗盡區擴散到反型層那邊去，這就是理想PN結的反向飽和電流的那部分；另外就是反偏產生電流，就是在耗盡區中由于熱運動產生的電子空穴對。還有其他成分嗎？感覺應該沒了哈。

由PN結的開關特性我們知道，這兩個電流成分不能瞬間產生也不能瞬間消失，所以是跟頻率有關的。但這又產生了一個問題，到底多高才算高頻，多低才叫低頻呢？其實這跟載流子的壽命有關。我們知道，PN結的開關時間主要由反向恢復時間決定，如果這個時間大于你測電容的交流小信號周期，那么你就測不到反型層電荷隨外加電壓信號變化的這個過程，自然測出來的就是高頻曲線。對于目前主流的制造工藝來說，在不加少子壽命控制技術的情況下，載流子的壽命相對來說還是比較長的，一般測出來的都是高頻曲線，要想測出低頻曲線，必須用準靜態方法。

還有一個問題，就是襯底能產生足夠多的電子嗎？假設P型襯底濃度為10 16cm-3，那么其少子電子的濃度就只有10 4cm-3，就這么點夠反型層霍霍嗎，當然不夠，實際上反偏PN結的產生電流遠大于擴散電流，所以這里反型層電荷主要由耗盡區產生電流提供。

MOSFET反型層電荷的來源

對于MOSFET，上面這套理論同樣適用，以P型襯底的N溝道MOSFET為例，關鍵是它多了N + 源區，跟反型層勾搭在一起，可以快速地給反型層提供足夠多的電子，甭管你信號頻率有多高，反型層都能足夠快地響應你的變化，所以MOSFET測出來的都是典型的低頻曲線。