在接下來(lái)的一個(gè)章節(jié)里面，我們將主要介紹用砂子制備半導(dǎo)體級(jí)硅的方法，以及后續(xù)如何將其轉(zhuǎn)化為晶體和晶圓片(材料制備階段)，以及如何來(lái)生產(chǎn)拋光晶圓的過(guò)程(晶體生長(zhǎng)和晶圓制備)。包括對(duì)制造過(guò)程中使用的不同類(lèi)型晶圓的性質(zhì)，以及相關(guān)加工操作的一些詳細(xì)描述。還有關(guān)于如何直徑450毫米的晶體面臨的一些挑戰(zhàn)，在相關(guān)部分，詳細(xì)介紹了450毫米硅片的制備方法。

更高密度和更大尺寸的芯片的發(fā)展要求交付更大直徑的晶圓片。從20世紀(jì)60年代的直徑為1英寸的晶圓開(kāi)始，該行業(yè)經(jīng)過(guò)了非常快速的發(fā)展，在2000年代已經(jīng)轉(zhuǎn)向300毫米(12英寸)直徑的晶圓，現(xiàn)在的節(jié)點(diǎn)已經(jīng)達(dá)到了450mm大小的尺寸(18-in)(如下圖所示)。

為了適應(yīng)不斷增大的芯片尺寸，需要更大直徑的晶圓來(lái)滿(mǎn)足快速提升的需求，進(jìn)而會(huì)促進(jìn)成本的不斷下降，推動(dòng)了晶圓制造工藝不斷前進(jìn)(見(jiàn)后續(xù)章節(jié)繼續(xù)討論)。晶圓的準(zhǔn)備方面，面臨的挑戰(zhàn)是艱巨的。在晶體生長(zhǎng)中，結(jié)構(gòu)和電氣的一致性和污染防治是一大挑戰(zhàn)。在晶圓制備中，平整度、直徑控制、雜質(zhì)含量和晶體完整性都是非常嚴(yán)峻的問(wèn)題。更大的晶圓直徑，需要更堅(jiān)固的加工工具，最終，將實(shí)現(xiàn)完全自動(dòng)化。

批量生產(chǎn)的300毫米直徑的晶圓重約20磅(7.5公斤)，價(jià)值50萬(wàn)美元或更多。1個(gè)450mm主板的重量約為800公斤重，長(zhǎng)210厘米。這些挑戰(zhàn)與幾乎每個(gè)參數(shù)的規(guī)格都有直接關(guān)聯(lián)。要跟上這些挑戰(zhàn)的步伐，晶圓直徑的增長(zhǎng)是微芯片持續(xù)進(jìn)化的關(guān)鍵。然而，轉(zhuǎn)換成更大直徑的晶圓既昂貴又耗時(shí)。因此有些晶圓廠(chǎng)是否仍在使用較小的晶圓直徑，(如下圖所示)即便主流的工業(yè)界已經(jīng)發(fā)展到更大直徑的晶圓。

半導(dǎo)體硅的制備

半導(dǎo)體器件和電路是在硅片內(nèi)部和表面形成的半導(dǎo)體材料。那些晶圓片必須被摻雜到特定電阻率水平，并且污染物水平也需要控制，生成特定的晶體結(jié)構(gòu)，達(dá)到光學(xué)平整，并滿(mǎn)足其它主機(jī)的機(jī)械潔凈度規(guī)范。硅片制備階段集成電路級(jí)硅片的制造分為四個(gè)階段：1、將礦石轉(zhuǎn)化為高純度氣體；2、將氣體轉(zhuǎn)化為多晶硅；3、將多晶硅轉(zhuǎn)化為單晶，摻雜晶錠的制備；4、半導(dǎo)體制造的第一個(gè)階段是晶圓，它們可以從地球中最多的一些沙子中提取和純化。凈化從化學(xué)反應(yīng)開(kāi)始。對(duì)于硅來(lái)說(shuō)，它是將礦石轉(zhuǎn)化成含硅氣體，如四氯化硅或三氯硅烷。含硅氣體隨后與氫反應(yīng)(如下圖所示)生成半導(dǎo)體級(jí)硅。生產(chǎn)出來(lái)的硅純度為99.9999999%，這個(gè)純度可是說(shuō)是地球上最純凈的物質(zhì)了。其晶體結(jié)構(gòu)稱(chēng)為多晶或多晶硅。

透明物質(zhì)

晶體材料物質(zhì)的不同之處在于它們的原子結(jié)構(gòu)。在一些材料，如硅和鍺，原子在整個(gè)材料中排列成一個(gè)非常重復(fù)的確定結(jié)構(gòu)。這些材料叫做晶體。

原子沒(méi)有確定的周期性排列的物質(zhì)被稱(chēng)為非晶的物質(zhì)，塑料是就是典型的非晶材料的例子。

審核編輯：劉清