所有功率MOS制造廠商都會提供每種型號產品的詳細說明書。 說明書用來說明各種產品的性能。這對于在不同廠商之間選擇相同規格的器件很有用。在一些情況下，不同廠商所提供的參數所依據的條件可能有微妙的區別，尤其在一些非重要參數例如切換時間。 另外，數據說明書所包含的信息不一定和應用相關聯。因此在使用說明書和選擇相同規格的器件時需要特別當心以及要對數據的解釋有確切的了解。本文BUK553-100A為例, 這是一種100 V邏輯電平 MOS管。這些數據作為迅速選擇的參考。包括器件的關鍵參數，這樣工程師就能迅速判斷它是否為合適的器件。在所包括的五個參數中，最重要的是漏源電壓 VDS是和開啟狀態下的漏源阻抗RDS(ON)。VDS是器件在斷開狀態下漏極和源極所能承受的最大電壓。RDS(ON) 是器件在給定柵源電壓以及25℃的結溫這兩個條件下最大的開啟阻抗 ( RDS(ON)由溫度所決定，見其靜態特性部分)。 這兩個參數可以說明器件最關鍵的性能。

漏極電流值 (ID) 和總耗散功率都在這部分給出 。這些數據必須認真對待因為在實際應用中數據說明書的給定的條件很難達到（見極限值部分）。在大多數應用中，可用的dc電流要比快速參考說明中提供的值要低。限于所用的散熱裝置，大多數工程師所能接受的典型功率消耗要小于20W(對于單獨器件)。結溫 (TJ)通常給出的是150℃或者175℃，器件內部溫度不建議超過這個值。

極限值

漏源電壓和漏柵電壓有同樣的值。給出的數據為可以加在各相應端所使用的最大電壓。柵源電壓, VGS, 給出在柵極和源極之間允許加的最大電壓。一旦超過這個電壓值，即使在極短的時間內也會對柵極氧化層產生永久性損害。給出的兩個直流漏極電流值ID,一個是在背板溫度為25℃時，另一個是在背板溫度為100℃時。再且這些電流值不代表在運行過程中能夠達到。當背板溫度在所引述的值時，這些電流值將會使得結溫達到最大值 。因此最大電流降額作為背板溫度的函數，所引用的兩個值曲線是降額曲線上的兩個點（見圖一）。引述的第三個電流值是脈沖峰值, IDM. 功率MOS 器件總的來說都有很強的峰流通過能力。連接管腳和芯片上的內部接線決定該極限值。IDM 所能應用的脈沖寬度取決于熱考慮 (見計算電流的部分)。總消耗功率, Ptot, 以及最大結溫在快速參考數據中也已說明。Ptot的值在等式1中以商的形式給出(見安全運行區部分)。所引述的條件是襯底溫度保持在25℃，例如，BUK553-100A 的 Ptot 值為75 W,消耗這個功率使襯底溫度保持在25℃是極大的挑戰。襯底溫度越高，能耗散的總耗散功率越低。

很顯然如果襯底溫度等于最大允許的結溫時，沒有功率可被耗散掉。如圖2的降額曲線，此器件的結溫為175℃。

熱阻

給出兩個非絕緣封裝的熱阻值。從結點到背板的值(Rthj-mb)表明當耗散一個給定的功率時，結溫將會比背板溫度所高出多少。以 BUK553-100A 為例,它的Rthj-mb 等于 2 K/W, 耗散的功率為10 W,結溫將會高于背板20℃。另一個數值是從結點到外界的環境，這是一個更大的數值，它說明當器件不安裝散熱器且在流通空氣中運行時結溫是如何升高的。以BUK553-100A為例, Rthj-a = 60 K/W, 在流通空氣中功率的耗散為1W將會產生使結溫高于外界空氣環境溫度60℃的情況。絕緣封裝時，背板(硅芯片安裝在上面的金屬層)完全壓縮在塑料中。因此無法給出結點到背板的熱阻值，取代之是結點到散熱片的Rthj-hs,它表現出散熱片復合的作用。當比較絕緣封裝和非絕緣封裝型號的熱阻時必須特別小心。例：非絕緣BUK553-100A 的 Rthj-mb 為2 K/W。絕緣BUK543-100A的Rthj-hs為5 K/W。它們有同樣的晶體但是所封裝不同。初比較時，非絕緣的型號似乎可以承受更大功率( 即電流 )。然而BUK553-100A 在結點到散熱片的熱阻測量中,這還包括背板和散熱片之間的額外熱阻。一些絕緣措施用在大多數情況中,例如云母墊圈.其背板到散熱片的熱阻為2 K/W。因此結點到散熱片的總熱阻為Rthj-hs(非絕緣型) = Rthj-mb + Rthmb-hs =4 K/W. 可以看出實際中絕緣和非絕緣型的型號區別并不大。引述的存儲溫度通常在-40 /-55 ℃ 和 +150 /+175℃之間。存儲溫度和結溫是由質量部門經過廣泛的可靠性測量后所指定的。超過所給出的溫度將會使可靠性降低。

審核編輯 黃宇