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派恩杰半導體榮獲“年度車規芯片市場突破獎”

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2023-12-18 14:38 ? 次閱讀

2024年半導體投資年會暨IC風云榜頒獎典禮于12月16日在北京嘉里酒店舉行。作為本次盛事的一部分,包括30項獎項和60個榜單在內的一系列重要信息在現場公布。派恩杰半導體(杭州)有限公司榮膺“年度車規芯片市場突破獎”。

此獎旨在表彰2023年度實現單款車規芯片產品銷售額或銷量顯著增長、在細分領域占據領先位置并廣泛用于各類市場的優秀企業。

派恩杰半導體專注第三代半導體功率器件領域,產品涵蓋碳化硅MOSFET、碳化硅SBD以及氮化鎵HEMT等多個方向。始創于2018年,公司擁有國內最為全面的碳化硅功率器件產品。其碳化硅MOSFET與碳化硅SBD產品涵蓋各電壓級別和承載力,均已通過AEC-Q101車規級測試,適用于多種應用場景。

派恩杰半導體首席科學家黃興博士之學術恩師分別為IGBT發明人Baliga教授和ETO晶閘管發明人Huang教授。自2009年起,專攻碳化硅和氮化鎵功率器件的設計和研發。

作為進軍電動汽車市場的拳頭產品,派恩杰半導體推出的P3M06060K4車規級650V 60mOhm TO247-4L碳化硅場效應管,兼具高耐壓、高耐熱、低消耗等優點。其中,P3M06060K4采用的關鍵元件為4.8um,性能指標HDFM全球領先,適用于車載充電器與通信電源等多個領域。

得益于優異的產品性能與穩定性,P3M06060K4在國內市場已取得顯著地位,同時也在國際市場贏得了一席之地。

IC風云榜通過市場、科研、資金、品牌等方面進行評估,選出半導體行業內最具經營智慧的風云企業。評選過程經過半導體投資聯盟逾百家成員單位、超過500名CEO參與評分,以肯定和表彰那些在技術創新、產品制造、融資管理、產業鏈建設以及財務表現方面有卓越成就的半導體企業,從而樹立行業標桿。

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