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國(guó)產(chǎn)手機(jī)CIS開(kāi)啟新時(shí)代,轉(zhuǎn)型Fab-Lite的格科微發(fā)布單芯片5000萬(wàn)像素CIS

Felix分析 ? 來(lái)源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:吳子鵬 ? 2024-01-02 17:57 ? 次閱讀

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)在如今的智能手機(jī)發(fā)布會(huì)上,如果不講到拍攝性能,總會(huì)覺(jué)得這場(chǎng)發(fā)布會(huì)不完整。甚至是,如果不將拍攝性能作為主要亮點(diǎn)之一,人們就會(huì)為這款手機(jī)的市場(chǎng)表現(xiàn)擔(dān)憂。研究公司CyberMedia在2019年的調(diào)查問(wèn)卷中就指出,消費(fèi)者購(gòu)買(mǎi)手機(jī)時(shí)查看的第一項(xiàng)功能是拍攝,毫無(wú)疑問(wèn),拍攝已經(jīng)成為智能手機(jī)最大賣(mài)點(diǎn),或者最大賣(mài)點(diǎn)之一。

對(duì)于中高端和旗艦機(jī)型而言,后置攝像頭搭載5000萬(wàn)像素CMOS圖像傳感器(以下簡(jiǎn)稱:CIS)已是主流趨勢(shì)。但很長(zhǎng)一段時(shí)間以來(lái),5000萬(wàn)像素高性能CIS主要由索尼和三星兩家國(guó)際大廠壟斷。現(xiàn)在局勢(shì)已然發(fā)生改變,格科微等國(guó)內(nèi)廠商在這一領(lǐng)域已經(jīng)取得實(shí)質(zhì)性突破,形成產(chǎn)品破局。

12月22日,中國(guó)領(lǐng)先的CMOS圖像傳感器、DDI顯示驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)公司格科微發(fā)布單芯片5000萬(wàn)像素CIS新品——GC50E0和GC50B2,為模組和手機(jī)OEM高像素?cái)z像頭方案提供新選擇。

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5000萬(wàn)像素大底CIS成為主流

CIS和ISP、鏡頭一起構(gòu)成了攝像頭的靈魂。從產(chǎn)業(yè)進(jìn)度來(lái)看,自2019年開(kāi)始,手機(jī)CIS就已經(jīng)開(kāi)啟了1億像素時(shí)代,現(xiàn)在甚至是有了2億像素的手機(jī)CIS。然而,CIS的性能不只是由像素?cái)?shù)來(lái)決定,還包括CIS尺寸和單位像素尺寸。經(jīng)過(guò)效果對(duì)比,CIS廠商和消費(fèi)者都發(fā)現(xiàn),并不是像素?cái)?shù)值越大手機(jī)拍攝的效果就越好。大部分場(chǎng)景下,4800萬(wàn)-6400萬(wàn)像素大底CIS(指CIS芯片尺寸更大)組成的攝像頭組合,比圍繞1億像素CIS構(gòu)建的攝像頭組合表現(xiàn)更好。

CIS成像步驟一般可分為復(fù)位、光電轉(zhuǎn)換、積分、讀出幾部分。這里最關(guān)鍵的當(dāng)然就是光電轉(zhuǎn)換,每個(gè)像素在曝光過(guò)程中吸收光子轉(zhuǎn)化成電荷,一旦像素容量達(dá)到飽和,多余的電荷便會(huì)溢出,此時(shí)輸出信號(hào)不再增加。因此,大像素通常可以容納更多的電子,也就代表CIS的動(dòng)態(tài)范圍更大,對(duì)于成像這是非常關(guān)鍵的。基于大像素實(shí)現(xiàn)的大底CIS天生具備更多的進(jìn)光量,且擁有更高的信噪比和更寬的動(dòng)態(tài)范圍,在暗光或復(fù)雜光線的環(huán)境下能夠獲得更多的細(xì)節(jié),在畫(huà)面清晰度上更勝一籌;另外大底CIS在相同的光圈下,能夠提供更大的視角,且虛化效果更好。

CIS尺寸主要取決于感光陣列和處理電路所占的面積,其中感光陣列的面積等于像素尺寸和像素?cái)?shù)量的乘積,廠商則選擇用封裝對(duì)角線長(zhǎng)度來(lái)區(qū)分CIS尺寸。當(dāng)市場(chǎng)和消費(fèi)者認(rèn)可大底CIS之后,CMOS廠商在1200萬(wàn)像素、4800萬(wàn)像素、6400萬(wàn)像素和超高像素1.08億像素上都嘗試了這種方案,最終綜合考慮ISP硬件算法、存儲(chǔ)容量等因素,選擇了5000萬(wàn)像素大底CIS。

確定了5000萬(wàn)像素大底CIS方案之后,為了在此基礎(chǔ)上進(jìn)一步提升拍攝性能,手機(jī)OEM廠商相繼提出了“多攝融合”和“全主攝”理念,通過(guò)5000萬(wàn)像素大底CIS配合超廣角、人像、長(zhǎng)焦等鏡頭,實(shí)現(xiàn)旗艦級(jí)的拍攝體驗(yàn)。這樣做的好處是,消費(fèi)者無(wú)需費(fèi)心去調(diào)整相機(jī)參數(shù),只需選擇模式就可以拍攝出高品質(zhì)的照片和視頻

縱觀當(dāng)前的中高端和旗艦級(jí)手機(jī)市場(chǎng),后攝模組基本是多主攝或者全主攝的方案,因此帶來(lái)了巨量的5000萬(wàn)像素CIS需求。根據(jù)第三方市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)日本TSR的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),5000萬(wàn)像素CIS的出貨量預(yù)計(jì)會(huì)從2020年的1600萬(wàn)顆,增長(zhǎng)到2026年的10億顆。

格科微發(fā)布單芯片5000萬(wàn)像素CIS

從各品牌手機(jī)發(fā)布會(huì)能夠看到,無(wú)論是之前的超高像素方案,還是后來(lái)基于5000萬(wàn)像素大底CIS構(gòu)建的多主攝和全主攝方案,CIS主要是由索尼和三星這兩家國(guó)際大廠提供,兩家企業(yè)幾乎壟斷了中高端和旗艦級(jí)手機(jī)的后置主攝CIS訂單。不過(guò),在5000萬(wàn)像素CIS領(lǐng)域,國(guó)產(chǎn)廠商也陸續(xù)取得突破,將挑戰(zhàn)兩家國(guó)際廠商,尤其是索尼的霸主地位。

12月22日,格科微在上海臨港新工廠成功舉辦以“Fab-Lite新模式·引領(lǐng)中國(guó)芯未來(lái)”為主題的格科微20周年慶典暨臨港工廠投產(chǎn)儀式,以及格科微新產(chǎn)品發(fā)布會(huì)。

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在新品發(fā)布會(huì)上,格科微發(fā)布了兩顆5000萬(wàn)像素CIS,型號(hào)分別是GC50E0和GC50B2。其中,GC50E0作為格科微推出的首顆5000萬(wàn)像素CIS,也是市場(chǎng)上首顆單芯片5000萬(wàn)像素CIS,其像素尺寸為0.7μm,芯片尺寸為1/2.5'';GC50B2則是格科微推出的首顆5000萬(wàn)像素大底CIS,像素尺寸為1μm,芯片尺寸為1/1.56'',這也是一顆單芯片產(chǎn)品,并且配備了格科微特有的DAG高動(dòng)態(tài)方案,能夠滿足中高端和旗艦級(jí)手機(jī)后攝需求。

通過(guò)格科微董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官趙立新的介紹可以發(fā)現(xiàn),格科微GC50E0和GC50B2有兩個(gè)非常獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)——單芯片架構(gòu)和FPPI專利技術(shù)。趙立新先生表示,堆棧式CIS已經(jīng)有超過(guò)10年的發(fā)展歷史,其間國(guó)際廠商一直憑借這項(xiàng)技術(shù)占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)地位。不過(guò),由于堆棧式CIS是多層結(jié)構(gòu),會(huì)存在數(shù)字邏輯區(qū)局部發(fā)熱影響上方感光區(qū)性能,另外堆棧式CIS結(jié)構(gòu)更為復(fù)雜,成本一直居高不下。“格科微注意到了這一市場(chǎng)痛點(diǎn),從CMOS電路和器件工藝方面進(jìn)行創(chuàng)新,推出了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的FPPI專利技術(shù)和單芯片架構(gòu),這是工藝方面的創(chuàng)新。”

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格科微董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官趙立新

格科微的單芯片架構(gòu)天然具有更好的散熱效果,消除了下層堆棧的邏輯芯片發(fā)熱帶來(lái)的像素?zé)嵩肼暎娣e僅增加約 10%,總硅片用量減少40%,顯著提高了晶圓面積利用率,大大改善成本結(jié)構(gòu)。FPPI專利技術(shù)解決了單芯片做小像素圖像傳感器集成在一起的困難,后續(xù)格科微將推出基于單芯片高像素技術(shù)平臺(tái)包括3200萬(wàn)、5000萬(wàn)、1億等在內(nèi)的更高規(guī)格產(chǎn)品。“通過(guò)首款單芯片0.7μm3200萬(wàn)像素產(chǎn)品GC32E1的量產(chǎn)證明,格科微已經(jīng)突破了這項(xiàng)技術(shù)。”趙立新先生提到。

CIS 通常由像敏單元陣列、行驅(qū)動(dòng)器、列驅(qū)動(dòng)器、時(shí)序控制邏輯、AD轉(zhuǎn)換器、數(shù)據(jù)總線輸出接口、控制接口等幾部分組成。趙立新先生指出,“除了工藝上的創(chuàng)新,格科微的單芯片CIS方案,在電路方面也進(jìn)行了大量的創(chuàng)新。通過(guò)改進(jìn)片內(nèi)ADC電路、數(shù)字電路以及接口電路等電路結(jié)構(gòu),讓我們通過(guò)非堆棧的方式實(shí)現(xiàn)了12bit灰度的CIS,在市場(chǎng)上非常有競(jìng)爭(zhēng)力。”

基于上述創(chuàng)新,格科微的DAG HDR技術(shù)在5000萬(wàn)像素CIS新品中得以延續(xù)。對(duì)于這項(xiàng)技術(shù)可能很多人都已經(jīng)很熟悉,這是一種單幀高動(dòng)態(tài)技術(shù)——基于單幀畫(huà)面,在暗部使用高模擬增益,亮處使用低模擬增益,從而實(shí)現(xiàn)暗部更清晰,亮部不過(guò)爆的效果,并減少拍照合幀數(shù),降低多幀合成帶來(lái)的功耗問(wèn)題。以拍照為例,在使用DAG HDR輸出后,需要3幀合成的場(chǎng)景減少了 50%;以錄像為例,相較于傳統(tǒng)HDR錄像功能,功耗降低40%。

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通過(guò)現(xiàn)場(chǎng)demo方案和主流品牌旗艦手機(jī)對(duì)比能夠看出,基于格科微5000萬(wàn)像素GC50B2實(shí)現(xiàn)的demo方案,在畫(huà)面細(xì)節(jié)、暗部清晰度、畫(huà)面質(zhì)感和避免過(guò)曝發(fā)白等方面有非常明顯的優(yōu)勢(shì)。按照趙立新先生的話來(lái)說(shuō):“格科微CIS讓手機(jī)拍照真正實(shí)現(xiàn)‘所見(jiàn)即所得’。”

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目前,GC50E0已經(jīng)通過(guò)客戶驗(yàn)證;GC50B2也已開(kāi)始在品牌客戶送測(cè)。在產(chǎn)品封裝上,模組廠和OEM廠商可以選擇主流的COB 封裝技術(shù),也可以選擇格科微獨(dú)創(chuàng)的COM封裝技術(shù),后者能夠有效幫助模組廠和OEM降低生產(chǎn)成本、提升生產(chǎn)效率和良率,獲得了廣泛的市場(chǎng)認(rèn)可。

另外,格科微還透露了自己的產(chǎn)品規(guī)劃,預(yù)計(jì)不遠(yuǎn)的將來(lái),該公司將會(huì)推出一顆1/1.3''的超大底5000萬(wàn)像素CIS,沖擊更高端的旗艦手機(jī)市場(chǎng)。

完成從Fabless到Fab-Lite轉(zhuǎn)型

12月22日,格科微臨港工廠正式宣布投產(chǎn),標(biāo)志著格科微完成了從Fabless到Fab-Lite的轉(zhuǎn)型。

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自2003年成立以來(lái),多年來(lái)格科微一直在走Fabless的模式,并取得了非常出色的成績(jī)。目前,格科微擁有手機(jī)CIS,非手機(jī)CIS和DDI顯示驅(qū)動(dòng)三大產(chǎn)品線,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、可穿戴設(shè)備、移動(dòng)支付、汽車(chē)電子消費(fèi)電子工業(yè)應(yīng)用。根據(jù)格科微2022年財(cái)報(bào),盡管2022年受到地緣政治、全球通脹等國(guó)內(nèi)外多重因素影響,疊加消費(fèi)電子市場(chǎng)整體低迷,格科微手機(jī)CIS出貨量仍位居全球第一,占市場(chǎng)份額的26%。

格科微臨港工廠即該公司“12 英寸CIS集成電路特色工藝研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”,首個(gè)晶圓工程批便取得超過(guò) 95%的良率。該項(xiàng)目投產(chǎn)后,格科微將具備12英寸BSI晶圓后道工序生產(chǎn)能力。隨著更多設(shè)備安裝并投產(chǎn),產(chǎn)能將同步釋放提升,格科微臨港工廠最終將實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)20,000片晶圓的產(chǎn)能。

臨港工廠屬于格科微自有的Fab產(chǎn)線,公司運(yùn)營(yíng)模式已經(jīng)正式轉(zhuǎn)變?yōu)镕ab-Lite模式,打通從產(chǎn)品設(shè)計(jì)、研發(fā)到制造、封裝、 測(cè)試、銷售的全環(huán)節(jié)。在中高端產(chǎn)品方面,F(xiàn)ab-Lite模式讓格科微能夠?qū)崿F(xiàn)更好的內(nèi)生研發(fā),并進(jìn)一步放大FPPI專利技術(shù)和單芯片架構(gòu)的優(yōu)勢(shì),在高像素產(chǎn)品領(lǐng)域達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。

趙立新先生舉了數(shù)個(gè)例子來(lái)表明:格科微的一大優(yōu)勢(shì)是能夠提前、準(zhǔn)確地把握市場(chǎng)動(dòng)向。轉(zhuǎn)為Fab-Lite模式之后,新工廠將能夠幫助格科微將一些市場(chǎng)動(dòng)向具化為中高端CIS產(chǎn)品,并能夠更好地滿足客戶的差異化需求。

當(dāng)然,格科微常年以來(lái)和諸多晶圓代工廠建立的長(zhǎng)期穩(wěn)定的合作關(guān)系,依然會(huì)發(fā)揮巨大的效益,為公司產(chǎn)品穩(wěn)定交付護(hù)航。

結(jié)語(yǔ):新產(chǎn)品、新模式、新征程

單芯片0.7um5000萬(wàn)像素CIS(GC50E0)和1um5000萬(wàn)像素大底CIS(GC50B2)的發(fā)布,是格科微從中低端手機(jī)CIS市場(chǎng)向高端手機(jī)CIS市場(chǎng)邁出的堅(jiān)定的一步,是格科微單芯片架構(gòu)和FPPI專利技術(shù)結(jié)出的豐碩果實(shí),也標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)手機(jī)CIS一個(gè)全新時(shí)代的開(kāi)始。

臨港新工廠的投產(chǎn)將進(jìn)一步釋放格科微領(lǐng)先的技術(shù)創(chuàng)新能力,F(xiàn)ab-Lite模式意味著公司經(jīng)營(yíng)模式發(fā)生轉(zhuǎn)變,在高端產(chǎn)品和定制化產(chǎn)品方面的響應(yīng)能力上會(huì)更上一層樓。

對(duì)于格科微來(lái)說(shuō),新的征程開(kāi)始了。各項(xiàng)數(shù)據(jù)表明,在他們面前,有一片巨大的市場(chǎng)空間。

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    8月19日,晶合集成通過(guò)其官方公眾號(hào)宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破,該公司與國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的圖像傳感器設(shè)計(jì)公司思特威強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,成功推出了業(yè)界首顆1.8億像素全畫(huà)幅(尺寸達(dá)2.77英寸)CMOS圖像傳感器(CIS
    的頭像 發(fā)表于 08-19 16:00 ?814次閱讀

    CIS市場(chǎng),新變局

    來(lái)源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察 ? ? CIS技術(shù)從1993年誕生至今,已有30余年發(fā)展歷史。 ? 尤其是自2009年以來(lái),CIS乘著手機(jī)市場(chǎng)的浪潮,連年保持增長(zhǎng),開(kāi)啟
    的頭像 發(fā)表于 07-12 09:54 ?610次閱讀

    微量產(chǎn)第二代芯片3200萬(wàn)像素圖像傳感器GC32E2,搭載DAG升級(jí)HDR影像體驗(yàn)

    近日,成功量產(chǎn)高性能的第二代芯片3200萬(wàn)像素
    發(fā)表于 06-19 16:16 ?1188次閱讀
    <b class='flag-5'>格</b><b class='flag-5'>科</b>微量產(chǎn)第二代<b class='flag-5'>單</b><b class='flag-5'>芯片</b>3200<b class='flag-5'>萬(wàn)</b><b class='flag-5'>像素</b>圖像傳感器GC32E2,搭載DAG升級(jí)HDR影像體驗(yàn)

    推出高性能GC32E2圖像傳感器

    近日,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)宣布成功量產(chǎn)了高性能的第二代芯片3200萬(wàn)
    的頭像 發(fā)表于 06-19 15:05 ?1114次閱讀

    微量產(chǎn)第二代芯片3200萬(wàn)像素圖像傳感器GC32E2

    近日,成功量產(chǎn)高性能的第二代芯片3200萬(wàn)像素
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:38 ?758次閱讀

    晶合集成5000萬(wàn)像素圖像傳感器量產(chǎn) 規(guī)劃CIS產(chǎn)能年內(nèi)倍速增長(zhǎng)

    智能手機(jī)的不同應(yīng)用場(chǎng)景,實(shí)現(xiàn)由中低端向中高端應(yīng)用跨越式邁進(jìn)。晶合集成規(guī)劃CIS產(chǎn)能將在今年內(nèi)迎來(lái)倍速增長(zhǎng),出貨量占比將顯著提升,成為顯示驅(qū)動(dòng)芯片之外的第二大產(chǎn)品主軸。 ? 近年來(lái),5000
    的頭像 發(fā)表于 04-12 08:45 ?412次閱讀

    為何CIS技術(shù)更青睞背照式方案(BSI)?

    早期的CIS產(chǎn)品像素采用前照式(FSI)結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)將光學(xué)結(jié)構(gòu)置于基于CMOS1)工藝的電路上。這項(xiàng)技術(shù)適用于像素尺寸為1.12μm及以上的大多數(shù)CIS解決方案,被廣泛用于移動(dòng)設(shè)備、
    發(fā)表于 04-05 09:54 ?1476次閱讀
    為何<b class='flag-5'>CIS</b>技術(shù)更青睞背照式方案(BSI)?

    快速學(xué)會(huì) OrCAD Capture CIS

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