MOS管，全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
Transistor），是一種常見的場效應(yīng)晶體管。它是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體材料構(gòu)成的三層結(jié)構(gòu)，具有高輸入阻抗、低噪聲、高速開關(guān)等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于數(shù)字電路、模擬電路、功率放大器等領(lǐng)域。

在一個低摻雜濃度的P型半導(dǎo)體硅襯底上，通過半導(dǎo)體光刻和擴(kuò)散工藝，制作兩個高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作為漏極D和源極S。接著，在漏極和源極之間的P型半導(dǎo)體表面覆蓋一層薄薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，并在絕緣層膜上放置一個鋁電極，作為柵極G。這樣就形成了一個N溝道（NPN型）增強(qiáng)型MOS管。顯然，它的柵極與其他電極之間是絕緣的。

MOS管的工作原理是基于場效應(yīng)的控制方式。與傳統(tǒng)雙極型晶體管不同，MOS管沒有PN結(jié)，因此不存在少數(shù)載流子注入的問題，其導(dǎo)通和截止是通過控制柵極電壓來實(shí)現(xiàn)的。當(dāng)柵極電壓為正時，電子會被吸引到柵極下方的氧化物層中，形成一個導(dǎo)電通道，使得源極和漏極之間產(chǎn)生電流；當(dāng)柵極電壓為負(fù)或接地時，導(dǎo)電通道消失，源極和漏極之間的電流被切斷。

MOS管的特性

1） MOS管是一個由改變電壓來控制電流的器件，所以是電壓器件。

2） MOS管道輸入特性為容性特性，所以輸入阻抗極高。

上圖展示了N溝道MOS管的符號，其中D代表漏極，S代表源極，G代表柵極。中間的箭頭表示襯底，箭頭向內(nèi)表示N溝道MOS管，箭頭向外表示P溝道MOS管。在實(shí)際生產(chǎn)過程中，襯底在出廠前已與源極連接，因此在符號規(guī)則中，表示襯底的箭頭也必須與源極相連，以便區(qū)分漏極和源極。

總之，MOS管是一種非常重要的場效應(yīng)晶體管，具有高輸入阻抗、低噪聲、高速開關(guān)等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種電路中。在選擇和使用MOS管時，需要根據(jù)具體的應(yīng)用場景和需求進(jìn)行合理的設(shè)計和選型。