采取適當(dāng)?shù)念A(yù)防措施，可以防止雷擊對以太網(wǎng)連接設(shè)備造成損壞。使用保護(hù)元器件的傳統(tǒng)方法可能不完全有效，我們還需要輔以另外一種方法，其靈感基于對雷擊能量傳遞給以太網(wǎng)電纜和相連設(shè)備的基礎(chǔ)機制的深入分析，本文會詳細(xì)介紹這些內(nèi)容。

引言

以雷擊為罪魁禍?zhǔn)椎睦擞渴录層芯€以太網(wǎng)出現(xiàn)故障，時刻牽動著網(wǎng)絡(luò)管理員或者其他相關(guān)負(fù)責(zé)人的神經(jīng)。這個問題并不局限于以太網(wǎng)，任何現(xiàn)實中較大的電子或電力系統(tǒng)都不例外。其他示例包括：遠(yuǎn)程返回的電氣測量、電力傳輸以及傳感器不在附近的工業(yè)自動化應(yīng)用。傳統(tǒng)解決方案的工作原理是吸收或限制某個區(qū)域附近的事件能量，以保護(hù)物理層元器件。這種方法的問題在于，能量未被消除，由此產(chǎn)生的電流也未被消除。感應(yīng)路徑中的瞬態(tài)電流總是會產(chǎn)生很大的電壓，進(jìn)而可能造成損壞。因此，當(dāng)考慮常規(guī)方法時，我們必須明確：需要什么級別的保護(hù)，以及需要多少時間、精力和資源來實施？此外，所部署的保護(hù)方法不僅要能夠抵御浪涌，而且要在浪涌發(fā)生后仍能正常運作。雷擊產(chǎn)生的能量比您想象的可能要大幾個數(shù)量級。為了實現(xiàn)安全可靠的運行，需要采取強有力的保護(hù)措施來應(yīng)對這一挑戰(zhàn)。

能量大小

以太網(wǎng)系統(tǒng)需要防范浪涌事件，不同浪涌事件的能量可能相去甚遠(yuǎn)。數(shù)千米外的雷擊引起的能量浪涌在強度上可能比門外的雷擊引起的能量浪涌低五個數(shù)量級。以太網(wǎng)系統(tǒng)的規(guī)模也會影響其處理不同量級的能量的能力。甚至環(huán)路的方向也可能使系統(tǒng)的浪涌承受能力增加三個數(shù)量級

雷擊能量

浪涌事件造成的損壞取決于事件的能量、能量浪涌發(fā)生的位置以及系統(tǒng)受到?jīng)_擊時可以儲存多少能量。了解這些因素將有助于找到防范這種損壞的解決方案。

雷擊產(chǎn)生的能量儲存在雷擊周圍的區(qū)域中（我們的討論排除直擊雷的可能性）。雷擊的主要問題是能量儲存在近場中，其中磁場對于這種低阻抗源來說最為重要。通過雷擊長度可以求出總電感，然后使用我們熟悉的能量方程 E = 1/2Li2可近似計算磁場中的總能量。雷擊電流大小不一，但可能高達(dá)50,000 A。在超過此距離的遠(yuǎn)場中，能量非常小，幾乎不用擔(dān)心，除非您從事建造無線電接收器的業(yè)務(wù)。

太陽每秒產(chǎn)生 3.846 × 1026W 的功率。在距離太陽9300萬英里的地球上，一平方米空間接收到其中的1000 W功率。如果我們對圍繞太陽的整個球面進(jìn)行積分，無論距離太陽表面有多遠(yuǎn)，總會有 3.846 × 1026W的輻射功率，而1平方米相對于9300萬英里之外的總表面積而言非常之小！現(xiàn)在我們從能量而不是功率的角度來討論。要獲得1000焦耳的能量，需要照射1 s（瓦特的單位為J/s）。此能量體積等于1M2乘以光在一秒內(nèi)傳播的距離，即 3 × 108M；在這種情況下，總體積也是 3 × 108M3。

為了理解本文的其余內(nèi)容，必須接受輻射能量和靜態(tài)能量（磁能BxH和靜電能ExD）都儲存在空間中的概念。坡印廷定理描述了能量的運動、移動或轉(zhuǎn)移。能量的轉(zhuǎn)移總是同時涉及磁場和電場。導(dǎo)體內(nèi)部不可能有明顯的電場，因此也不可能儲存任何能量。近處和遠(yuǎn)處（輻射）的能量都儲存在雷擊事件周圍的空間中，這個道理簡單明了。此概念（能量儲存在空間中）為浪涌問題提出了以下解決方案：不接觸這種能量就能消除電涌問題。

要接觸該能量，導(dǎo)體幾何結(jié)構(gòu)（以太網(wǎng)電纜）需要進(jìn)入能量運動所在的空間。就像我們的輻射示例一樣，即使處于近場，也涉及時間。以太網(wǎng)電纜以差分方式連接，不具有任何明顯的環(huán)路區(qū)域，因此不太可能從該周圍空間耦合任何明顯的能量。對于以太網(wǎng)電纜和接地系統(tǒng)之間的區(qū)域，情況并非如此。

浪涌是一種涉及機箱接地系統(tǒng)的高頻環(huán)路電流。每個構(gòu)建的電路都有機箱接地系統(tǒng)。就本文而言，它僅對大型電路很重要。請參閱圖1的示例，了解機箱接地系統(tǒng)如何始終存在，而且系統(tǒng)越大，它就越重要，以及為什么接地與該問題沒有任何關(guān)系，而任何寄生導(dǎo)體都會有關(guān)系。下一節(jié)將介紹兩種最常見的浪涌電流源。

接地環(huán)路能量

接地環(huán)路之所以產(chǎn)生，是因為任何兩個位置的接地電位都不是恒定的。圖1顯示，每個原理圖都有第二個電路，即寄生接地環(huán)路。由于接地環(huán)路和您設(shè)計的電路可以共用一根導(dǎo)線，因此該接地環(huán)路也被稱為共阻抗耦合。圖1和圖2顯示了更詳細(xì)的示例。通常，第二個機箱接地電路不是那么大，但始終存在。一般來說，電子系統(tǒng)覆蓋的距離越遠(yuǎn)，這些接地之間的電位差就越大，它們之間的電感和電阻也會越大。

圖1. 從技術(shù)上講，即使像手持設(shè)備這樣小的系統(tǒng)也可能受到外界的影響。在此示例中，接地環(huán)路非常小，任何干擾電流都將流向屏蔽層而不是無線電接地。

圖2. 上圖所示為線路供電儀器，機箱接地1和機箱接地2之間有接地環(huán)路電壓。同時，該環(huán)路很大，足以使磁耦合干擾變得顯著。另請注意，干擾環(huán)路與儀器接地共用一根導(dǎo)線。

當(dāng)閃電擊中地面時，電流會向各個方向擴散。該電流會導(dǎo)致電流流經(jīng)的接地電阻和電感出現(xiàn)顯著的電壓下降。對于某些有線以太網(wǎng)設(shè)施，此電位差可能橫跨整個以太網(wǎng)電纜（從一端到另一端），并可能引起大電流流動。這種效應(yīng)被歸類為接地環(huán)路，這是正確的。源自儀器儀表和電力機械的電流也會引起接地環(huán)路。正確接地的建筑物以公用設(shè)施入口處的單個接地導(dǎo)體為基準(zhǔn)。由此可知，在單一建筑物內(nèi)，雷擊引起的接地環(huán)路并不是造成設(shè)備損壞的主導(dǎo)因素。對于在建筑物外部或建筑物之間布設(shè)的以太網(wǎng)來說，情況顯然不是這樣。

無論來源如何，接地電壓都會在以太網(wǎng)電纜中產(chǎn)生電流，即使長度不是很長或者沒有環(huán)路區(qū)域也是如此。重要的是兩個接地點的電位差、上升時間以及兩點之間機箱系統(tǒng)的電感。

閃電產(chǎn)生的磁場

根據(jù)法拉第定律，閃電還可以在任何環(huán)路區(qū)域中產(chǎn)生磁耦合電壓。這可能是最堪憂的問題，因為它會影響建筑物內(nèi)布設(shè)的以太網(wǎng)。

接地環(huán)路引起的雷擊浪涌事件與磁耦合（法拉第定律）引起的浪涌事件不同。接下來的幾節(jié)將討論每個問題的可能解決方案。作為參考，圖3顯示了沒有采用本文所述任何解決方案的以太網(wǎng)連接。這里，通過電路和接地參考平面（也是電路的一部分）的電流路徑（由于接地環(huán)路或法拉第定律而產(chǎn)生）是浪涌電流可以通過的唯一路徑。常規(guī)解決方案試圖將該電流從元器件中分流走，但電流路徑中可能發(fā)生具有危險性的V = Ldi/dt事件。

圖3. 一個容易受到浪涌損壞的以太網(wǎng)示例。

教科書解決方案

解決接地環(huán)路和磁能問題的教科書解決方案是使用防護(hù)。用屏蔽層包圍整個應(yīng)用來提供防護(hù)。這種防護(hù)的作用是使應(yīng)用與除防護(hù)本身之外的任何物體之間的電容最小化。考慮圖4（一個簡化的非以太網(wǎng)示例），很顯然，所有接地環(huán)路或磁感應(yīng)電流都將沿著防護(hù)金屬流動并穿過C5處的隔離柵。接地環(huán)路電流不可能進(jìn)入防護(hù)裝置所包圍的任一應(yīng)用區(qū)域。在這種情況下，干擾場完全在應(yīng)用元器件的外部。除了消除任何靜電耦合噪聲之外，該教科書解決方案還能應(yīng)對上述兩種干擾源。教科書解決方案確實非常出色，即使C5非常小，它也能工作。短路線匝并不是必需的。

圖4. 儀器示例，顯示了使用防護(hù)來消除能量，從而減少應(yīng)用電路中的浪涌電流。

這是唯一適用于兩種接地環(huán)路和磁耦合場能量的解決方案。它通常也超出了這種以太網(wǎng)應(yīng)用的要求，下面將做一些簡化，以得到我們可以實際構(gòu)建的以太網(wǎng)解決方案。

短路線匝

造成損壞的能量來自閃電所產(chǎn)生的能量場。為了消除以太網(wǎng)布設(shè)中的能量，我們需要消除能量場，為此我們將在此變壓器中設(shè)計一個短路線匝，其中閃電為初級，以太網(wǎng)接地環(huán)路區(qū)域為次級。如果使用以太網(wǎng)電纜內(nèi)部的防護(hù)層和應(yīng)用電路中的平面來構(gòu)建一個隔離的短路線匝，通過接地提供最終導(dǎo)體來閉合短路線匝，那么我們應(yīng)該能夠消除能量。在實踐中，實施這種短路線匝后，添加外部分流保護(hù)元件的過程會容易得多。

要進(jìn)行簡化，可以去掉系統(tǒng)左右半部的完整包圍，如圖5所示（以太網(wǎng)配置如圖6所示）。如果防護(hù)回路可以充當(dāng)短路線匝，并且C3/C4的比值極小，那么這種更簡單的配置可能是有效的。相比隔離路徑，這種消除浪涌的簡化方法只有在我們能夠構(gòu)建短路線匝時才有效。

圖5. 使用屏蔽將浪涌能量從應(yīng)用電路引走的簡化儀器示例。

圖6. 使用屏蔽將浪涌能量從應(yīng)用電路引走的以太網(wǎng)示例，C3 < C4。

從以太網(wǎng)環(huán)路的角度來看，此短路線匝究竟是如何消除能量的呢？為了揭示這個問題，我們需要在更深的層次上理解變壓器類比。真正的變壓器旨在移動能量，而不是儲存能量。無論空芯變壓器還是磁芯變壓器，都是如此。為了在空芯變壓器中幾乎不儲存能量，繞組必須直接纏繞在彼此之上，以便幾乎沒有儲存能量的空間。即使繞組不直接相互疊置，用磁芯制成的變壓器也會將能量（具有磁滯和渦流損耗）從一個繞組轉(zhuǎn)移到另一個繞組，但繞組和磁芯之間必須幾乎沒有空間，以便幾乎不會儲存能量。當(dāng)使用磁芯時，由于電感較高，較大的μr會直接降低磁化電流，讓我們可以獲得額外的優(yōu)勢。不管有無磁芯，施加到初級的電壓都會產(chǎn)生一個電流，可通過我們熟悉的 V = Ldi/dt關(guān)系來描述，這反過來又會導(dǎo)致次級上產(chǎn)生一個電壓，可通過下式得出：V = (環(huán)路面積)dB/dt。磁性材料的存在不會改變初級Ldi/dt或次級dB/dt。換句話說，它不會改變變壓器電壓。在初級中，磁導(dǎo)率μr是一個常數(shù)，它會增加電感（增加μr），但也會降低di/dt以進(jìn)行補償。對于次級，較大μr會減慢dB/dt（因為初級di/dt較低），但它也會增加B，增加幅度就是該常數(shù)。高磁導(dǎo)率實際上只是通過提高初級電感來降低磁化電流。

由于變壓器中不儲存能量，當(dāng)次級負(fù)載很大時，低阻抗電壓源驅(qū)動的初級將需要提供更大電流，初級電流將增加以提供能量。

相比之下，雷擊會在非常大的空間中儲存大量能量。能量總是按照儲存能量盡可能少的配置自行排列。這正是變壓器在內(nèi)部以及次級繞組接口處所做的事情，次級電流與初級電流方向相反。這些相反的電流保證不會存在凈外部磁場（儲存的能量）。在高層次上，這被稱為最小作用原理，但就本文而言，它被稱為楞次定律。這就是以太網(wǎng)電纜和機箱接地回路周圍空間中發(fā)生的情況。以太網(wǎng)環(huán)路（或短路線匝，由您選擇）提供了轉(zhuǎn)移或耗散此能量的手段，因為任一手段都提供了儲存較少能量的方法。就像上面的變壓器示例一樣，產(chǎn)生的次級電壓仍然為V = (環(huán)路面積)dB/dt，但初級（閃電）和次級（以太網(wǎng)環(huán)路）之間沒有緊密耦合。這種不良耦合使該區(qū)域無法接觸無限的能量源。短路線匝會產(chǎn)生一個電流，抵消/耗散閃電儲存在該空間中的能量。如果可以在短路線匝就位的情況下測量初級的電感，那么它會是一個較低的值，表明儲存的能量較少，一些丟失的能量在短路線匝中耗散。換句話說，次級負(fù)載產(chǎn)生的磁場將抵消閃電產(chǎn)生的磁場，使以太網(wǎng)環(huán)路中儲存的能量減少。

順便說一句，在變壓器中，當(dāng)將一個次級短路時，所發(fā)生的正是上述情況。但是，這其中有一個重要區(qū)別。對于實際變壓器，由于緊密耦合，短路線匝將耗散初級中的所有可用能量。對于閃電，只有以太網(wǎng)環(huán)路空間中的能量才會被耗散。

我們來看一個例子。雷擊產(chǎn)生的H場為I/2πR。假設(shè)雷擊距離以太網(wǎng)電纜1英里(1600 M)，雷擊電流為50,000 A，則磁場強度將為4.97 A/M。

B場即為B = μH = (4π × 10E-7)(4.97) = 6.25E-6 Tesla，

以太網(wǎng)環(huán)路面積（一英里遠(yuǎn)）為：1 M × 150 M =150 M2

雷擊電流的上升時間可以短到1μs，其下降時間為約100 μs，因 此該環(huán)路中產(chǎn)生的電壓可近似計算為：V = A (環(huán)路面積 × dB/dt) = 150(6.25E-6)/1 μs = 937 V

我們通過仿真來獲得準(zhǔn)確的值。圖7顯示了一次50 kA雷擊，上升 時間為1 μs，下降時間為10 μs。

圖7. 50 kA雷擊，上升時間為1 μs，下降時間為10 μs。

根據(jù)法拉第定律，此電流將產(chǎn)生電壓V1，如圖8所示。E1代表未受保護(hù)的以太網(wǎng)環(huán)路內(nèi)的浪涌電壓。459 μH是帶機箱的以太網(wǎng)環(huán)路區(qū)域的電感，500 pF表示以太網(wǎng)連接的PSE和PD兩側(cè)的對地凈串聯(lián)電容，10 Ω電阻是電路的串聯(lián)電阻。在仿真中，R2的值并沒有真正改變電流的峰值，而是導(dǎo)致波形的包絡(luò)以更快的速率衰減。這一更有利的L/R時間常數(shù)將使浪涌能量作為熱量更快地通過整個分布式電阻耗散。

圖8. SPICE仿真模型，說明了利用與以太網(wǎng)環(huán)路緊密耦合的第二短路線匝可以降低浪涌電流。

所產(chǎn)生的浪涌電流I(L2)如圖9所示。該圖表明，即使雷擊發(fā)生在1英里之外，未受保護(hù)的環(huán)路也會出現(xiàn)1.6 A的峰峰值浪涌電流。想象一下，如果雷擊距離近很多，會產(chǎn)生多大的環(huán)路電流。即使這樣的電流也足以造成損壞。

圖9. 圖8中示例仿真的浪涌電流。

現(xiàn)在，讓我們考慮原理圖右半部分所示的受保護(hù)以太網(wǎng)環(huán)路（這里是內(nèi)部以太網(wǎng)環(huán)路）中的浪涌電流。如果降低屏蔽環(huán)路阻抗（增加C3和C4），同時保持與以太網(wǎng)環(huán)路的良好磁耦合，則該浪涌電流可以進(jìn)一步降低。

隔離

還有一種消除浪涌電流的方法，那就是隔離電纜的一端或兩端。理想情況下，要以這種方式隔離應(yīng)用，需要在所有頻率下都有一個開路。這通常由隔離變壓器實現(xiàn)；對于以太網(wǎng)，這包括數(shù)據(jù)變壓器和電源變壓器（POE應(yīng)用）。變壓器擅長阻止DC；但其初級到次級電容在較高頻率下會短路，從而支持高頻浪涌電流。如果有極低電容的變壓器可用，我們一開始就不會有浪涌問題，所以這不是答案。不過，減小隔離電容確實會降低雷擊引起的電流。然而，本文提出的解決方案在較高頻率下可提供更好的隔離系統(tǒng)，盡管跨隔離柵的電容較大。如果電容看不到任何dv/dt，那么它便無關(guān)緊要。

有什么問題？

問題是我們永遠(yuǎn)無法在電路周圍建立理想的防護(hù)，或者利用短路線匝消除所有磁場，或者構(gòu)建沒有電容的變壓器。這種情況下，還能做些什么呢？為了增強這些解決方案，我們可能還需要添加旨在轉(zhuǎn)移任何剩余浪涌電流的保護(hù)元器件。短路線匝中的電流可能很高，但幾乎不必?fù)?dān)心，因為我們只使用銅和電容來構(gòu)建它。我們可以做出的最后一項改進(jìn)是在整個以太網(wǎng)鏈路周圍添加鐵氧體，如圖10所示。

圖10. 共模扼流圈CH1為差模電流提供低阻抗，并為共模電流提供更大阻抗。

在沒有新增短路線匝的情況下，此鐵氧體仍然表現(xiàn)良好。它為高頻電流提供一個開路，以補充直流和較低頻率下隔離變壓器的開路。如果將鐵氧體與短路線匝一起使用，我們會得到一些非常驚人的結(jié)果。在這種情況下，鐵氧體為接地環(huán)路周圍的電流提供一個開路，使得C3/C4比值進(jìn)一步減小。

結(jié)語

任何需要長電纜的應(yīng)用都可能受到雷擊的損壞。這種損壞的原因可能是雷擊的高電流導(dǎo)致的接地阻抗壓降（接地環(huán)路），還有根據(jù)法拉第定律產(chǎn)生的電壓（磁耦合）。在某些應(yīng)用中，使用保護(hù)元器件來引導(dǎo)這種破壞性電流可能不奏效。在這種情況下，直接沿著以太網(wǎng)電纜和電路（耦合良好）添加低阻抗短路線匝可以顯著降低浪涌電流。這種方法僅使用銅和電容，因此，我們不必?fù)?dān)心短路線匝可能產(chǎn)生的高電流。在以太網(wǎng)電纜上添加共模扼流圈也可以安全地降低浪涌電流

審核編輯：湯梓紅