IGBT元件的并聯(lián)注意事項

并聯(lián)連接時的電流平衡：



由于門極-發(fā)射極連線電感LG、RG、還有Cies之間的關(guān)系，如果在門極驅(qū)動環(huán)路內(nèi)發(fā)生震蕩，有可能因為誤動作和不飽和動作而導(dǎo)致元件損壞。

不發(fā)生震蕩的RG的最小值與√LG成正比增大。

因此，應(yīng)在盡可能減小電感的同時，令RG在推薦值以上。



● 分布電感的差距與開通和關(guān)斷時的過渡電流的不均衡有關(guān)。請盡可能使IGBT之間集電極和發(fā)射極的連接線相同，并且盡可能短。

● 請對每個IGBT元件附加門極電阻，并使各門極連線電感相同且盡可能短的使用門極連接線。連接至發(fā)射極的門極配線不要連接在主端子上，請連接在專用（輔助）端子上。

● IGBT的飽和電壓VCE(sat)等受溫度的影響。請盡可能縮小模塊間溫度上升之差。

并聯(lián)工作用VCE(sat)等級分類：

并聯(lián)工作時，為了解決IGBT元件的均流問題，因此，每個IGBT元件的實際工作電流只能是它的額定值的80%左右。例如，四個300A模塊并聯(lián)時，預(yù)計總電流約為300×0.8×4＝960A左右。

審核編輯：劉清