對器件設計工程師來講，離子注入的濃度往往是需要關心的參數(shù)，什么樣的濃度對應什么樣的方阻，器件仿真參數(shù)輸入的是濃度，通過DSIMS測出來的也是濃度和深度的關系。所以，常常會出現(xiàn)這樣的情況：做設計的告訴做工藝的，我要某個濃度的注入，做工藝的反問做設計的要劑量，因此雙方經(jīng)常不能談論到一起。

之所以談不到一起，是因為雙方?jīng)]有真正弄清劑量和濃度之間的關系。

劑量是單位襯底表面積獲得的離子數(shù)量，單位是ion·cm-2，實際工程表達中ion常常省略，表示為cm-2。濃度是單位襯底體積分布的離子數(shù)量，單位是cm-3。

我們簡單舉個例子，現(xiàn)在有100個離子，注入到1cm2的區(qū)域，那么劑量就是100cm-2。那么濃度呢？如果結深是1cm，那么濃度就是100cm-3；如果結深是2cm，那么濃度就是cm-3。所以，你看到結深越深，意味著注入濃度就會較小，濃度=劑量/結深。

離子注入濃度和劑量的示意圖

在實際的注入過程中，所有的離子不可能停在一個深度，我們所說濃度-深度高斯分布曲線中，某個深度下的濃度是這個深度下單位體積的離子數(shù)。

那么結深又是對應哪個深度？它對應的不是高斯分布的最高值，也不是離子注入的總射程。它是形成PN結的位置，有一個較為復雜的計算公式，有興趣的可以自行查找，反映到高斯分布圖大致的位置是最高濃度的100-1000分之一濃度對應的位置。如下圖，最高濃度為2.5E21cm-3，結深的濃度為5E18cm-3，對應的位置是結深10nm。

注入濃度和深度的高斯分布曲線

那么，又是什么影響結深呢？結深取決于離子的質量、能量，襯底原子的質量以及離子入射方向與晶向之間的關系。離子注入能量越高，離子注入的深度越深，離子注入能量的大小可以通過調節(jié)加速電壓和離子種類來實現(xiàn)。注入能量介于1eV到1MeV之間，注入結深平均可達10nm~10um。

能量對離子注入結深的影響

目前離子注入分布計算軟件有TCAD，SRIM等，設計人員可根據(jù)軟件先對注入分布進行仿真，再確定實際注入劑量、能量和角度等工藝參數(shù)。

審核編輯：劉清