Tower Semiconductor與瑞薩合作制造基于SiGe的波束成形IC
高價值模擬半導體代工解決方案的領先廠商Tower Semiconductor今日宣布與瑞薩電子建立戰略合作伙伴關系。雙方將利用Tower的先進大批量高性能SiGe BiCMOS技術，共同制造基于SiGe的波束成形集成電路（IC）。
這一合作再次證明了瑞薩在創新方面的堅定承諾。憑借其廣泛的波束成形產品組合，瑞薩已在5G和衛星通信市場贏得了全球主要廠商的設計訂單，鞏固了其在行業中的領先地位。
波束成形技術是5G和未來通信系統的關鍵組成部分，能夠實現更高效、更可靠的數據傳輸。通過與Tower Semiconductor的合作，瑞薩將能夠進一步提升其波束成形IC的性能和可靠性，以滿足日益增長的市場需求。
隨著5G和衛星通信市場的快速發展，對高性能波束成形IC的需求也在不斷增長。通過與Tower Semiconductor的合作，瑞薩電子將繼續發揮其創新實力，滿足市場需求，并為全球客戶提供卓越的解決方案。
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