什么是場效應管

場效應管，即場效應晶體管（簡稱FET），是一種電壓控制型半導體器件。

場效應管具有以下特點：

1.高輸入阻抗：場效應管的輸入端幾乎不流入電流，因此它的輸入阻抗非常高，這使得它們在電路中不易受到外界干擾。

2.低噪聲性能：由于其高阻抗的特性，場效應管在信號放大時產生的噪聲較小，適合用于高靈敏度和低噪聲的電路。

3.熱穩(wěn)定性好：場效應管受溫度影響較小，因此在溫度變化的環(huán)境中能保持較好的工作性能。

4.安全工作區(qū)域寬：場效應管沒有二次擊穿現象，這意味著它們在電路中的安全工作范圍較寬。

場效應管主要有兩種類型：

結型場效應管：簡稱JFET，它通過一個p-n結來控制導電通道的寬度。

金屬-氧化物半導體場效應管：簡稱MOSFET，它使用一個絕緣層來控制導電通道。

這里主要介紹MOSFET。MOSFET有三個電極，分別為柵極G、源極S和漏極D，其中柵極G為控制端，源極S和漏極D為輸出端。從半導體的構成方面可以分為NMOS和PMOS。這兩種MOS的電路符號如下圖所示：

PMOS的襯底為N型半導體，在VGS《0時，會形成P溝道，所以叫做P溝道MOS；而NMOS的襯底為P型半導體，在VGS》0時，會形成N溝道，所以叫做N溝道MOS。

MOS管是電壓驅動型的器件，主要用作可控整流、功率開關、信號放大等，應用比較廣泛。MOS管的通道依靠VGS的電平，對于NMOS而言，VGS 》0時，NMOS導通，否則NMOS截止；對于PMOS而言，VGS《0，PMOS導通，否則截止。

▲ MOS場效應管的電路符號