近日獲悉，SK海力士已完成HBM3E產品的研發任務，并依據NVIDIA的量測結果順利通過性能評估。據悉，公司將于3月份全面啟動HBM3E第五代高帶寬內存產品的大規模生產，而且預計在下個月向NVIDIA發貨首批貨物。

值得一提的是，半導體產品的研發周期通常共九個階段，而 SK 海力士已經成功走過了各個環節，正在進行最后的產量提升階段。這代表著現有的HBM3E產能均可滿足從此刻起NVIDIA的需求。

除了SK海力士以外，業界競爭者如三星電子與美光也和NVIDIA有合作，但他們預計要等到3月份才能開展最終的質檢和認證工作。這表明SK海力士比原定時間表早了至少兩個月完成HBM3E的開發。

相關信息顯示，這部分HBM3E將會被用于英偉達新一代AI芯片B100的核心組件上。英偉達計劃于今年第二季度末或第三季度初發布這款芯片。據了解，Blackwell（美國科學院院士David Blackwell）的名字源于對這位黑人科學巨匠的致敬。Blackwell也是美國首位黑人科學院士、加州大學伯克利分校首任黑人終身教授，因病于2010年去世，享年91歲。

在此之前，NVIDIA憑借最高超過90%的市占率掌握了人工智能GPU市場的主導權；考慮到存儲領域方面，SK海力士在全球HBM市場占有超越一半的份額，甚至獨占了128GB DDR5這種大容量DRAM產品市場。