隨著電氣化浪潮的興起，汽車產(chǎn)業(yè)正在經(jīng)歷一場(chǎng)深刻的變革。預(yù)計(jì)到2028年，新車銷量中超過(guò)50%將是混合動(dòng)力或純電動(dòng)汽車（EV）。

寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用

自本世紀(jì)初以來(lái)，多種因素推動(dòng)了汽車中半導(dǎo)體使用量的增加。最初是電子穩(wěn)定控制等安全監(jiān)測(cè)應(yīng)用，隨后是與智能手機(jī)和互聯(lián)網(wǎng)的更多交互，如娛樂和導(dǎo)航。過(guò)去十年里，駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）和動(dòng)力總成的電氣化大幅增加了汽車中的芯片總量。WBG半導(dǎo)體在這些應(yīng)用中扮演了越來(lái)越重要的角色。例如，氮化鎵（GaN）功率器件被用于驅(qū)動(dòng)許多新車中半自動(dòng)和全自動(dòng)駕駛功能的激光雷達(dá)（LIDAR）系統(tǒng)，而碳化硅（SiC）功率器件則用于牽引逆變器應(yīng)用。

WBG功率器件相比傳統(tǒng)硅基器件的優(yōu)勢(shì)包括：

1.材料本身具有更高的電擊穿場(chǎng)強(qiáng)，允許設(shè)備更有效地?cái)U(kuò)展到更高的電壓和功率水平，從而在給定電壓下具有更低的導(dǎo)通損耗。

2.更小的器件導(dǎo)致更低的開關(guān)損耗，因?yàn)榧纳?a href="http://www.xsypw.cn/tags/電容/" target="_blank">電容更小。

3.上述優(yōu)點(diǎn)還使得高開關(guān)頻率成為可能，這可以通過(guò)使用更小的磁性元件實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)節(jié)省。

4.由于功率損失較低，冷卻系統(tǒng)也可以更小，尤其是SiC器件還具有較低的熱阻，以及在發(fā)動(dòng)機(jī)艙高溫下的更高穩(wěn)定性和可靠性。

5.WBG器件還使得如無(wú)橋全橋和T-中性點(diǎn)夾緊（NPC）主動(dòng)前端電路等更簡(jiǎn)單的拓?fù)涑蔀榭赡埽瑢?shí)現(xiàn)較高效率水平的低成本和簡(jiǎn)化的2級(jí)轉(zhuǎn)換器更容易。

從消費(fèi)者的角度看，上述改進(jìn)意味著更長(zhǎng)的駕駛范圍或更小、更便宜的電池。使用SiC的車輛（電池容量>50kWh）預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)凈節(jié)省。

電動(dòng)汽車及其充電趨勢(shì)

混合動(dòng)力（HEV）和插電式混合動(dòng)力（PHEV）電動(dòng)汽車的牽引功率通常小于100kW。在這一類別中，牽引逆變器目前主要由Si IGBTs主導(dǎo)，盡管SiC的使用正在增加。在100-220kW范圍內(nèi)的高性能電動(dòng)汽車、卡車和SUV正在增加SiC的使用。趨勢(shì)是在>100kW范圍內(nèi)的電動(dòng)汽車占比越來(lái)越大。

許多傳統(tǒng)汽車廠商提到的一個(gè)常見問(wèn)題是，缺乏完全發(fā)展的充電基礎(chǔ)設(shè)施和當(dāng)前充電器的慢速充電過(guò)程，這是他們不轉(zhuǎn)向電動(dòng)汽車的原因。AC 1級(jí)和2級(jí)充電通常用于通過(guò)車載充電器（OBC）為車輛電池充電。AC 1級(jí)使用120V，<2kW，充滿一輛小型BEV幾乎需要整整一天。AC 2級(jí)使用240V，充電時(shí)間根據(jù)使用的功率水平可以從一個(gè)小時(shí)到幾個(gè)小時(shí)不等。OBC通常具有功率因數(shù)校正（PFC）AC/DC階段，隨后是DC/DC階段。OBC的當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)輸出功率為7.2kW和11kW，預(yù)計(jì)22kW將在未來(lái)得到更廣泛的使用。額定電壓為650V的GaN功率器件在OBC應(yīng)用中提供了許多優(yōu)勢(shì)。

功率在7-25kW的DC壁掛式充電箱提供了更快的充電速度，繞過(guò)了OBC單元。此外，3級(jí)DC快速充電標(biāo)準(zhǔn)被視為大幅加快電動(dòng)汽車充電速度的方式。充電站的功率范圍從50kW到350kW，針對(duì)商用卡車的目標(biāo)可達(dá)到1MW。典型的電動(dòng)汽車乘用車（100kW電機(jī)和50-100kWh電池容量）的充電時(shí)間可以縮短到幾分鐘。這一解決方案的關(guān)鍵部分是使用800V電池，這相應(yīng)需要更高電壓的驅(qū)動(dòng)電子器件。SiC器件的1200V或更高額定值被視為此應(yīng)用的關(guān)鍵。

在迅速發(fā)展的DC快速充電應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)看到的一些重要趨勢(shì)包括：

1.采用模塊化方法，例如將25kW到50kW的模塊堆疊以實(shí)現(xiàn)更高功率

2.使用SiC器件實(shí)現(xiàn)超過(guò)98%的效率

3.支持寬電壓范圍

4.雙向性：這是OBC和DC快速充電器的一個(gè)趨勢(shì)，為車輛向家庭或電網(wǎng)反饋電力提供了一種方式。雙活橋（DAB）是適合此用途的DC/DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲弧?/span>

EV DC充電器市場(chǎng)按功率水平的預(yù)測(cè)分解顯示，到2027年，預(yù)計(jì)將有41%的強(qiáng)勁累計(jì)年增長(zhǎng)率（CAGR），其中>100kW充電器將引領(lǐng)這一擴(kuò)張。

經(jīng)過(guò)多年的研究和開發(fā)，市面上SiC 功率器件不斷的改進(jìn)和模塊產(chǎn)品組合。其中包括反向電壓額定值范圍為 650 V 至 1700 V 的肖特基二極管和 MOSFET，電阻率也不斷的提高。這些器件可以在 25°C 下進(jìn)行 1e11 個(gè)柵極開關(guān)周期（-3V 至 18V）后，閾值電壓僅為 50 mV，表現(xiàn)已經(jīng)是十分穩(wěn)定。