PN8604SE-A1

PN8604SE-B1

01

漏極檢測及芯片供電耐壓高

漏極檢測腳耐壓高于220V，支持輸出電壓58V以上應(yīng)用。

VDD耐壓高于35V，輸出電壓28V以內(nèi)，無需額外的輔助繞組供電電路，簡化了變壓器設(shè)計(jì)，節(jié)省成本。

02

雙重措施防止誤開通

芯片采用雙路驅(qū)動(dòng)互鎖技術(shù)避免兩路驅(qū)動(dòng)共通損壞系統(tǒng)。

系統(tǒng)起機(jī)階段，芯片內(nèi)部柵極驅(qū)動(dòng)電路下拉能力強(qiáng)，避免干擾引起的誤開通。

03

電流跟蹤技術(shù)支持500kHz工作

芯片會(huì)根據(jù)功率MOS電流ISD自適應(yīng)調(diào)整驅(qū)動(dòng)電壓VGS，可在CCM下更快關(guān)斷功率MOS，降低電壓應(yīng)力，支持500kHz高頻化工作。

04

滿足工業(yè)級(jí)JEDEC可靠性標(biāo)準(zhǔn)

通過工業(yè)級(jí)JEDEC可靠性標(biāo)準(zhǔn)測試，包括HTOL、ESD、Latch-up、TC等11個(gè)測試項(xiàng)目。

1?為提高系統(tǒng)ESD能力，芯片供電VDD腳外接RC濾波：R1推薦10Ω，C1推薦1uF。

2?建議參照下面的規(guī)則來設(shè)計(jì)PCB：

①芯片VD/VS/VG腳要靠近對應(yīng)的MOSFET的漏極、源極和柵極，不與功率走線重疊；

②芯片兩個(gè)VD/VS檢測通道相互分離，檢測回路盡可能小；

③MOSFET布局和布線盡量對稱，避免PN8604置于功率回路內(nèi)部。