三星電子采用大規模回流模制底部填充技術嗎？
據報道，隨著人工智能浪潮引發對高性能半導體的巨量需求，三星電子計劃引進SK海力士的大規模回流模制底部填充（MR-MUF）技術。但此消息被三星否認，其聲明顯示“從未考慮在半導體芯片生產中運用此技術”。
盡管面對AI熱潮及HBM需求的飆升，三星電子仍未與英偉達達成HBM芯片供應協議。分析指出，其堅持使用熱壓非導電薄膜（TC NCF）制程，可能導致產能問題。對比之下，SK海力士已將問題歸結于NCF，轉而采用MR-MUF向英偉達提供HBM3解決方案。
多位業內分析者透露，三星HBM3芯片生產良率僅有約10%至20%，而SK海力士則高達60%至70%。此外，三星還在積極與日本名古屋電解研等企業商討MUF材料供應事宜。
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