如何進行RF PA Ruggedness的測試和評估呢？
關于PA ruggedness設計測試問題，先介紹一下原理，如何進行ruggedness的測試和評估。
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測試背景
在iphone4時代，當手握住手機并且用手掌接觸到它兩部外處天線的時候，手機信號就會變得很弱，甚至消失，那時這種握法被人們戲稱為“死亡之握”。
實際上即使到現在，基于手機天線安裝的位置，手持特定部位造成的影響會比其他部位更嚴重，這是任何一款手機都必須面對的問題。
這涉及天線阻抗變化導致射頻前端器件發生性能變化，從而導致信號變差，出現PA負載過大，燒毀等極端情況發生。另外，終端產品（手機、平板、路由器等）在實際使用過程中可能會出現天線損壞或者內部射頻線路損壞等情況，也會導致PA負載不匹配，從而燒毀。而這種情況就讓各個廠商開始重視PA產品ruggedness指標測試。
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相關理論
阻抗變換、史密斯圓圖、反射系數、VSWR
串聯L,阻抗點沿著等電阻圓右旋移動。
串聯C,阻抗點沿著等電阻圓左旋移動。串聯R,阻抗點沿著等電抗圓移動。
并聯L,阻抗點沿著等電導圓左旋移動。
并聯C,阻抗點沿著等電導圓右旋移動。并聯R,阻抗點沿著等電納圓移動。
|
反射系數 P |
回波損耗 RL |
駐波比 SWR |
復反射系數： 「= (ZL-ZO) / (ZL+Z0)= p(sinθ+jcosθ) 其中：幅度p在0～1之間(p為標量反射系數) 反射波相對于入射波的相角θ在+180°~-180°之 間 定向耦合器： 耦合度(dB)=10Ig(P1/P3) 隔離度(dB)=10lg(P1/P4) 方向性(dB)=10Ig(P3/P4) 隔離度一耦合度=方向性 其中：P1為輸入端口功率， P3為耦合端口輸出功率， P4為隔離端口輸出功率 |
| 1.00 | 0.00 | ||
| 0.90 | 0.92 | 19.00 | |
| 0.80 | 0.94 | 9.00 | |
| 0.70 | 3.10 | 5.67 | |
| 0.60 | 4.44 | 4.00 | |
| 0.50 | 6.02 | 3.00 | |
| 0.40 | 7.96 | 2.33 | |
| 0.30 | 10.46 | 1.86 | |
| 0.20 | 13.98 | 1.50 | |
| 0.10 | 20.00 | 1.22 | |
| 0.09 | 20.92 | 1.20 | |
| 0.08 | 21.94 | 1.17 | |
| 0.07 | 23.10 | 1.15 | |
| 0.06 | 24.44 | 1.13 | |
| 0.05 | 26.02 | 1.11 | |
| 0.04 | 27.96 | 1.08 | |
| 0.03 | 30.46 | 1.06 | |
| 0.02 | 33.98 | 1.04 | |
| 0.10 | 40.00 | 1.02 | |
| 0.00 | 1.00 |
3
芯樸科技 Ruggedness
測試標準
環境搭建示意圖
4
芯樸科技 Ruggedness
| Test Plan | |
| Mode | VSWR |
| Mag | 10:1 |
| Prated (dBm) | 28 |
| Phase | 0～360/15 |
| Freq | 824,875,925 |
| Vcc | 4.6V |
| VBAT | 4.6V |
| Pin | 絕對值功率 |
| Signal | FDDLTE_QPSK_5MHZ_1R |
| Hold | 1 |
| Temp | -40℃25℃85℃ |
頻點選取頻段高中低三個頻點，VSWR選擇10:1，phase每隔15度測試一次，總共360度，Vbatt=Vcc設置到4.6V(特殊項目特殊設置)，Pout=Prated時開始定出Pin，然后Pin 選擇1dB step開始往上推，推到PA發生異常為止。測試5pcs產品選取最低值，作為最后的測試結果輸出。
量產后會在前十個批次根據不同頻段每個頻段選擇3pcs進行抽測，對量產產品進行持續的監控，確保產品ruggedness性能穩定可靠。
目前芯樸科技把ruggedness測試作為研發首要標準進行把控，是產品能否量產的第一條紅線，這充分彰顯芯樸科技將品質提升至優于行業標準的信心，展示了芯樸科技在ruggedness技術研發實力。
審核編輯：劉清
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原文標題：RF PA Ruggedness 測試規范介紹
文章出處：【微信號：gh_5500866a60cf，微信公眾號：芯樸科技XinpleTek】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
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